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英特爾計(jì)劃2014年開始支持DDR4

  • 　　DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后再過一年半左右才進(jìn)入桌面。據(jù)悉，Intel的再下代企業(yè)級服務(wù)器平臺Haswell-EX將會第一個整合DDR4內(nèi)存控制器。Haswell-EX和我們經(jīng)常展望的Haswell屬于同一家族，面向數(shù)據(jù)中心等大型企業(yè)領(lǐng)域，最多擁有16個核心，四路就是64核心。 　　DDR4內(nèi)存不僅會帶來頻率的大幅提升(最高可達(dá)4266MHz)，更會有1.2V低電壓、更好的對等保護(hù)和錯誤恢復(fù)等技術(shù)，這些大
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DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性大公開：電壓僅1.2V

  • 　　JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會今天公布了DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中的部分關(guān)鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時繼續(xù)降低功耗。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會宣稱，DDR4將具備一系列創(chuàng)新特性，可帶來更快的運(yùn)行速度和廣泛的實(shí)用性，包括服務(wù)器、筆記本、臺式機(jī)、消費(fèi)電子產(chǎn)品等等，其頻率、電壓和架構(gòu)也都在進(jìn)行重新定義，目標(biāo)是簡化新標(biāo)準(zhǔn)的遷移和部署。
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JEDEC準(zhǔn)備迎接DDR4內(nèi)存規(guī)格

  • 內(nèi)存芯片的雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR4）的標(biāo)準(zhǔn)將包括三個數(shù)據(jù)寬度的產(chǎn)品，差分信號傳輸，數(shù)據(jù)屏蔽和一個新的終止計(jì)劃，根據(jù)JEDEC的固態(tài)技術(shù)協(xié)會，標(biāo)準(zhǔn)開發(fā)商制定的標(biāo)準(zhǔn)。
  • 關(guān)鍵字： JEDEC  DDR4  

iSuppli:DDR4將在2014年集中上市

  • 　　據(jù)IHSiSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù)，隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達(dá)8.08億個左右，預(yù)計(jì)DDR3將占89%，高于去年的67%和2009年的24%。DRAM模組是包含DRAM芯片的封裝，用于PC和其它電子產(chǎn)品之中。
  • 關(guān)鍵字： DDR4  DRAM  

三星開發(fā)出新一代高速內(nèi)存芯片

  • 　　三星電子星期二稱，它已經(jīng)開發(fā)出了一種新的計(jì)算機(jī)內(nèi)存模塊，讀寫數(shù)據(jù)的速度是上一代內(nèi)存芯片的一倍。 　　三星電子在聲明中稱，它將在2012年開始使用30納米級的技術(shù)生產(chǎn)這種新的DDR4 DRAM內(nèi)存模塊。 　　
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ddr4介紹

DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)存儲器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細(xì) ]

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