首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos finfet

CMOS成像技術(shù)讓照相功能大顯身手

  • 互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)成像技術(shù)已經(jīng)成為眾多新興攝像頭應(yīng)用的首選。數(shù)字成像隨著1969年電荷耦合器件...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  成像技術(shù)  照相功能  

CMOS數(shù)字隔離器為智能電表中的應(yīng)用

  • 未來幾年由于消費(fèi)者對(duì)傳統(tǒng)機(jī)電式電表的更新?lián)Q代，智能電表市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以每年兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測(cè)量并報(bào)告消耗的電量，智能電表比機(jī)電式電表復(fù)雜，但更加注重測(cè)量數(shù)據(jù)的完
  • 關(guān)鍵字： CMOS  數(shù)字隔離器  智能電表  中的應(yīng)用    

CMOS單片集成電路MT8816AE各種相關(guān)知識(shí)解析方案

  • 1、引言小型會(huì)議系統(tǒng)或語音群聊系統(tǒng)是由多路音頻電路組成的.為了使通話井然有序,需要通過音頻交換電路來控制各路音頻信號(hào)的輸出。音頻交換電路主要用于完成語音信號(hào)的切換。以實(shí)現(xiàn)同頻終端的話音通信。經(jīng)對(duì)可靠性、經(jīng)
  • 關(guān)鍵字： 知識(shí)  解析  方案  相關(guān)  各種  單片  集成電路  MT8816AE  CMOS  

基于CMOS多功能數(shù)字芯片的ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì)

  • 摘要 基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝設(shè)計(jì)了一種ESD保護(hù)電路。整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M的0 6mu;m CMOS 工藝的工藝庫(06mixddct02 x24)仿真，基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝完成版圖設(shè)計(jì)，并在一款多功能故
  • 關(guān)鍵字： ESD  保護(hù)  電路設(shè)計(jì)  芯片  數(shù)字  CMOS  多功能  基于  

一種帶有增益提高技術(shù)的高速CMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

  • 摘要：設(shè)計(jì)了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運(yùn)算放大器。主運(yùn)放采用帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)，利用增益提高和三支路電流基準(zhǔn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)一個(gè)可用于12～14bit精度，100MS／s采樣頻率的高速流
  • 關(guān)鍵字： CMOS  增益提高  運(yùn)算  放大器設(shè)計(jì)    

CCD傳感器與CMOS傳感器區(qū)別在哪里

  • CMOS針對(duì)CCD最主要的優(yōu)勢(shì)就是非常省電，不像由二極管組成的CCD，CMOS 電路幾乎沒有靜態(tài)電量消耗，只有在電路接通時(shí)才有電量的消耗。這就使得CMOS的耗電量只有普通CCD的1/3左右，這有助于改善人們心目中數(shù)碼相機(jī)是ld
  • 關(guān)鍵字： 傳感器  哪里  區(qū)別  CMOS  CCD  

CMOS攝像機(jī),什么是CMOS攝像機(jī)

  • CMOS傳感器的感光度一般在6到15Lux的范圍內(nèi)，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個(gè)圖案，因?yàn)镃MOS傳感器在10Lux以下基本沒用，因此大量應(yīng)用的所有攝像機(jī)都是用了
  • 關(guān)鍵字： CMOS  攝像機(jī)  什么  

CMOS傳感器/SDDS,什么是CMOS傳感器/SDDS

  • CMOS傳感器CMOS傳感器是一種通常比CCD傳感器低10倍感光度的傳感器。光度一般在6到15Lux的范圍內(nèi)，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個(gè)圖案，因?yàn)镃MOS傳感器在10
  • 關(guān)鍵字： /SDDS  傳感器  CMOS  什么  

利用CMOS功率放大器優(yōu)化單芯片手機(jī)方案

  • 每年生產(chǎn)10多億部手機(jī)的手機(jī)市場(chǎng)已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中競(jìng)爭(zhēng)最激烈的領(lǐng)域。一直有這種說法：諸如砷化鎵（GaAs）、橫向 ...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  功率放大器  單芯片手機(jī)  

