美光宣布首個(gè)DDR4內(nèi)存模組研發(fā)完成

　　雖然比起目前韓國(guó)雙雄兼世界前兩大內(nèi)存/閃存設(shè)備生產(chǎn)商三星與SK Hynix慢了一步，但美光還是緊追不放在今日正式宣布該公司首個(gè)DDR4 DRAM模組研發(fā)完成。目前即將開(kāi)始制造樣品給主要客戶送測(cè)，預(yù)計(jì)將于2013年正式進(jìn)入市場(chǎng)。

　　根據(jù)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC的規(guī)劃，服務(wù)器以及企業(yè)市場(chǎng)將于2013年最先嘗到DDR4的甜頭，它對(duì)比目前的DDR3內(nèi)存擁有更高的頻率和更低的工作電壓。美光此次宣布的產(chǎn)品和臺(tái)灣南亞科技共同研發(fā)，采用30nm制程工藝。單“條”內(nèi)存模組擁有8塊4Gbit DDR4顆粒，總?cè)萘?GBytes。可做成常見(jiàn)的臺(tái)式機(jī)、SO-DIMM(筆記本)、RDIMM/LRDIMM(服務(wù)器)等常用封裝并支持ECC，傳輸速度可達(dá)2400-3200MT/s，即等效運(yùn)行頻率2400-3200MHz。

　　美光在官方新聞稿中宣稱，隨著JEDEC對(duì)DDR4標(biāo)準(zhǔn)的制訂最后完成，美光計(jì)劃于2012年底開(kāi)始批量生產(chǎn)新的DDR4顆粒。