cmos finfet 文章進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

FinFET新技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的影響

　　FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。FinFET是對(duì)場(chǎng)效晶體管的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)，變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)，其控制電流通過的閘門被設(shè)計(jì)成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu)，將原來的單側(cè)控制電路接通與斷開變革為兩側(cè)。　　FinFET這樣創(chuàng)新設(shè)計(jì)的意義，在于改善了電路控制并減少漏電流，縮短了晶體管的閘長，對(duì)于制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化、IP與設(shè)計(jì)方法等產(chǎn)生重要影響與變革。FinFET技術(shù)升溫，使得半導(dǎo)體業(yè)戰(zhàn)火重燃，尤其是以Fi
關(guān)鍵字： FinFET 半導(dǎo)體制造

FinFET引爆投資熱　半導(dǎo)體業(yè)啟動(dòng)新一輪競(jìng)賽

　　半導(dǎo)體業(yè)界已發(fā)展出運(yùn)用FinFET的半導(dǎo)體制造技術(shù)，對(duì)制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化、IP與設(shè)計(jì)方法產(chǎn)生極大變化。特別是IDM業(yè)者與晶圓代工廠正競(jìng)相加碼研發(fā)以FinFET生產(chǎn)應(yīng)用處理器的技術(shù)，促使市場(chǎng)競(jìng)爭態(tài)勢(shì)急速升溫。　　過去數(shù)10年來，互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)平面電晶體一直是電子產(chǎn)品的主要建構(gòu)材料，電晶體幾何結(jié)構(gòu)則一代比一代小，因此能開發(fā)出高效能且更便宜的半導(dǎo)體晶片。　　然而，電晶體在空間上的線性微縮已達(dá)極限，電晶體縮小到20奈米(nm)以下，會(huì)降低通道閘極控制效果，造成汲極(Dr
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ASM高級(jí)技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理Mohith Verghese談CMOS面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)

　　高介電常數(shù)(High-k) 金屬閘極應(yīng)用于先進(jìn)互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS) 技術(shù)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)是什么? 　　高介電常數(shù)/金屬閘極(HKMG) 技術(shù)的引進(jìn)是用來解決標(biāo)準(zhǔn)SiO2/SiON 閘極介電質(zhì)縮減所存在的問題。雖然使用高介電常數(shù)介電質(zhì)能夠持續(xù)縮減等效氧化物厚度(EOT)，整合這些材料需對(duì)NMOS及PMOS 元件采用不同的金屬閘極。為了以最低臨界電壓(從而為最低功率)操作元件，NMOS元件必須使用低工作函數(shù)金屬而PMOS 元件則必須使用高工作函數(shù)金屬。即便有許多種金屬可供挑選，但其中僅有少數(shù)具有穩(wěn)定的
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專家聚首談FinFET趨勢(shì)下3D工藝升級(jí)挑戰(zhàn)

　　日前，SeMind舉辦了圓桌論壇，邀請(qǐng)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造的專家齊聚一堂，共同探討未來晶體管、工藝和制造方面的挑戰(zhàn)，專家包括GLOBALFOUNDRIES的高級(jí)技術(shù)架構(gòu)副總裁Kengeri SUBRAMANI ，Soitec公司首席技術(shù)官Carlos Mazure，Intermolecular半導(dǎo)體事業(yè)部高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Raj Jammy以及Lam公司副總裁Girish Dixit。　　SMD ：從你們的角度來看，工藝升級(jí)短期內(nèi)的挑戰(zhàn)是什么? 　　Kengeri ：眼下，我們正在談?wù)摰?8nm到2
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爭搶1xnm代工商機(jī) 晶圓廠決戰(zhàn)FinFET制程

　　鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場(chǎng)。為卡位16/14納米市場(chǎng)商機(jī)，臺(tái)積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù)，并各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，預(yù)計(jì)將于2014～2015年陸續(xù)投入量產(chǎn)，讓晶圓代工市場(chǎng)頓時(shí)硝煙彌漫。　　FinFET制程將成晶圓廠新的角力戰(zhàn)場(chǎng)。為卡位16/14納米市場(chǎng)商機(jī)，并建立10納米發(fā)展優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電、聯(lián)電和格羅方德正傾力投資FinFET技術(shù)，并已將開戰(zhàn)時(shí)刻設(shè)定于2014?2015年;同時(shí)也各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，期抗衡英特爾和三星
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東芝推出移動(dòng)設(shè)備用的CMOS-LDO

東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）已經(jīng)擴(kuò)充了其200mA單輸出CMOS-LDO穩(wěn)壓器陣容。該系列產(chǎn)品專為移動(dòng) ...
關(guān)鍵字：移動(dòng)設(shè)備 CMOS-LDO

高電壓CMOS放大器利用單個(gè)IC實(shí)現(xiàn)高阻抗檢測(cè)

電壓的準(zhǔn)確測(cè)量需要盡量減小至被測(cè)試電路之儀器接線的影響。典型的數(shù)字電壓表 (DVM) 采用 10M 電阻器網(wǎng)絡(luò)以把負(fù)載效應(yīng)保持在不顯眼的水平，即使這會(huì)引起顯著的誤差，尤其是在包含高電阻的較高電壓電路中。
關(guān)鍵字：凌力爾特 LTC6090 CMOS 放大器電阻器

