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EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos finfet

“寬動態(tài)”未來或成視頻監(jiān)控攝像機標配

  • 寬動態(tài)攝像機作為攝像機一個非常重要的分支，在明暗反差太大、光線來源單一的場合，發(fā)揮了重要的作用。寬動...
  • 關鍵字： 寬動態(tài)攝像機  CCD+DSP  CMOS+DPS  

CMOS振蕩器設計

  • 1 引言　　　集成電路是采用半導體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。 一個典型的數(shù)字鎖相環(huán)結構如圖1 所示
  • 關鍵字： 設計  振蕩器  CMOS  

標準有助于規(guī)范納米行業(yè)的秩序

  • 制定行業(yè)公認的標準是研究納米技術必不可少的先期工作        就像1849年出現(xiàn)的加利福尼亞淘金熱一樣，納米技術的出現(xiàn)也帶來了巨大機遇和極大風險。正如在淘金熱時代出現(xiàn)了很多新技術、利益和挑戰(zhàn)一樣，人們對納米技術的探索也將不可避免地促使人們開發(fā)一些新工具突破納米關鍵技術，抓住創(chuàng)造巨大財 富的機遇，但是也存在給環(huán)境、健康和安全帶來災難性影響的可能性。盡管納米技術將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術，催生很多新的研究領域，但是也可能對那些不了解
  • 關鍵字： 納米  CMOS  

高k柵介質中電荷俘獲行為的脈沖特征分析

  •        本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術對俘獲電荷進行定量分析的局限性。接下來，本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術，能夠對具有快速瞬態(tài)充電效應（FTCE）的高k柵晶體管的本征（無俘獲）性能進行特征分析。 先進CMOS器件高k柵技術的進展        近年來，高介電常數(shù)（高k）材料，例如鉿氧化物（HfO2）、鋯氧化物（ZrO2）、氧化鋁（Al2O3）以及
  • 關鍵字： 脈沖  CMOS  

SuVolta全新CMOS平臺有效降低集成電路功耗

  • 　　SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺。該平臺可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗，同時保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布，富士通已獲得授權使用SuVolta創(chuàng)新型PowerShrink?低功耗技術。 　　
  • 關鍵字： SuVolta  CMOS  

安森美半導體擴充產品陣容推出緊湊150 mA器件

  • ?????? 6月9日，應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美(ON Semiconductor)半導體推出五款超小封裝的低壓降(LDO) 線性穩(wěn)壓器，強化用于智能手機及其他便攜電子應用的現(xiàn)有產品陣容。這些新器件基于互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術，均能提供150毫安(mA)的輸出電流。 　　NCP4682和NCP4685超低電流穩(wěn)壓器的供電電流僅為典型值1微安(μA)，輸出電壓范圍為1.2伏(V)至3.3 V。
  • 關鍵字： 安森美  CMOS  NCP4682  

PowerShrink平面CMOS平臺有效降低IC功耗

  • SuVoltaPowerShrink低功耗平臺支持電壓調節(jié)降低功耗50%以上并能保持IC性能.
  • 關鍵字： SuVolta  CMOS  PowerShrink  

0.18 μm CMOS帶隙基準電壓源的設計

  • 基準電壓源可廣泛應用于A/D、D/A轉換器、隨機動態(tài)存儲器、閃存以及系統(tǒng)集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設計了具有高穩(wěn)定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準電壓源。
  • 關鍵字： 設計  電壓  基準  CMOS  0.18  

英特爾Finfet晶體管架構未到瓜熟蒂落時

  • 　　自從Intel正式對外公布22nm制程節(jié)點將啟用Finfet垂直型晶體管結構，吸引了眾人的注意之后，臺積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場在未來一段時間內(至少到下一個節(jié)點制程時)仍將采用傳統(tǒng)基于平面型晶體管結構的技術。他們給出的理由是，Intel手上只有少數(shù)幾套芯片產品，因此Intel方面要實現(xiàn)到Finfet的晶體管架構升遷時，在芯片設計與制造方面需要作出的改動相對較小，而芯片代工商則情況 完全不同。
  • 關鍵字： 臺積電  Finfet  

一種恒跨導CMOS運算放大器的設計

  • 摘要：設計了一種寬帶軌對軌運算放大器，此運算放大器在3．3 V單電源下供電，采用電流鏡和尾電流開關控制來實現(xiàn)輸入級總跨導的恒定。為了能夠處理寬的電平范圍和得到足夠的放大倍數(shù)，采用用折疊式共源共柵結構作為前
  • 關鍵字： CMOS  運算放大器    

雙眼勝過單目：大陸集團新推立體攝像機

  • 日前，大陸集團表示將推出新款立體攝像機（StereoCamera），作為其ContiGuard?安全系統(tǒng)元件之一，用于汽車前向...
  • 關鍵字： 大陸集團  立體攝像機  CMOS  CCD傳感器  

低功率CMOS無線射頻芯片設計要點

  • 無線通訊市場的趨勢一直朝向低成本、低消耗功率、小體積等目標。短距離裝置產品(Short-RangeDevices)...
  • 關鍵字： 低功率  CMOS  無線射頻芯片  Zigbee  

應用于頻率合成器的寬分頻比CMOS可編程分頻器設計

  • 提出一種應用于射頻頻率合成器的寬分頻比可編程分頻器設計。該分頻器采用脈沖吞吐結構，可編程計數(shù)器和吞脈沖計數(shù)器都采用改進的CMOS源極耦合(SCL)邏輯結構的模擬電路實現(xiàn)，相對于采用數(shù)字電路實現(xiàn)降低了電路的噪聲和減少了版圖面積。同時，對可編程分頻器中的檢測和置數(shù)邏輯做了改進，提高分頻器的工作頻率及穩(wěn)定性。最后，采用TSMC的0．13／μm CMOS工藝，利用Cadence Spectre工具進行仿真，在4．5 GHz頻率下，該分頻器可實現(xiàn)200～515的分頻比，整個功耗不超過19 mW，版圖面積為106 μ
  • 關鍵字： 可編程  設計  CMOS  合成器  頻率  應用  

基于CMOS圖像傳感器OV7720的網(wǎng)絡攝像機設計

  • 以網(wǎng)絡攝像機為應用背景，闡述了數(shù)字CMOS圖像傳感器OV7720芯片的參數(shù)、接口和通信協(xié)議，結合網(wǎng)絡攝像機的開發(fā)環(huán)境，詳細介紹了芯片與嵌入式CPU的硬件電路和軟件結構。系統(tǒng)以嵌入式Linux作為操作系統(tǒng)，相機芯片OV7720，OV529對數(shù)字視頻進行采集、壓縮編碼并生成MPEG-4碼流。MPEG-4碼流經過AT91SAM7X256控制器外掛的網(wǎng)絡芯片被輸送到PC機。PC機端通過內嵌MPEG-4解壓插件的IE瀏覽器實時瀏覽視頻和控制網(wǎng)絡攝像機的狀態(tài)。
  • 關鍵字： 網(wǎng)絡  攝像機  設計  OV7720  傳感器  CMOS  圖像  基于  

一種基于PWM的CMOS誤差放大器的設計

  • 摘要：為解決PWM控制器中輸出電壓與基準電壓的誤差放大問題，設計了一款高增益、寬帶寬、靜態(tài)電流小的新型誤差放大器，通過在二級放大器中間增加一級緩沖電路，克服補償電容的前饋效應，同時消除補償電容引入的零點。
  • 關鍵字： CMOS  PWM  誤差放大器    
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