ddr4 文章進(jìn)入ddr4技術(shù)社區(qū)

紫光國芯官方確認(rèn) 首款國產(chǎn)DDR4內(nèi)存明年上市

　　最近，一張印有紫光國芯(UniIC)LOGO 的內(nèi)存條出現(xiàn)在了網(wǎng)絡(luò)上，有人稱這就是紫光自主研發(fā)的 DDR4 內(nèi)存。一開始大家還不太相信圖片的真實(shí)性，因?yàn)橘N紙上出現(xiàn)了 PC3-12800U 的字樣，對(duì)應(yīng)的其實(shí)是 DDR3 1600 內(nèi)存。但是近日紫光官方竟然主動(dòng)承認(rèn)了，他們表示這雖然不是真的，但是紫光確實(shí)有相關(guān)的計(jì)劃。　　近日，紫光國芯在全景網(wǎng)投資者互動(dòng)平臺(tái)上發(fā)出了正式回應(yīng)，他們表示上述關(guān)于 DDR4 產(chǎn)品的報(bào)道并不確切，但是公司現(xiàn)在確實(shí)在開展 DDR4存儲(chǔ)芯片和模組的設(shè)計(jì)與開發(fā)工作，而按照計(jì)劃，該
關(guān)鍵字：紫光 DDR4

兩大新技術(shù)加持三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機(jī)

　　搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī)，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(jí)(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測(cè)系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達(dá)更高效能、更低功耗，以及更小的體積。　　DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁，IC Insights預(yù)估，2017年DRAM市場(chǎng)將激增74%，為1994年以來最大增幅;未來DRAM預(yù)計(jì)將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別，產(chǎn)值高
關(guān)鍵字： DRAM DDR4

賣不出去！內(nèi)存暴漲價(jià)自食惡果：沒貨、降價(jià)

內(nèi)存價(jià)格持續(xù)上漲了幾乎兩年的時(shí)間，對(duì)于接下來的內(nèi)存行情，經(jīng)銷商普遍不看好，主要是渠道需求不佳，行情繼續(xù)橫盤，恐怕依然會(huì)有很大的震蕩，關(guān)鍵就看DDR4顆粒供應(yīng)緊張能否有所改善了。
關(guān)鍵字：內(nèi)存 DDR4

紫光自主DDR4內(nèi)存曝光：?jiǎn)螚l4GB

半導(dǎo)體領(lǐng)域一直是個(gè)很大的短板，當(dāng)然我們也在努力追趕，CPU處理器無論超算還是消費(fèi)領(lǐng)域都有了突破，內(nèi)存存儲(chǔ)也在大踏步追趕。
關(guān)鍵字：紫光 DDR4

三星第二代10nm級(jí)別8Gb DDR4內(nèi)存投產(chǎn)，以后高頻條3600MHz起跳

　　三星剛才宣布量產(chǎn)第二代10nm級(jí)別(1y-nm)的8Gb DDR4內(nèi)存顆粒，新的內(nèi)存具備更高的頻率與更低的供貨，以及更小的尺寸，產(chǎn)能可以比初代10nm級(jí)別(1x-nm)的高30%，然而價(jià)格嘛……應(yīng)該暫時(shí)不會(huì)降。　　　　新的1y-nm 8Gb DDR4顆粒采用了先進(jìn)的專用電路設(shè)計(jì)技術(shù)，性能水平與效能會(huì)比1x-nm的高約10%到15%，它能夠在3600MHz下運(yùn)行，而1x-nm的8Gb DDR4顆粒則是3200MHz，也就是說以后的高頻內(nèi)存要以360
關(guān)鍵字：三星 DDR4

第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%,明年首季確定再漲

　　DRAM 內(nèi)存市場(chǎng)近期嚴(yán)重供不應(yīng)求，造成全球內(nèi)存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價(jià)格再上調(diào) 3% 至 5%。而另一家內(nèi)存大廠 SK 海力士也將調(diào)漲約 5%。除此之外，有部分供應(yīng)鏈透露，2018 年第 2 季的價(jià)格恐也將不樂觀，價(jià)格將續(xù)漲 5% 以上。因此，在需求太強(qiáng)勁的情況下，此波 DRAM 價(jià)格從 2016年下半年以來，每季都呈現(xiàn)上漲的態(tài)勢(shì)。如果加上 2018 年第 1 季持續(xù)漲價(jià)，報(bào)價(jià)已經(jīng)連續(xù) 7 季走揚(yáng)，堪稱 DRAM 史上時(shí)間最長的多頭行情。　　事實(shí)上，當(dāng)前的第 4 季是傳統(tǒng)
關(guān)鍵字： DRAM DDR4