臺(tái)灣第3季IC封測(cè)產(chǎn)值季增4.5％

　　臺(tái)灣第3季IC封測(cè)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值可較第2季成長4.5%。展望第3季臺(tái)灣半導(dǎo)體封裝測(cè)試產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，IEK ITIS計(jì)劃預(yù)估，第3季臺(tái)灣封裝及測(cè)試業(yè)產(chǎn)值分別可達(dá)新臺(tái)幣757億元和336億元，分別較第2季微幅成長4.6%和4.3%。　　IEK ITIS計(jì)劃指出，展望第3季，高階智慧型手機(jī)市場(chǎng)反應(yīng)趨弱，封測(cè)廠蒙上一層陰影;第3季智慧型手機(jī)、平板電腦以及大型數(shù)位電視終端產(chǎn)品需求可能趨緩，汰舊換新動(dòng)能略有轉(zhuǎn)弱，整體電子業(yè)庫存調(diào)整時(shí)間可能拉長。　　展望今年全年IC封裝測(cè)試產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)，IEK ITIS計(jì)劃指出，雖然高階
關(guān)鍵字： IC封測(cè) CMOS

英盛德：FinFET技術(shù)日趨盛行利益前景可觀

　　英格蘭錫爾--(美國商業(yè)資訊)--世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到芯片集成電路設(shè)計(jì)咨詢公司之一的英盛德認(rèn)為，F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為集成電路設(shè)計(jì)商帶來新的挑戰(zhàn)，因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢(shì)中受益。　　工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：“最近，在德州召開的設(shè)計(jì)自動(dòng)化大會(huì)(Design Automation Conference)上，展廳中討論FinFET技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣，我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費(fèi)、電腦和圖形行業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)&md
關(guān)鍵字：集成電路設(shè)計(jì) FinFET

英盛德：FinFET技術(shù)日盛前景可觀

　　根據(jù)美國商業(yè)資訊報(bào)導(dǎo)，世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到晶片積體電路設(shè)計(jì)顧問公司之一的英盛德(Sondrel)認(rèn)為，F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為積體電路設(shè)計(jì)商帶來新的挑戰(zhàn)，因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢(shì)中受惠。　　工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：「最近，在德州召開的設(shè)計(jì)自動(dòng)化大會(huì)(Design Automation Conference)上，展場(chǎng)中討論FinFET技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣，我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費(fèi)、電腦和圖形產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)&mdash
關(guān)鍵字： Sondrel FinFET

CMOS圖像傳感器的發(fā)展走向

　　CMOS圖像傳感器能夠快速發(fā)展，一是基于XMOS技術(shù)的成熟，二是得益于固體圖像傳感器技術(shù)的研究成果。進(jìn)入20世紀(jì)90年代，關(guān)于CMOS圖像傳感器的研究工作開始活躍起來。蘇格蘭愛丁堡大學(xué)和瑞典Linkoping大學(xué)的研究人員分別進(jìn)行了低成本的單芯片成像系統(tǒng)開發(fā)，美國噴氣推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室研究開發(fā)了高性能成像系統(tǒng)，其目標(biāo)是滿足NASA對(duì)高度小型化、低功耗成像系統(tǒng)的需要。他們?cè)贑MOS圖像傳感器研究方面取得了令人滿意的結(jié)果，并推動(dòng)了CMOS圖像傳感器的快速發(fā)展。　　當(dāng)前研究開發(fā)CMOS圖像傳感器的機(jī)構(gòu)很多，其中
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晶圓廠的FinFET混搭制程競(jìng)賽

　　一線晶圓廠正紛紛以混搭20納米制程的方式，加速14或16納米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14納米FinFET前段閘極結(jié)合20納米后段金屬導(dǎo)線制程的方式達(dá) 成試量產(chǎn)目標(biāo);而臺(tái)積電為提早至2015年跨入16納米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術(shù)，足見此設(shè)計(jì)方式已成為晶圓廠進(jìn)入 FinFET世代的共通策略。　　聯(lián)華電子市場(chǎng)行銷處處長黃克勤提到，各家廠商在16/
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CMOS面陣圖像傳感器之高動(dòng)態(tài)光照渲染技術(shù)

高動(dòng)態(tài)范圍(HDR)高動(dòng)態(tài)范圍(HDR)成像的一個(gè)特色，是可用來拍攝最亮和最暗區(qū)域之間具有寬對(duì)比度的圖像。通過擴(kuò)展動(dòng)態(tài)范圍，它有助于使此類圖像看起來更為自然。東芝公司的圖像傳感器已開發(fā)了HDR功能，可以糾正對(duì)比度高
關(guān)鍵字：渲染技術(shù) 光照動(dòng)態(tài) 圖像傳感器 CMOS

縮短開發(fā)時(shí)程晶圓廠競(jìng)逐FinFET混搭制程

　　一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后段金屬導(dǎo)線制程的方式達(dá)成試量產(chǎn)目標(biāo);而臺(tái)積電為提早至2015年跨入16奈米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術(shù)，足見此設(shè)計(jì)方式已成為晶圓廠進(jìn)入FinFET世代的共通策略。　　聯(lián)華電子市場(chǎng)行銷處處長黃克勤提到，各家廠商在16/14奈
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Avago于28nm CMOS工藝達(dá)成32Gbps的SerDes性能

Avago Technologies (Nasdaq: AVGO)為有線、無線和工業(yè)應(yīng)用模擬接口零組件領(lǐng)先供應(yīng)商宣布其28nm串行/解串器(SerDes)核心已經(jīng)達(dá)到32Gbps的性能，并且可以承受高達(dá)40dB的通道損耗，這個(gè)最新的SerDes核心不僅僅重新定義了芯片到芯片、連接端口和背板等接口可達(dá)到的數(shù)據(jù)率，并且反映了Avago為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)應(yīng)用提供領(lǐng)先解決方案的持續(xù)承諾。
關(guān)鍵字： Avago CMOS SerDes