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EEPW首頁 >> 主題列表 >> finfet+

下一代晶體管技術何去何從

  • 　　大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝，它會持續(xù)多久和為什么要替代他們? 　　在近期內(nèi)，從先進的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當清楚。芯片會基于今天的FinFET工藝技術或者另一種FD SOI工藝的平面技術，有望可縮小到10nm節(jié)點。但是到7nm及以下時，目前的CMOS工藝路線圖已經(jīng)不十分清晰。 　　半導體業(yè)已經(jīng)探索了一些下一代晶體管技術的候選者。例如在7nm時，采用高遷移率的FinFET，及用III-V族元素作溝道材料來提高電荷的遷移率。然后，到5nm時，可能會有兩種技術，其中一種是環(huán)柵F
  • 關鍵字： 晶體管  FinFET  

半導體工藝向14/16nm FINFET大步前進

  • 幾乎所有繼續(xù)依靠先進半導體工藝來帶給自己芯片性能與功耗競爭優(yōu)勢的廠商，紛紛將自己的設計瞄準了即將全面量產(chǎn)的FINFET技術。在這一市場需求推動下，似乎20nm這一代，成為很多代工廠眼中的雞肋，巴不得直接跨越20nm，直奔16/14nm的FINFET。
  • 關鍵字： TSMC  FINFET  智能手機  201401  

SoC系統(tǒng)開發(fā):FinFET在系統(tǒng)級意味著什么

  • FinFET給芯片設計業(yè)帶來的改變幾乎是革命性的，帶來了各種新的要求，同時也推動了各種創(chuàng)新。
  • 關鍵字： SoC  FinFET  

SoC系統(tǒng)開發(fā)：FinFET在系統(tǒng)級意味著什么

  • 　　大家都在談論FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20nm節(jié)點以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統(tǒng)開發(fā)人員而言，其未來會怎樣呢? 　　回答這一問題最好的方法應該是說清楚FinFET對于模擬和數(shù)字電路設計人員以及SoC設計人員究竟意味著什么。從這些信息中，我們可以推斷出FinFET在系統(tǒng)級意味著什么。
  • 關鍵字： SoC  FinFET  

Synopsys力挺臺積電16納米FinFET

  • 　　全球IC矽智財供應商新思科技(Synopsys)力挺臺積電的16納米FinFET(鰭式場效晶體管)，全力協(xié)助臺積電加入導入這項新制程量產(chǎn)行列。 　　新思科技是「臺積電大同盟」成員之一，昨天也宣布獲臺積電頒發(fā)開放創(chuàng)創(chuàng)新平臺(OIP)「2013年度最佳伙伴獎」，以表彰對臺積電先進制程的貢獻。 　　臺積電16納米FinFET制程，是對抗英特爾及三星等勁敵的重要技術，臺積電將以大同盟的陣營，聯(lián)合IP、自動化工具、設備及芯片設計業(yè)的力量應戰(zhàn)。臺積電16納米預定明年第4季試產(chǎn)，2015年第1季量產(chǎn)。
  • 關鍵字： Synopsys  FinFET  

先進制程競賽Xilinx首重整合價值

  • 　　由于ASIC的研發(fā)成本居高不下，加上近來FPGA不斷整合更多的功能，同時也突破了過往功耗過高的問題，尤其當進入28奈米制程之后，其性價比開始逼近ASSP與ASIC，促使FPGA開始取代部分ASIC市場，應用范圍也逐步擴張。 　　附圖: Xilinx揭露未來市場競爭狀況。 資料來源：Xilinx 　　掌握這樣的趨勢，讓FPGA大廠Xilinx在28奈米的產(chǎn)品營收持續(xù)成長。 Xilinx企業(yè)策略與行銷資深副總裁Steve Glaser指出，預估今年在28奈米產(chǎn)品線將會有1億美元的營收，市占率高
  • 關鍵字： Xilinx  FinFET  

新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

  • 　　比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導體。IMEC的新制程目標是希望能持續(xù)微縮CMOS至7nm及其以下，以及實現(xiàn)混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。 　　隨著晶片微縮即將接近原子級的限制，業(yè)界致力于提高晶片性能與降低功耗的各種方法逐漸面臨瓶頸。透過為矽晶整合更高性能的材料，例如可提供更高載子速度與更高驅(qū)動電流的III-V族電晶體通道，這種新的化合物半導體可望超越矽晶本身性能，持續(xù)微縮至更制程。 　
  • 關鍵字： FinFET  矽材料  

Mentor工具被納入臺積電16納米FinFET制程技術參考流程

  • Mentor Graphics公司(納斯達克代碼：MENT)日前宣布它已完成其用于臺積電16納米FinFET制程的數(shù)字成套工具。臺積電16納米參考流程包含一些新功能，用于Olympus-SoC?布局與布線系統(tǒng)的16納米設計，以及Calibre?物理驗證和可制造性設計(DFM)平臺。
  • 關鍵字： Mentor  FinFET  

