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泰克推出第三代經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的DDR分析軟件產(chǎn)品

  •   全球領(lǐng)先的測(cè)試、測(cè)量和監(jiān)測(cè)儀器提供商--泰克公司日前宣布,為DPO/DSA70000B系列和DPO7000系列示波器推出第三代經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的DDR分析軟件產(chǎn)品(DDRA選件)。泰克DDR測(cè)試解決方案支持DDR、DDR2、DDR3、LP-DDR和GDDR3的全部速度,同時(shí)覆蓋了物理層和數(shù)字域。泰克公司還為DDR3存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)推出一套新的擁有Nexus Technology技術(shù)的球柵陣列(BGA)元件內(nèi)插器(Interposers),改善了連接能力。泰克系列邏輯分析儀、示波器和探測(cè)系統(tǒng)共同構(gòu)成了DDR設(shè)計(jì)和測(cè)試
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一種基于DDR高速圖像緩存的實(shí)現(xiàn)

  • 隨著半導(dǎo)體傳感器技術(shù)的發(fā)展,在實(shí)際應(yīng)用中越來(lái)越多地用到了高幀頻、大面陣的CCD相機(jī)以獲取高質(zhì)量、高分辨率的圖像數(shù)據(jù)。以分辨率為1K×1K、幀頻為200f/s、8bit灰度級(jí)的相機(jī)為例,其圖像數(shù)據(jù)流速率就將高達(dá)200MB/s,
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Spartan-3A 的 DDR 2 接口數(shù)據(jù)采集

  • 1引言DDR2(DoubleDataRate2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))制定的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),它與上一...
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嵌入式DDR息線的布線分析與設(shè)計(jì)

NAND閃存的下一個(gè)熱點(diǎn):性能

  •   利用50-40nm的工藝制程節(jié)點(diǎn),NAND閃存密度已達(dá)到16 GB/D及超過(guò)2B/C多級(jí)單元(MLC)技術(shù)。盡管位元密度強(qiáng)勁增長(zhǎng),但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長(zhǎng),公司更加重視改進(jìn)NAND閃存裝置的編譯和讀取性能,使其比特更高和性能更快,以滿足消費(fèi)者的需要。再加上存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格急劇下降,高比特高性能已成為各個(gè)公司努力追求的方向。         2008年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議的論文和2007
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TI推出新一代 3A DDR 端接穩(wěn)壓器

  •   日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款可滿足 DDR、DDR2、 DDR3 與 DDR4 等各種低功耗存儲(chǔ)器終端電源管理要求的汲極/源極雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 TPS51200。該簡(jiǎn)便易用的新型穩(wěn)壓器的陶瓷輸出電容僅為 20 μF,比同類競(jìng)爭(zhēng)解決方案的電容降低了近 80%。這樣,設(shè)計(jì)人員可利用該器件實(shí)現(xiàn)更低成本、更小型化的 DDR 存儲(chǔ)器終端解決方案,以滿足數(shù)字電視、機(jī)頂盒、VGA 卡、電信、數(shù)據(jù)通信、筆記本以及臺(tái)式機(jī)電腦等現(xiàn)代大容量存儲(chǔ)器電子產(chǎn)品以及日益豐富的消費(fèi)類電子產(chǎn)品的需求。
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Maxim推出用于DDR高速緩沖存儲(chǔ)器電池備份的集成電源管理IC

  •   Maxim推出用于DDR高速緩沖存儲(chǔ)器電池備份的集成電源管理IC DS2731。該P(yáng)MIC集成了單節(jié)Li+電池充電器、控制系統(tǒng)電源和電池電源切換的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、以及用于“調(diào)節(jié)”DDR存儲(chǔ)器電源的2MHz同步降壓調(diào)節(jié)器。這種空前的高度集成特性省去了現(xiàn)有方案中15個(gè)以上的分立元件,從而節(jié)省了成本和空間。DS2731能夠兼容DDRII和DDRIII中的PCI Express® 12V電源,非常適合用于RAID服務(wù)器/系統(tǒng)存儲(chǔ)卡、板載RAID (ROMB)以及板載模塊化RAID
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基于FPGA的DDR SDRAM控制器在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的高速大容量存儲(chǔ)是數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。本設(shè)計(jì)采用Altera公司Cyclone系列的FPGA完成了對(duì)DDR SDRAM的控制,以狀態(tài)機(jī)來(lái)描述對(duì)DDR SDRAM的各種時(shí)序操作,設(shè)計(jì)了DDR SDRAM的數(shù)據(jù)與命令接口。用控制核來(lái)簡(jiǎn)化對(duì)DDR SDRAM的操作,并采用自頂至下模塊化的設(shè)計(jì)方法,將控制核嵌入到整個(gè)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的控制模塊中,完成了數(shù)據(jù)的高速采集、存儲(chǔ)及上傳。使用開(kāi)發(fā)軟件Quartus II中內(nèi)嵌的邏輯分析儀SignalTap II對(duì)控制器的工作流程進(jìn)行了驗(yàn)證和調(diào)試。最終采集到的
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針對(duì)DDR供電 飛思卡爾推出全線電源芯片產(chǎn)品

