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cmos finfet 文章 最新資訊

CMOS圖像傳感器基本原理與應(yīng)用簡(jiǎn)介

  • 摘要：本文介紹了CMOS圖像傳感器器件的原理、性能、優(yōu)點(diǎn)、問(wèn)題及應(yīng)對(duì)措施，以及CMOS圖像傳感器的市場(chǎng)狀況和一些...
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嵌入式CMOS成像器用于全息數(shù)據(jù)檢索

  • 過(guò)去，由于缺乏低成本系統(tǒng)部件，或因全息多路技術(shù)過(guò)于復(fù)雜以及找不到合適的記錄材料，使全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品的開(kāi)...
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IDT推出首款高性能四頻MEMS振蕩器

  • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)日前推出業(yè)界首款具備多同步輸出的高性能四頻MEMS振蕩器。IDT的最新振蕩器提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)兼容封裝尺寸內(nèi)的可配置輸出，從而節(jié)省通信、網(wǎng)絡(luò)、存儲(chǔ)、工業(yè)和FPGA等應(yīng)用中的電路板面積和物料清單 (BOM) 成本。
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從頭到尾構(gòu)建混合信號(hào)高集成度系統(tǒng)(SOC)的步驟(5)：電路仿真

聯(lián)發(fā)科技與OmniVision攜手推出手機(jī)參考設(shè)計(jì)

  • 全球無(wú)線通訊及數(shù)字多媒體IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商聯(lián)發(fā)科技股份有限公司 (MediaTek, Inc.) ，日前宣布與CMOS影像傳感器領(lǐng)先品牌美國(guó)豪威科技股份有限公司(OmniVision Technologies, Inc.)合作，于其最新雙核及四核智能手機(jī)解決方案打造帶有畫中畫、影中影 (Video-in-Video ; ViV?) 相機(jī)功能的手機(jī)參考設(shè)計(jì)。
  • 關(guān)鍵字： 聯(lián)發(fā)  豪威  智能手機(jī)  CMOS  

最新一代CMOS和CCD圖像傳感器

  • 　最新一代CMOS和CCD圖像傳感器具有更大的頻譜寬度、更高的靈敏度、更低的工作噪聲和更小的外形尺寸。更先進(jìn)的制造工藝還實(shí)現(xiàn)了更低的成本。此外，創(chuàng)新架構(gòu)也正在給電路設(shè)計(jì)帶來(lái)更大的靈活性和通用性。　　其結(jié)果是，
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正確使用MOS集成電路的注意事項(xiàng)

  • 所有MOS集成電路（包括P溝道MOS，N溝道MOS，互補(bǔ)MOS—CMOS集成電路）都有一層絕緣柵，以防止電壓...
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基于CPLD的服務(wù)機(jī)器人視覺(jué)系統(tǒng)軟硬件設(shè)計(jì)

  • 　　隨著計(jì)算機(jī)科學(xué)和自動(dòng)控制技術(shù)的發(fā)展，越來(lái)越多的不同種類的智能機(jī)器人出現(xiàn)在工廠、生活當(dāng)中，機(jī)器人視覺(jué)系 ...
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三星與Synopsys合作實(shí)現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片

  • 　　亮點(diǎn)： 　　該里程碑有助于加速對(duì)FinFET技術(shù)的采用，以實(shí)現(xiàn)更快和更高能效的系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC) 　　該合作為3D器件建模和物理設(shè)計(jì)規(guī)則支持奠定了基礎(chǔ) 　　測(cè)試芯片驗(yàn)證了FinFET工藝和Synopsys® DesignWare®嵌入式存儲(chǔ)器的成功采用 　　為芯片和電子系統(tǒng)加速創(chuàng)新提供軟件、知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)及服務(wù)的全球性領(lǐng)先供應(yīng)商新思科技公司(Synopsys, Inc.， 納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼：SNPS)日前宣布：該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)關(guān)鍵
  • 關(guān)鍵字： Synopsys  FinFET  

羅姆高頻元器件和模塊技術(shù)系列一

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  RF-CMOS  HEMS  特定小功率無(wú)線模塊  

三星領(lǐng)先臺(tái)積 14納米進(jìn)化

  • 　　三星21日宣布成功試產(chǎn)第1顆導(dǎo)入3D 鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)的14納米測(cè)試芯片，進(jìn)度領(lǐng)先臺(tái)積電，顯示在蘋果「去三星化」趨勢(shì)已定下，三星力拚臺(tái)積電的野心只增不減。 　　韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星與安謀(ARM)、益華(Cadence)、明導(dǎo)(Mentor)與新思(Synopsis)共同合作，成功試產(chǎn)出旗下第1顆采用FinFET技術(shù)的14納米測(cè)試芯片。 　　三星系統(tǒng)芯片部門主管表示，14納米FinFET制程技術(shù)可提升電子裝置效能并降低耗電量，進(jìn)一步改善行動(dòng)環(huán)境，這也是IBM之后，第2家搭載安謀處理器架構(gòu)
  • 關(guān)鍵字： 三星  FinFET  14納米  

中芯國(guó)際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

  • 　　中芯國(guó)際宣布在背照式CMOS成像傳感技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，首款背照式CMOS成像傳感測(cè)試芯片一次流片即獲得成功，在低照度下同樣獲得高質(zhì)量的清晰圖像。這標(biāo)志著中芯國(guó)際自主開(kāi)發(fā)的背照式CMOS成像傳感芯片全套晶圓工藝核心技術(shù)接近成熟，步入產(chǎn)業(yè)化階段，更好地滿足高端智能移動(dòng)終端的需要。該技術(shù)將于2013年與客戶伙伴進(jìn)行試產(chǎn)。 　　背照式CMOS成像傳感芯片工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)的成功，有助于中芯國(guó)際進(jìn)一步拓展晶圓代工業(yè)務(wù)，支持國(guó)內(nèi)外客戶500萬(wàn)像素以上高分辨率智能手機(jī)用圖像傳感芯片、以及高性能視頻影像傳感芯片
  • 關(guān)鍵字： 中芯國(guó)際  傳感芯片  CMOS  

中芯國(guó)際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

  • 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司("中芯國(guó)際"，紐約證交所代碼：SMI，香港聯(lián)交所代碼：981)，中國(guó)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路代工廠，日前宣布在背照式 CMOS 成像傳感技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，首款背照式 CMOS 成像傳感測(cè)試芯片一次流片即獲得成功，在低照度下同樣獲得高質(zhì)量的清晰圖像。
  • 關(guān)鍵字： 中芯國(guó)際  CMOS  

一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的低功耗振蕩器電路設(shè)計(jì)

  • 摘要：給出了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的低功耗振蕩器電路的設(shè)計(jì)方法，該電路由RC充放電回路、偏置電路組成。與傳統(tǒng)振蕩器電路相比，該電路具有精度高、電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單以及輸出占空比可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)。采用0．35 mu;m BCD工藝并利用Cad
  • 關(guān)鍵字： 振蕩器電路  低功耗  RC振蕩器  CMOS  

低功耗LNA設(shè)計(jì)

  • 摘要：為了應(yīng)對(duì)低功耗電路設(shè)計(jì)要求，提出了一個(gè)在低功耗要求下CMOS低噪聲放大器的設(shè)計(jì)方法。使用該方法在0.18μm CMOS集成工藝下，設(shè)計(jì)一款低噪聲放大器，并在ADS中進(jìn)行前仿真。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  放大器  LNA  201212  
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