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存儲大廠：CXL內(nèi)存將于下半年爆發(fā)？

  • 據(jù)《ZDNet Korea》報道，三星電子存儲部門新業(yè)務(wù)規(guī)劃團隊董事總經(jīng)理Choi Jang-seok近日表示，即將推出的內(nèi)存模塊被指定為CMM-D2.0，將符合CXL2.0協(xié)議。這些模塊將利用使用第二代20-10nm工藝技術(shù)生產(chǎn)的DRAM內(nèi)存顆粒。除了CMM-D模塊，三星還在開發(fā)一系列CXL存儲產(chǎn)品。其中包括集成多個CMM-D模塊的CMM-B內(nèi)存盒模塊，以及將DRAM內(nèi)存與NAND閃存顆粒相結(jié)合的CMM-H混合存儲模塊。Choi Jang-seok強調(diào)，隨著CXL3.1技術(shù)的采用，CXL內(nèi)存資源可以在多
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HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢可期

  • 近期在智慧手機、PC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器上，用于暫時儲存數(shù)據(jù)的DRAM價格漲勢停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報價漲勢。 業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開，對一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應(yīng)，加上產(chǎn)業(yè)旺季來臨，可帶動DRAM重啟漲勢。 據(jù)了解，6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價約2.10美元、容量較小的4GB合約價1.62美元左右，表現(xiàn)持平，主要是供需雙方對價格談判，呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據(jù)傳有望通過輝達（NVIDIA）認證，輝達GB200將于2025年放量，其
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圓滿收官！紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實力

  • 圓滿收官！紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實力2024年7月8日至10日，西安紫光國芯半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱：紫光國芯，證券代碼：874451）精彩亮相慕尼黑上海電子展。紫光國芯聚焦人工智能、高性能計算、汽車電子、工業(yè)控制、消費電子等重點領(lǐng)域，為客戶提供全方面的存儲產(chǎn)品及相關(guān)技術(shù)解決方案。展會現(xiàn)場重點展示了DRAM存儲系列產(chǎn)品、SeDRAM?技術(shù)和CXL技術(shù)、新品牌云彣（UniWhen?）和SSD產(chǎn)品系列。128Mb PSRAM，新一代DRAM KGD產(chǎn)品系列DRAM KGD展區(qū)首次展示了紫
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內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出

  • 制造HBM難，制造3D DRAM更難。
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服務(wù)器支撐下半年需求，預(yù)估DRAM價格第三季漲幅達8-13%

  • 根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，由于通用型服務(wù)器(general server)需求復(fù)蘇，加上DRAM供應(yīng)商HBM生產(chǎn)比重進一步拉高，使供應(yīng)商將延續(xù)漲價態(tài)度，第三季DRAM均價將持續(xù)上揚。DRAM價格漲幅達8~13%，其中Conventional DRAM漲幅為5-10%，較第二季漲幅略有收縮。TrendForce集邦咨詢指出，第二季買方補庫存意愿漸趨保守，供應(yīng)商及買方端的庫存水平未有顯著變化。觀察第三季，智能手機及CSPs仍具補庫存的空間，且將進入生產(chǎn)旺季，因此預(yù)計智能手機
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%

  • 6月25日消息，據(jù)媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
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云端CSPs將擴大邊緣AI發(fā)展，帶動2025年NB DRAM 平均搭載容量增幅至少達7%

  • 全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢觀察，2024年大型云端CSPs，如Microsoft、Google、Meta、AWS等廠商，將仍為采購高階主打訓(xùn)練用AI server的主力客群，以作為LLM及AI建?；A(chǔ)。待2024年CSPs逐步完成建置一定數(shù)量AI訓(xùn)練用server基礎(chǔ)設(shè)施后，2025年將更積極從云端往邊緣AI拓展，包含發(fā)展較為小型LLM模型，以及建置邊緣AI server，促其企業(yè)客戶在制造、金融、醫(yī)療、商務(wù)等各領(lǐng)域應(yīng)用落地。此外，因AI PC或NB在計算機設(shè)備基本架構(gòu)組成與
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HBM供應(yīng)吃緊催生DRAM漲價 美光股價飆漲

  • 內(nèi)存大廠美光預(yù)計6月26日公布季報，自美光的高帶寬內(nèi)存（HBM）開始供貨給輝達后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。 市場分析師預(yù)期，美光經(jīng)營層將大談需求改善、行業(yè)供應(yīng)緊張、價格進一步上揚，以及他們供應(yīng)給輝達和其他AI芯片廠商的HBM，下一世代的發(fā)展，提出對后市正向的看法。由于AI應(yīng)用的需求，人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內(nèi)存市場通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現(xiàn)象，意思是「害怕錯失機會」，在美光
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美光后里廠火災(zāi) 公司聲明營運未受任何影響