至少到明年一季度！內(nèi)存價(jià)格依舊持續(xù)維持高位

　　近一年多來，內(nèi)存價(jià)格持續(xù)高漲，雖然這一段時(shí)間暫時(shí)有所平穩(wěn)，漲價(jià)的勢(shì)頭似乎被遏制住了，但想降價(jià)的話短期內(nèi)還是個(gè)夢(mèng)。　　　　據(jù)博板堂統(tǒng)計(jì)，2017年10月份中國區(qū)TOP11內(nèi)存品牌總出貨量又下滑了10%左右，連續(xù)兩個(gè)月倒退。　　原因主要是上游DRAM內(nèi)存顆粒供應(yīng)依然十分緊張，而且供貨時(shí)間有限，再加上雙11電商備貨影響，整個(gè)市場(chǎng)異常慘淡。　　　　作為內(nèi)存行業(yè)老大，金士頓缺貨問題非常嚴(yán)重，實(shí)際出貨時(shí)間只有半個(gè)月左右，整體工廠出貨量創(chuàng)下歷史新低，當(dāng)月還
關(guān)鍵字：內(nèi)存 DDR4

DDR4快破千！內(nèi)存價(jià)格一路瘋漲：明年形勢(shì)依舊

　　上周日,內(nèi)存的價(jià)格波動(dòng)再次引發(fā)了外界的關(guān)注,國內(nèi)銷量第一的金士頓駭客神條D4-2400飆出779元的新高。　　　　今天,京東上,D4-2133來到829元,D4-2400再次創(chuàng)下799元的新紀(jì)錄。　　　　京東的問答區(qū)已經(jīng)完全被漲價(jià)淪陷,“破千指日可待”“金子做的嗎”“這么便宜?一千以下不敢買”。　　　　根據(jù)網(wǎng)友的曬單,去年D4-2133條一度刷到了
關(guān)鍵字： DDR4 內(nèi)存

如何降低DDR4系統(tǒng)功耗？PSOD輸出藏貓膩

DDR4是JEDEC組織關(guān)于DRAM器件的下一代標(biāo)準(zhǔn)。DDR4主要是針對(duì)需要高帶寬低功耗的場(chǎng)合。這些需求導(dǎo)致了DDR4芯片引入了一些新的特點(diǎn)，這些新的特點(diǎn)，導(dǎo)致在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，引入一些新的設(shè)計(jì)需求。
關(guān)鍵字： DDR4 POD

DDR4陣營持續(xù)擴(kuò)大將首度超越DDR3

　　第四代高速DRAM存儲(chǔ)器DDR4自2014年上市以來，銷售額在整體DRAM存儲(chǔ)器總銷售額中的占比不斷成長。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(jià)(ASP)跌至約與DDR3相同，當(dāng)年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。　　調(diào)研機(jī)構(gòu)ICInsights預(yù)估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86Core系列處理器等都開始向DDR4存儲(chǔ)器靠攏，預(yù)計(jì)2017年全球DDR4銷售額占比將會(huì)揚(yáng)升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結(jié)過去6年DDR3占比持續(xù)維持第一的
關(guān)鍵字： DDR4 DDR3

DDR4將首度超越DDR3　2017年占整體DRAM58%

　　第四代高速DRAM存儲(chǔ)器DDR4自2014年上市以來，銷售額在整體DRAM存儲(chǔ)器總銷售額中的占比不斷成長。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(jià)(ASP)跌至約與DDR3相同，當(dāng)年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。　　調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86 Core系列處理器等都開始向DDR4存儲(chǔ)器靠攏，預(yù)計(jì)2017年全球DDR4銷售額占比將會(huì)揚(yáng)升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結(jié)過去6年DDR3占比持續(xù)維持第
關(guān)鍵字： DDR4 DRAM

DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正在制定：比DDR4快兩倍！

　　內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計(jì)劃明年定稿。　　據(jù)悉，用于服務(wù)器和臺(tái)式PC上的DDR5內(nèi)存速度將是DDR4內(nèi)存的兩倍之多，執(zhí)行效率也更高。　　同時(shí)，針對(duì)智能手機(jī)以及筆記本電腦等對(duì)續(xù)航有更高要求的設(shè)備，還會(huì)推出低電壓版的LPDDR5內(nèi)存。　　雖然看起來DDR5內(nèi)存非常值得期待，但分析師卻對(duì)其前景并不看好，反而認(rèn)為DDR內(nèi)存時(shí)代將在DDR4生命周期結(jié)束時(shí)謝幕。　　分析師認(rèn)為，DDR5會(huì)首先被應(yīng)用于服務(wù)器和高端PC領(lǐng)域，隨后才會(huì)逐漸向下普及。但
關(guān)鍵字： DDR5 DDR4

DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正在制定：比DDR4快兩倍！

　　內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計(jì)劃明年定稿。　　據(jù)悉，用于服務(wù)器和臺(tái)式PC上的DDR5內(nèi)存速度將是DDR4內(nèi)存的兩倍之多，執(zhí)行效率也更高。　　同時(shí)，針對(duì)智能手機(jī)以及筆記本電腦等對(duì)續(xù)航有更高要求的設(shè)備，還會(huì)推出低電壓版的LPDDR5內(nèi)存。　　雖然看起來DDR5內(nèi)存非常值得期待，但分析師卻對(duì)其前景并不看好，反而認(rèn)為DDR內(nèi)存時(shí)代將在DDR4生命周期結(jié)束時(shí)謝幕。　　分析師認(rèn)為，DDR5會(huì)首先被應(yīng)用于服務(wù)器和高端PC領(lǐng)域，隨后才會(huì)逐漸向下普及。但
關(guān)鍵字： DDR5 DDR4

UltraScale架構(gòu)DDR4 SDRAM接口的秘密

Adrian Cosoroaba和Terry Magee在本月MemCon上給出了關(guān)于DDR4 SDRAM接口的詳細(xì)展示，該演示應(yīng)用于賽靈思UltraScale All Programmable FPGA上。接口設(shè)計(jì)將DDR SDRAM提升至2400Mbps甚至以上，同時(shí)降低接口功耗。為了達(dá)
關(guān)鍵字： UltraScale DDR4

三星/SK海力士/美光加速生產(chǎn)DDR4 出貨將超DDR3

　　三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)與美光(Micron)等存儲(chǔ)器業(yè)者加速生產(chǎn)DDR4DRAM，預(yù)估2016年第1季DDR4的出貨量可超越DDR3，短期內(nèi)DDR4的價(jià)格就會(huì)低于相同容量的DDR3。　　據(jù)ETNews報(bào)導(dǎo)，支持DDR4的第六代IntelCore處理器(Skylake)已經(jīng)為PC制造商正式采用于最新產(chǎn)品上，促使存儲(chǔ)器業(yè)者加快速度轉(zhuǎn)換生產(chǎn)DDR4DRAM。因此2016年第1季的DDR4DRAM出貨量可望超越DDR3。　　日前業(yè)界消息傳出，三星
關(guān)鍵字：三星 DDR4

共80條 3/6 « 1 2 3 4 5 6 »

ddr4介紹

DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細(xì) ]

ddr4資料下載

8Gb 32位 DDR4 SDRAM
UD408G5S1AF 256Mx32 8Gb 32位 DDR4 SDRAM
256Mx32 8Gb DDR4 SDRAM
8Gb 32位 DDR4 SDRAM
解決DDR4測(cè)試的新挑戰(zhàn)
DDR4測(cè)試的挑戰(zhàn)

ddr4專欄文章

過孔STUB長，DDR信號(hào)“強(qiáng)”？

ddr4 文章 進(jìn)入ddr4技術(shù)社區(qū)

ddr4介紹

ddr4相關(guān)帖子

ddr4資料下載

ddr4專欄文章

熱門主題

ddr4 文章進(jìn)入ddr4技術(shù)社區(qū)