AMD明年啟用28nm CMOS工藝

  • 　　AMD公司高級(jí)副總裁兼首席技術(shù)官M(fèi)ark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生產(chǎn)工藝將有重大變化，將完全從現(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改變。目前南方群島系列GPU，已經(jīng)采用臺(tái)積電28nm工藝，而AMD秋季即將推出的海島系列GPU將繼續(xù)采用相同工藝，海島系列GPU已經(jīng)進(jìn)入樣品試生產(chǎn)階段，在2012年年底開始生批量生產(chǎn)，在2013年第一季度正式發(fā)布。 　　在評(píng)論異構(gòu)系統(tǒng)架構(gòu)(HSA)聯(lián)盟，是否用來應(yīng)對(duì)英特爾和NVIDI
  • 關(guān)鍵字： ARM  CMOS  

CMOS器件抗靜電措施的研究

  • 摘要：由于CMOS器件靜電損傷90％是延遲失效，對(duì)整機(jī)應(yīng)用的可靠性影響太大，因而有必要對(duì)CMOS器件進(jìn)行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機(jī)理，從而對(duì)設(shè)計(jì)人員提出了幾種在線路設(shè)計(jì)中如何抗靜電，以保護(hù)CMOS
  • 關(guān)鍵字： 研究  措施  抗靜電  器件  CMOS  

CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)

  • 摘要：為了提高數(shù)字集成電路芯片的驅(qū)動(dòng)能力，采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法，通過Hspice軟件仿真和版圖設(shè)計(jì)測(cè)試，提出了一種基于CSMC 2P2M 0．6mu;m CMOS工藝的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理
  • 關(guān)鍵字： 輸出  緩沖  電路設(shè)計(jì)  芯片  數(shù)字  工藝  多功能  CMOS  

一種新型高速CMOS全差分運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

  • 摘要：設(shè)計(jì)了一種基于流水線模／數(shù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應(yīng)用的低壓高速CMOS全差分運(yùn)算放大器。該運(yùn)放采用了折疊式共源共柵放大結(jié)構(gòu)與一種新型連續(xù)時(shí)間共模反饋電路相結(jié)合以達(dá)到高速度及較好的穩(wěn)定性。設(shè)計(jì)基于SMIC 0．25mu;m CM
  • 關(guān)鍵字： CMOS  全差分  放大器設(shè)計(jì)  運(yùn)算    

聯(lián)電與星國(guó)微電子開發(fā)TSV技術(shù)

  • 　　聯(lián)華電子與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院今天宣布，將合作進(jìn)行應(yīng)用在背面照度式CMOS影像感測(cè)器的TSV技術(shù)開發(fā)，透過這項(xiàng)技術(shù)，包括智慧手機(jī)、數(shù)位相機(jī)與個(gè)人平板電腦等行動(dòng)電子產(chǎn)品，里面所采用的數(shù)百萬像素影像感測(cè)器，都可大幅提升產(chǎn)品效能、降低成本、體積減少。 　　聯(lián)電指出，市場(chǎng)上對(duì)于持續(xù)縮小像素，又能兼顧效能的需求，日益增強(qiáng)，帶動(dòng)CMOS影像感測(cè)技術(shù)興起，而背面照度式技術(shù)則普遍被視為能夠讓微縮到微米級(jí)大小的像素，仍保有優(yōu)異效能的解決方案。 　　聯(lián)電指出，這次專案目標(biāo)，希望提影像感測(cè)器靈敏度，支援更
  • 關(guān)鍵字： 聯(lián)華  CMOS  微電子  

IMEC探討10nm以下制程變異

  • 　　在可預(yù)見的未來，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當(dāng)我們邁入10nm節(jié)點(diǎn)后，控制制程復(fù)雜性和變異，將成為能否驅(qū)動(dòng)技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時(shí)舉行的IMEC Technology Forum上表示。 　　明天的智慧系統(tǒng)將會(huì)需要更多的運(yùn)算能力和儲(chǔ)存容量，這些都遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動(dòng)了我們對(duì)晶片微縮技術(shù)的需求。 　　在演講中，Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續(xù)推動(dòng)晶片微縮。在10nm之后，或許還
  • 關(guān)鍵字： IMEC  CMOS  10nm    
共1073條 42/72 |‹ « 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 » ›|

cmos finfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條cmos finfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)cmos finfet的理解，并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473