  • 中國臺灣美光內(nèi)存后里廠20日下午5點34分發(fā)生火警，火勢快速撲滅，無人傷亡，美光昨深夜發(fā)出聲明指出，臺中廠火警廠區(qū)營運未受任何影響。 臺中市消防局昨日傍晚5時34分獲報，中國臺灣美光位在后里區(qū)三豐路的廠房發(fā)生火災(zāi)，消防局抵達時廠區(qū)人員已將火勢撲滅，無人受傷，原因有待厘清。根據(jù)經(jīng)濟日報報導(dǎo)，美光針對臺中廠火警一事發(fā)出聲明，經(jīng)查證所有員工與承包商安全無虞，且廠區(qū)營運未受任何影響。美光是國際三大DRAM廠商，市占約19.2％，與前兩大三星及SK海力士合計市占達96％。美光高達65％的DRAM產(chǎn)品在中國臺灣生產(chǎn)，
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通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線開工率維持 80~90%

  • IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業(yè)已實現(xiàn)生產(chǎn)正?；?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實現(xiàn) NAND 產(chǎn)線滿負荷運行。報道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規(guī) DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場仍呈現(xiàn)供大于求的局面，是下游傳統(tǒng)服務(wù)器、智能手機和 PC 產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇緩慢導(dǎo)致的
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合約價勁漲護身 DRAM不怕淡季 Q1營收季增

  • 2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)，受到主流產(chǎn)品合約價走揚、且漲幅較2023年第四季擴大，帶動營收較前一季度成長5.1％，達183.5億美元，推動多數(shù)業(yè)者營收呈季增趨勢。TrendForce指出，第一季三大原廠出貨皆季減，反映產(chǎn)業(yè)淡季效應(yīng)，加上下游業(yè)者的庫存水平墊高，采購量明顯衰退。三大原廠延續(xù)著2023年第四季合約價上漲氛圍，再加上庫存仍處于健康水位，漲價意圖強烈。其中，中系手機銷售暢旺，帶動mobile DRAM的價格漲幅領(lǐng)先所有應(yīng)用，而consumer DRAM的原廠庫存仍待去化，拖累價格漲幅居所有應(yīng)用之
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合約價上漲抵消淡季效應(yīng)，推升DRAM第一季營收季增5.1%

  • 根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)主流產(chǎn)品合約價走揚、且漲幅較2023年第四季擴大，帶動營收較前一季度成長5.1%，達183.5億美元，推動多數(shù)業(yè)者營收延續(xù)季增趨勢。出貨表現(xiàn)上，第一季三大原廠皆出現(xiàn)季減，反映產(chǎn)業(yè)淡季效應(yīng)，加上下游業(yè)者的庫存水平已墊高，采購量明顯減弱。平均銷售單價方面，三大原廠延續(xù)著2023年第四季合約價上漲氛圍，再加上庫存仍處于健康水位，故漲價意愿強烈。其中，中系手機銷售暢旺，帶動Mobile DRAM的價格漲幅領(lǐng)先所有應(yīng)用，而Co
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南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)

  • IT之家 5 月 30 日消息，綜合臺媒《工商時報》《經(jīng)濟日報》報道，南亞科技在昨日的年度股東常會上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進入試產(chǎn)階段。南亞科技目前已在進行 1B nm 制程的 DRAM 試產(chǎn)，涵蓋 8/4Gb DDR4 內(nèi)存和 16Gb DDR5 內(nèi)存。南亞科技表示其首批 DDR5 內(nèi)存將在下半年少量試產(chǎn)，明年進一步提升產(chǎn)量。此外南亞科技還在 1B nm 節(jié)點規(guī)劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內(nèi)存、16
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美光計劃投資約300億元在日本新建DRAM廠

  • 據(jù)日媒報道，美光科技計劃投入6000億-8000億日圓（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動工，并安裝極紫外光刻（EUV）設(shè)備。消息稱最快2027年底便可投入營運。報道稱，此前，日本政府已批準多達1920億日圓補貼，支持美光在廣島建廠并生產(chǎn)新一代芯片。去年，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省曾表示，將利用這筆經(jīng)費協(xié)助美光科技生產(chǎn)芯片，這些芯片將是推動生成式AI、數(shù)據(jù)中心和自動駕駛技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。
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HBM火熱效應(yīng) DRAM下半年 可望供不應(yīng)求

  • 三星、SK海力士及美光等國際內(nèi)存巨擘，皆積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）制程，法人表示，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)下，下半年DRAM產(chǎn)品恐供不應(yīng)求，預(yù)期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。據(jù)TrendForce研究，DRAM原廠提高先進制程投片，產(chǎn)能提升將集中今年下半年，預(yù)期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。由于HBM獲利表現(xiàn)佳，加上需求續(xù)增，生產(chǎn)排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進度來看，2024年HBM3e將是市場主流，集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1be
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