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應用材料公司突破導線技術傳統(tǒng)瓶頸

作者: 時間:2014-06-15 來源:慧聰電子網(wǎng) 收藏

  公司(AppliedMaterials)宣布其全新EnduraVolta化學氣相沈積(CVD)系統(tǒng)加入獨特的鈷金屬后,一舉突破導線技術傳統(tǒng)瓶頸,讓“摩爾定律”持續(xù)向下進展到20納米。此外,應材的EnduraVentura實體氣相沈積(PVD)系統(tǒng)不但成功協(xié)助客戶降低成本,更可制造出體積更小、耗能更低、性能更高的整合型3D芯片。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/248315.htm

  在強大技術創(chuàng)新突破的支持下,公司在營運方面也頗有斬獲。公司臺灣區(qū)總裁余定陸表示,拜半導體事業(yè)的蓬勃發(fā)展與應用材料公司不斷追求創(chuàng)新與研發(fā)的技術優(yōu)勢之賜,應用材料公司第二季營收達23.5億美元,較去年同期大幅成長19%;此外毛利率也達44.2%,營業(yè)利益率則達20.5%。

  余定陸透露,“應用材料公司的市占率也來到近七年的新高,比去年提升1.4個百分點;應用材料公司在絕大多數(shù)的產(chǎn)品線都出現(xiàn)顯著成長,蝕刻(Etch)與檢測(PDC)機臺產(chǎn)品在市場也大有斬獲,營收雙雙創(chuàng)下近期新高紀錄。”

  余定陸表示,為半導體產(chǎn)業(yè)提供成長動能的移動設備,也持續(xù)為應用材料公司帶來許多轉(zhuǎn)折,原因是“我們的客戶需要能夠制造出低耗電、高效能、更快、更便宜的解決方案,這個轉(zhuǎn)折點尤其有利于應用材料公司發(fā)揮精密材料工程方面的領導地位。”

  據(jù)統(tǒng)計,2010年至2013年晶圓設備產(chǎn)業(yè)已連續(xù)4年資本支出都達到300億美元的規(guī)模,2014年更可望成長10%至20%,顯示此一產(chǎn)業(yè)的成長依舊強健。余定陸表示臺灣晶圓設備市場的成長尤為驚人,遠高于業(yè)界平均,預期到明年,近五年的成長率將達到47%的高水平。

  關于制程方面,余定陸預測2014年將是晶圓代工產(chǎn)業(yè)20納米技術與3DNAND起飛量產(chǎn)的一年,技術層面上最重要的轉(zhuǎn)折點包括從2D的微影微縮(litho-scaling),轉(zhuǎn)變?yōu)?D材料與結構上的創(chuàng)新,而使用的材料種類也同時大幅增加。

  余定陸同時表示,晶圓代工產(chǎn)業(yè)也將從過去的SiON氮氧化硅進化到HKMG高K值金屬閘極,再發(fā)展到3D鰭式場效晶體管()。從28納米技術的HKMG演進至16納米/14納米技術的,應用材料公司在這個市場的商機規(guī)模,可望增加25%~35%。

  余定陸強調(diào),應材公司的EnduraVoltaCVD系統(tǒng)加入鈷金屬后,不但帶動近15年來最重大的導線技術材料變革,也解決覆銅電路長期面對的關鍵挑戰(zhàn),讓“摩爾定律”一口氣突破20納米瓶頸,成為目前市面上唯一能夠做到精密鈷金屬薄膜沈積的機臺。此外,在EnduraVenturaPVD系統(tǒng)方面,除了展現(xiàn)應材公司的精密材料工程技術,也獨特地支持以鈦作為阻障層量產(chǎn)的替代材料,能節(jié)省更多成本,這套領先業(yè)界推出高量產(chǎn)等級的硅穿孔(TSV)金屬化制程解決方案,大幅提高TSV制程的可靠性。



關鍵詞: 應用材料 FinFET

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