FinFET新技術對半導體制造產(chǎn)業(yè)的影響

  • 　　FinFET稱為鰭式場效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項創(chuàng)新設計，變革了傳統(tǒng)晶體管結構，其控制電流通過的閘門被設計成類似魚鰭的叉狀3D架構，將原來的單側(cè)控制電路接通與斷開變革為兩側(cè)。 　　FinFET這樣創(chuàng)新設計的意義，在于改善了電路控制并減少漏電流，縮短了晶體管的閘長，對于制程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法等產(chǎn)生重要影響與變革。FinFET技術升溫，使得半導體業(yè)戰(zhàn)火重燃，尤其是以Fi
  • 關鍵字： FinFET  半導體制造  

FinFET引爆投資熱　半導體業(yè)啟動新一輪競賽

  • 　　半導體業(yè)界已發(fā)展出運用FinFET的半導體制造技術，對制程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法產(chǎn)生極大變化。特別是IDM業(yè)者與晶圓代工廠正競相加碼研發(fā)以FinFET生產(chǎn)應用處理器的技術，促使市場競爭態(tài)勢急速升溫。 　　過去數(shù)10年來，互補式金屬氧化物半導體(CMOS)平面電晶體一直是電子產(chǎn)品的主要建構材料，電晶體幾何結構則一代比一代小，因此能開發(fā)出高效能且更便宜的半導體晶片。 　　然而，電晶體在空間上的線性微縮已達極限，電晶體縮小到20奈米(nm)以下，會降低通道閘極控制效果，造成汲極(Dr
  • 關鍵字： 半導體  FinFET  

專家聚首談FinFET趨勢下3D工藝升級挑戰(zhàn)

  • 　　日前，SeMind舉辦了圓桌論壇，邀請半導體設計與制造的專家齊聚一堂，共同探討未來晶體管、工藝和制造方面的挑戰(zhàn)，專家包括GLOBALFOUNDRIES的高級技術架構副總裁Kengeri SUBRAMANI ，Soitec公司首席技術官Carlos Mazure，Intermolecular半導體事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理Raj Jammy以及Lam公司副總裁Girish Dixit。 　　SMD ：從你們的角度來看，工藝升級短期內(nèi)的挑戰(zhàn)是什么? 　　Kengeri ：眼下，我們正在談論的28nm到2
  • 關鍵字： FinFET  3D  

爭搶1xnm代工商機 晶圓廠決戰(zhàn)FinFET制程

  • 　　鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機，臺積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術，并各自祭出供應鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，預計將于2014～2015年陸續(xù)投入量產(chǎn)，讓晶圓代工市場頓時硝煙彌漫。 　　FinFET制程將成晶圓廠新的角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機，并建立10納米發(fā)展優(yōu)勢，臺積電、聯(lián)電和格羅方德正傾力投資FinFET技術，并已將開戰(zhàn)時刻設定于2014?2015年;同時也各自祭出供應鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，期抗衡英特爾和三星
  • 關鍵字： FinFET  晶圓  

英盛德：FinFET技術日趨盛行 利益前景可觀

  • 　　英格蘭錫爾--(美國商業(yè)資訊)--世界領先的系統(tǒng)到芯片集成電路設計咨詢公司之一的英盛德認為，F(xiàn)inFET技術使用的日趨盛行將為集成電路設計商帶來新的挑戰(zhàn)，因為這些設計商希望從新構架帶來的尺寸優(yōu)勢中受益。 　　工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：“最近，在德州召開的設計自動化大會(Design Automation Conference)上，展廳中討論FinFET技術的聲音不絕于耳。同樣，我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費、電腦和圖形行業(yè)領域的最知名企業(yè)&md
  • 關鍵字： 集成電路設計  FinFET  

英盛德：FinFET技術日盛 前景可觀

  • 　　根據(jù)美國商業(yè)資訊報導，世界領先的系統(tǒng)到晶片積體電路設計顧問公司之一的英盛德(Sondrel)認為，F(xiàn)inFET技術使用的日趨盛行將為積體電路設計商帶來新的挑戰(zhàn)，因為這些設計商希望從新構架帶來的尺寸優(yōu)勢中受惠。 　　工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：「最近，在德州召開的設計自動化大會(Design Automation Conference)上，展場中討論FinFET技術的聲音不絕于耳。同樣，我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費、電腦和圖形產(chǎn)業(yè)領域的最知名企業(yè)&mdash
  • 關鍵字： Sondrel  FinFET  

晶圓廠的FinFET混搭制程競賽

  • 　　一線晶圓廠正紛紛以混搭20納米制程的方式，加速14或16納米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權技術陣營中的聯(lián)電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14納米FinFET前段閘極結合20納米后段金屬導線制程的方式達 成試量產(chǎn)目標;而臺積電為提早至2015年跨入16納米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術，足見此設計方式已成為晶圓廠進入 FinFET世代的共通策略。 　　聯(lián)華電子市場行銷處處長黃克勤提到，各家廠商在16/
  • 關鍵字： 晶圓  FinFET  
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