  •   模擬市場(chǎng)正在茁壯成長(zhǎng),按照12%的年復(fù)增長(zhǎng)率估算,將超過(guò)許多其他的數(shù)字IC市場(chǎng)。在這樣的發(fā)展速度下,據(jù)預(yù)測(cè),模擬市場(chǎng)將在2012年達(dá)到680億美元,屆時(shí)將實(shí)現(xiàn)近1390億的出貨量。亞太地區(qū)是模擬市場(chǎng)的最大消費(fèi)區(qū)域,但設(shè)計(jì)和生產(chǎn)遍布在世界各地。   模擬市場(chǎng)是一個(gè)高度競(jìng)爭(zhēng)的市場(chǎng),一些供應(yīng)商只關(guān)注特定的產(chǎn)品,而另一些則進(jìn)行全面組合,以覆蓋各個(gè)領(lǐng)域的特色模擬產(chǎn)品,事實(shí)上,新興業(yè)務(wù)已經(jīng)加速發(fā)展。模擬領(lǐng)域有大量的新業(yè)務(wù)出現(xiàn),尤其是在研發(fā)新技術(shù)方面,但是進(jìn)入這一領(lǐng)域的門檻依然很高,由于工程人才,渠道力量和全球?qū)?/li>
  • 關(guān)鍵字: DDR  飛思卡爾  200802  

集邦:9月下旬DRAM合約價(jià)格預(yù)計(jì)下滑10%

  • DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)需求不佳,整體報(bào)價(jià)呈現(xiàn)下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度達(dá)7.8%,價(jià)格下跌至1.54美元。其余顆粒報(bào)價(jià)皆呈現(xiàn)微幅下跌,DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以來(lái)由于市場(chǎng)需求不振以及買賣雙方抱持觀望的態(tài)度,使得價(jià)格持續(xù)緩跌。然而當(dāng)DDR2eTT價(jià)格跌破5月低點(diǎn)后,部分分銷商及模塊廠開(kāi)始備貨,使得現(xiàn)貨價(jià)格出現(xiàn)反彈,間接帶動(dòng)了些許買氣。而合約市場(chǎng)方面,由于現(xiàn)貨價(jià)格快速下跌,加上PCOEM廠商已經(jīng)備足旺季所需的庫(kù)存水位,因此部份OEM廠商于9月上旬所談妥的合約數(shù)量有砍單的動(dòng)作。
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DRAM價(jià)格跌至新低 分析師稱還可能進(jìn)一步下滑

  • 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,所有想為自己電腦增加更多內(nèi)存的人都贏得了來(lái)自DRAM行業(yè)的禮物--激烈競(jìng)爭(zhēng)使得內(nèi)存價(jià)格猛跌,行業(yè)分析師預(yù)測(cè),DRAM價(jià)格還將進(jìn)一步下降。  使用最廣泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合約價(jià)格已比兩周前下跌了12.5%,周二時(shí)跌至1.75美元,創(chuàng)下了DRAMeXchange今年記錄的新低。DRAMeXchange公司運(yùn)營(yíng)一家對(duì)內(nèi)存芯片進(jìn)行網(wǎng)上交易的網(wǎng)站。  這條重大新聞將對(duì)用戶產(chǎn)生三個(gè)重大影響:第一,DRAM價(jià)格下跌將增加惠普和戴爾這類電腦制
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DDR內(nèi)存接口的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  • 針對(duì)當(dāng)今電子系統(tǒng)對(duì)高速大容量?jī)?nèi)存的需要,本文闡述了使用DDR控制器IP核來(lái)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存接口的方法。
  • 關(guān)鍵字: DDR  內(nèi)存  接口的設(shè)計(jì)    

丹納赫傳動(dòng)宣布專利Cartridge DDR現(xiàn)有五種不同框架尺寸供應(yīng)

  • 2007年6月8日,全球領(lǐng)先的運(yùn)動(dòng)控制解決方案提供商——丹納赫傳動(dòng)(Danaher Motion)公司宣布,其創(chuàng)新的Cartridge DDR™系列直接驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)伺服電機(jī)(CDDR)新添三種小框架的新產(chǎn)品,因此,現(xiàn)共有4.25平方英寸到13.78平方英寸五種框架尺寸的CDDR電機(jī)供應(yīng),每種尺寸各有四個(gè)鐵心長(zhǎng)度。CDDR是直接驅(qū)動(dòng)技術(shù)中非常特別的一種,其特點(diǎn)在于采用預(yù)制零部件、完整的工廠對(duì)準(zhǔn)型高分辨率反饋裝置和獨(dú)特的無(wú)軸承設(shè)計(jì),確??梢栽?0分鐘內(nèi)實(shí)現(xiàn)即裝即用,且沒(méi)有維護(hù)成本。
  • 關(guān)鍵字: Cartridge  DDR  丹納赫  消費(fèi)電子  消費(fèi)電子  

低成本DDR內(nèi)存電源設(shè)計(jì)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字: NCP1570  NCP1571  ONSEMICONDUCTOR  DDR  

采用FPGA IP實(shí)現(xiàn)DDR的讀寫(xiě)控制的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證

  • 摘要: 本文采用LatticeXP系列FPGA結(jié)合IP解決DDR RAM的讀寫(xiě)控制。并且在硬件上面進(jìn)行了實(shí)際測(cè)試。關(guān)鍵詞: 嵌入式系統(tǒng);DDR RAM;FPGA;IP;LattcieXP 前言隨著高速處理器的不斷發(fā)展,嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用的領(lǐng)域越來(lái)越廣泛,數(shù)字信號(hào)處理的規(guī)模也越來(lái)越大,系統(tǒng)中RAM規(guī)模不斷增加,比如視頻監(jiān)控、圖像數(shù)據(jù)采集等領(lǐng)域,圖像處理的實(shí)時(shí)性對(duì)RAM帶寬的要求不斷增加,傳統(tǒng)的SDRAM在帶寬上已經(jīng)逐漸無(wú)法滿足應(yīng)用要求,DDR SDRAM(雙倍速率SDRAM)采用在時(shí)鐘CL
  • 關(guān)鍵字: 0702_A  DDR  FPGA  IP  LattcieXP  RAM  單片機(jī)  嵌入式系統(tǒng)  雜志_設(shè)計(jì)天地  存儲(chǔ)器  
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designware ddr介紹

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