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DDR SDRAM在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用

在數(shù)據(jù)處理中為了更好地對(duì)被測(cè)對(duì)象進(jìn)行處理和分析，研究人員們把重點(diǎn)更多的放在高速、高精度、高存儲(chǔ)深度的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的研究上由于A／D芯片及高性能的FPGA的出現(xiàn)，已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)高速高精度的數(shù)據(jù)處理，則
關(guān)鍵字： SDRAM DDR 高速數(shù)據(jù) 采集系統(tǒng)

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲(chǔ)器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國(guó)
關(guān)鍵字： DDR 測(cè)試技術(shù)

　　臺(tái)灣南亞科技2月16日表示，今年二季度的DRAM內(nèi)存芯片期貨價(jià)增長(zhǎng)幅度至少達(dá)到5%，并以此開(kāi)啟增長(zhǎng)勢(shì)頭。此前他們預(yù)計(jì)DRAM芯片價(jià)格最早在一季度開(kāi)始恢復(fù)增長(zhǎng)。　　
關(guān)鍵字： DRAM DDR

1． DDR概述　　如今，存儲(chǔ)器件在計(jì)算機(jī)、汽車(chē)與消費(fèi)電子產(chǎn)品上可謂無(wú)所不在。其中DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是最常用的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)技術(shù)之一，而隨著該技術(shù)的發(fā)展，其傳輸速率在日益加快，功耗在日益
關(guān)鍵字： DDR 信號(hào)測(cè)量方法信號(hào)完整性

　　全球半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、驗(yàn)證及制造軟件暨IP領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商新思科技(Synopsys)今日宣布，利用新思科技完整的DesignWare® SATA IP解決方案，包含控制器、實(shí)體層以及驗(yàn)證IP，使創(chuàng)意電子(Global Unichip Corp.) 之GP5080固態(tài)硬盤(pán)系統(tǒng)單芯片第一次流片就試產(chǎn)成功之成果。　　系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)代工服務(wù)的龍頭企業(yè)創(chuàng)意電子，肯定了新思科技的DesignWare SATA IP在品質(zhì)、功耗、性能和功能集上的卓越性。對(duì)創(chuàng)意電子來(lái)說(shuō)SATA的互通性是一個(gè)關(guān)鍵的需求，而新思科技是唯
關(guān)鍵字： Synopsys DesignWare IP

1內(nèi)存條的工作原理DDR內(nèi)存條是由多顆粒的DDRSDKAM芯片互連組成，DDRSDRAM是雙數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)...
關(guān)鍵字： FPGA DDR 內(nèi)存 SDKAM

摘要：隨著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量的日益加大以及存儲(chǔ)速度的加快，大容量的高速存儲(chǔ)變得越來(lái)越重要。內(nèi)存條既能滿(mǎn)足大容量的存儲(chǔ)又能滿(mǎn)足讀寫(xiě)速度快的要求，這樣使得對(duì)內(nèi)存條控制的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。首先介紹了內(nèi)存條的工作原
關(guān)鍵字： FPGA DDR 內(nèi)存條

Cyclone II如何實(shí)現(xiàn)的DDR SDRAM接口,在不增加電路板復(fù)雜度的情況下要想增強(qiáng)系統(tǒng)性能，改善數(shù)據(jù)位寬是一個(gè)有效的手段。通常來(lái)說(shuō)，可以把系統(tǒng)頻率擴(kuò)大一倍或者把數(shù)據(jù)I/O管腳增加一倍來(lái)實(shí)現(xiàn)雙倍的數(shù)據(jù)位寬。這兩種方法都是我們不希望用到的，因?yàn)樗鼈儠?huì)增加
關(guān)鍵字： SDRAM 接口 DDR 實(shí)現(xiàn) II 如何 Cyclone

　　全球半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造軟件和知識(shí)產(chǎn)權(quán)領(lǐng)先企業(yè)新思科技有限公司和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商中芯國(guó)際集成電路有限公司今天宣布開(kāi)始提供用于中芯國(guó)際65納米(nanometer)低漏電(Low Leakage)工藝技術(shù)的新思科技經(jīng)硅驗(yàn)證的和獲得USB標(biāo)志認(rèn)證的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。作為一家提供包括控制器、PHY和驗(yàn)證IP等USB2.0接口完整IP解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，新思科技繼續(xù)致力于通過(guò)提供高品質(zhì)IP助力設(shè)計(jì)人員降低集成風(fēng)險(xiǎn)，這些IP具備了驗(yàn)證過(guò)的互操作性，
關(guān)鍵字： Synopsys IP 65納米 DesignWare

DDR存儲(chǔ)器，也稱(chēng)雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，常用于高級(jí)嵌入式電路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，包括計(jì)算機(jī)、交通運(yùn)輸、家庭娛樂(lè)系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品。 DDR的廣泛采用也推動(dòng)著DDR存儲(chǔ)器自身的研發(fā)，在DDR 1和DDR
關(guān)鍵字： DDR 高帶寬調(diào)試混合信號(hào)示波器

　　2009年DRAM產(chǎn)業(yè)在地獄和天堂里各走一遭，年初1顆DRAM均價(jià)還在0.5美元，當(dāng)時(shí)生產(chǎn)成本還在2美元，可見(jiàn)虧損有多嚴(yán)重，各廠(chǎng)只好宣布停工、減產(chǎn)，巨額虧損的問(wèn)題延伸至臺(tái)、美、日DRAM廠(chǎng)大整合階段，也演變成國(guó)與國(guó)之間的戰(zhàn)爭(zhēng)。但到了年底，DRAM廠(chǎng)又開(kāi)始生龍活虎起來(lái)，中間歷程看似短短 365天，但個(gè)中辛酸DRAM廠(chǎng)冷暖自知，未來(lái)各界看好DRAM產(chǎn)業(yè)有2年的好光景，終于擺脫地獄魔咒，前進(jìn)在通往天堂的路上。　　365天之間可以發(fā)生多少事?它可以讓平均每天虧損新臺(tái)幣1億元、每1季虧損超過(guò)百億元的DRAM
關(guān)鍵字： Microsoft DRAM DDR

　　泰克公司日前宣布增強(qiáng)和升級(jí)其業(yè)界領(lǐng)先的DDR測(cè)試和驗(yàn)證解決方案系列。用于泰克TLA7000系列邏輯分析儀的新型內(nèi)插器為工程師提供了最新DDR3-1867標(biāo)準(zhǔn)的總線(xiàn)捕捉和分析功能。新型內(nèi)插器大大降低了TLA7000系列的DDR3測(cè)試成本，使存儲(chǔ)器總線(xiàn)捕捉功能能為更多的設(shè)計(jì)人員所使用。泰克同時(shí)還為DDR標(biāo)準(zhǔn)最新的節(jié)能版LP-DDR2推出業(yè)內(nèi)第一款電氣接口測(cè)試和驗(yàn)證解決方案。這些新功能完善了泰克全面而廣泛的DDR存儲(chǔ)器解決方案，為驗(yàn)證和改善工程師的設(shè)計(jì)提供幫助。　　DDR3-1867是最新一代雙倍數(shù)
關(guān)鍵字：泰克 DDR TLA7000