摘要瓴盛科技采用新思科技廣泛的DesignWare IP核組合來降低風險并加快新一代移動芯片組上市用于USB、MIPI和DDR的高品質(zhì)DesignWare IP已幫助億萬片上系統(tǒng)實現(xiàn)量產(chǎn)雙方的長期合作助力瓴盛科技的SoC設計一次性流片成功和量產(chǎn)新思科技(Synopsys, Inc.,納斯達克股票代碼:SNPS)今天宣布瓴盛科技(JLQ Technology Co., Ltd.)已經(jīng)選用新思科技DesignWare? Interface IP核來加速其面向一系列應用的新一代高性能、低功耗SoC芯片的開發(fā)。瓴
關鍵字:
瓴盛科技 新思科技 DesignWare IP SoC
在國內(nèi)疫情尚還未完全好轉(zhuǎn)的情況下,全球疫情開始逐漸惡化。而日韓疫情的兇猛,更是給全球半導體領域投下了“重磅炸彈”。
關鍵字:
宏旺半導體 DDR ICMAX
DDR硬件設計要點 1. 電源 DDR的電源可以分為三類: a主電源VDD和VDDQ,主電源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是給IO buffer供電的電源,VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用?! ∮械男酒€有VDDL,是給DLL供電的,也和VDD使用同一電源即可。電源設計時,需要考慮電壓,電流是否滿足要求,電源的上電順序和電源的上電時間,單調(diào)性等。電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片,及芯片個數(shù)等進行計算。由于DDR的電流一般都比較大,所以P
關鍵字:
DDR,PCB
DDR的種類: 1、DDR SDRAM:Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器; 2、DDR2 SDRAM:Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory,第二代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器; 3、DDR3 SDRAM:Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Ra
關鍵字:
DDR 三星
似乎中國已經(jīng)要趕上國外主流水準,但是業(yè)內(nèi)卻傳出DDR內(nèi)存已經(jīng)過時,新的內(nèi)存即將取代,這無疑給國內(nèi)的DDR內(nèi)存制造廠商當頭一棒。
關鍵字:
內(nèi)存 DDR
DDR布線在PCB設計中占有舉足輕重的地位,設計成功的關鍵就是要保證系統(tǒng)有充足的時序裕量。要保證系統(tǒng)的時序,線長匹配又是一個重要的環(huán)節(jié)。我們來回顧一下,DDR布線,線長匹配的基本原則是:地址,控制/命令信號與時鐘做等長。數(shù)據(jù)信號與DQS做等長。為啥要做等長?大家會說是要讓同組信號同時到達接收端,好讓接收芯片能夠同時處理這些信號。那么,時鐘信號和地址同時到達接收端,波形的對應關系是什么樣的呢?我們通過仿真來看一下具體波形?! 〗⑷缦峦ǖ?,分別模擬DDR3的地址信號與時鐘信號?! ?nbsp; 
關鍵字:
PCB DDR
DDR布線在PCB設計中占有舉足輕重的地位,設計成功的關鍵就是要保證系統(tǒng)有充足的時序裕量。要保證系統(tǒng)的時序,線長匹配又是一個重要的環(huán)節(jié)。我們來回顧一下,DDR布線,線長匹配的基本原則是:地址,控制/命令信號與時鐘做等長。數(shù)據(jù)信號與DQS做等長。為啥要做等長?大家會說是要讓同組信號同時到達接收端,好讓接收芯片能夠同時處理這些信號。那么,時鐘信號和地址同時到達接收端,波形的對應關系是什么樣的呢?我們通過仿真來看一下具體波形?! 〗⑷缦峦ǖ?,分別模擬DDR3的地址信號與時鐘信號?! ?nbsp; 
關鍵字:
DDR 布線
DDR布線在PCB設計中占有舉足輕重的地位,設計成功的關鍵就是要保證系統(tǒng)有充足的時序裕量。要保證系統(tǒng)的時序,線長匹配又是一個重要的環(huán)節(jié)。我們來回顧一下,DDR布線,線長匹配的基本原則是:地址,控制/命令信號與時鐘做等長。
關鍵字:
DDR PCB DQS
隨著高速處理器的不斷發(fā)展,嵌入式系統(tǒng)應用的領域越來越廣泛,高速大容量緩存器被廣泛應用于音視頻系統(tǒng)中,然而專用的高速大容量緩存芯片價格過于昂貴,傳統(tǒng)SDRAM在帶寬上已經(jīng)逐漸無法滿足應用.
關鍵字:
MIMO技術 視頻緩存器 DDR
隨著數(shù)據(jù)存儲量的日益加大以及存儲速度的加快,大容量的高速存儲變得越來越重要。內(nèi)存條既能滿足大容量的存儲又能滿足讀寫速度快的要求,這樣使得對內(nèi)存條控制的應用越來越廣泛。首先介紹了內(nèi)存條的工作原理,內(nèi)存條電路設計的注意事項,以及如何使用FPGA實現(xiàn)對DDR內(nèi)存條的控制,最后給出控制的仿真波形。
關鍵字:
DDR 內(nèi)存條 FPGA
研究了硅基液晶(LCoS)場序彩色顯示驅(qū)動系統(tǒng)的設計與實現(xiàn).該系統(tǒng)以FPGA作為主控芯片,用兩片高速DDR2 SDRAM作為幀圖像存儲器.通過對圖像數(shù)據(jù)以幀為單位進行處理,系統(tǒng)將并行輸入的紅、綠、藍數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成申行輸出的紅、綠、藍單色子幀.將該驅(qū)動系統(tǒng)與投影光機配合,實現(xiàn)了分辨率為800×600的LCoS場序彩色顯示.
關鍵字:
硅基液晶 DDR FPGA
差分時鐘是DDR的一個重要且必要的設計,但大家對CK#(CKN)的作用認識很少,很多人理解為第二個觸發(fā)時鐘,其實它的真實作用是起到觸發(fā)時鐘校準的作用。
關鍵字:
DDR 差分時鐘 DRAM DDR2
一、內(nèi)存測試中的難點內(nèi)存廣泛應用于各類電子產(chǎn)品中,內(nèi)存測試也是產(chǎn)品測試中的熱點和難點。內(nèi)存測試中最為關鍵的測試項目為DQ/DQS/CLK之間的時序關系。JEDEC規(guī)范規(guī)定測量這幾個信號之間的時序時測試點需要選擇在靠
關鍵字:
虛擬探測 DDR 信號去嵌測試
實現(xiàn)數(shù)據(jù)的高速大容量存儲是數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的一項關鍵技術。本設計采用Altera 公司Cyclone系列的FPGA 完成了對DDR SDRAM 的控制,以狀態(tài)機來描述對DDR SDRAM 的各種時序操作,設計了DDR SDRAM 的數(shù)據(jù)與命令接口。用控
關鍵字:
SDRAM FPGA DDR 控制器
引言:DDR4 等存儲技術的發(fā)展帶動存儲器速度與功率效率空前提升,僅僅停留在一致性測試階段,已經(jīng)不能滿足日益深入的調(diào)試和評估需求。DDR 存儲器的測試項目涵蓋了電氣特性和時序關系,由JEDEC明確定義,JEDEC 規(guī)范并
關鍵字:
高速存儲器 一致性測試 DDR
designware ddr介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條designware ddr!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對designware ddr的理解,并與今后在此搜索designware ddr的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473