cmos finfet 文章進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

中國MEMS傳感器市場(chǎng)分析

　　傳感技術(shù)是獲取信息的技術(shù)，是信息技術(shù)的基石。通過傳感技術(shù)如信息識(shí)別、信息提取、信息監(jiān)測(cè)等來取得信息，然后通過通信技術(shù)來實(shí)現(xiàn)信息的快速、可靠、安全的轉(zhuǎn)移即傳遞信息，進(jìn)而通過計(jì)算機(jī)技術(shù)來對(duì)信息進(jìn)行編碼、壓縮、加密、存儲(chǔ)等處理，最后通過控制技術(shù)來利用所獲得的信息。　　信息技術(shù)的發(fā)展對(duì)MEMS傳感技術(shù)提出更高的要求，也指引未來發(fā)展的方向：1.向高精度發(fā)展例如精確制導(dǎo);2.向高可靠性、寬溫度范圍發(fā)展;3.向微型化發(fā)展，如各種便攜設(shè)備應(yīng)用;4.向微功耗及無源化發(fā)展;5.向網(wǎng)絡(luò)化發(fā)展，與無線技術(shù)結(jié)合;6.向智能
關(guān)鍵字：博世 MEMS CMOS

基于協(xié)處理器和CMOS傳感器的數(shù)碼相機(jī)方案

什么是CMOS數(shù)碼相機(jī)?對(duì)于最終用戶而言，采用CMOS技術(shù)的數(shù)碼相機(jī)與傳統(tǒng)相機(jī)沒有太大不同。大多數(shù)拍照操作方法以及在取景器內(nèi)給被拍對(duì)象安排正確位置的方法都完全相同。那么不同之處在哪里?傳統(tǒng)相機(jī)需要使用一個(gè)35毫米
關(guān)鍵字：數(shù)碼相機(jī) 方案傳感器 CMOS 處理器基于

Cortex-A50的希望：14nm ARM成功流片

　　電子設(shè)計(jì)企業(yè)Cadence Design Systems, Inc.今天宣布，借助IBM FinFET晶體管技術(shù)，已經(jīng)成功流片了14nm工藝的ARM Cortex-M0處理器試驗(yàn)芯片。　　 ? 　　Cadence、ARM、IBM三者之間已經(jīng)達(dá)成了多年的合作協(xié)議　　Cadence、ARM、IBM三者之間已經(jīng)達(dá)成了多年的合作協(xié)議，共同開發(fā)14nm以及更先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，14nm芯片和生態(tài)系統(tǒng)就是三方合作的一個(gè)重要里程碑。　　這次的試驗(yàn)芯片主要是用來對(duì)14nm工藝設(shè)計(jì)IP的
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基于MC34152和CMOS的軟開關(guān)變換器驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

在高頻PWM開關(guān)變換器中，為保證功率MOSFET在高頻、高壓、大電流下工作，要設(shè)計(jì)可靠的柵極驅(qū)動(dòng)電路。一個(gè)性能良 ...
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高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)

引言　　模擬電路中廣泛地包含電壓基準(zhǔn)(reference voltage)和電流基準(zhǔn)(current reference)。在數(shù)/模轉(zhuǎn)換器 ...
關(guān)鍵字：高精度 CMOS 帶隙基準(zhǔn)源

意法與奧迪攜手共同推進(jìn)汽車半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新

全球知名汽車廠商奧迪(Audi)與橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布建立戰(zhàn)略合作關(guān)系，共同開發(fā)先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案，推進(jìn)汽車電子技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展。意法半導(dǎo)體自1987年成立以來始終專注于汽車電子技術(shù)的研發(fā)和創(chuàng)新。
關(guān)鍵字：意法奧迪 CMOS

基于CMOS振蕩器技術(shù)的硅頻率控制

摘要：高精度、低噪聲和低功耗的無晶體固態(tài)振蕩器技術(shù)讓頻率控制器件可以通過常見的 CMOS 技術(shù)被移植到最低成本的架構(gòu)中。盡管其固有的 Q LC tank 較低，但創(chuàng)新的設(shè)計(jì)達(dá)到了與業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)晶體或MEMS振蕩器相媲美的性能。該白皮書詳細(xì)地描述了創(chuàng)新的技術(shù)打破石英占領(lǐng)多年市場(chǎng)的局面。
關(guān)鍵字： CMOS 振蕩器 201210

MAX1471 低功耗、CMOS、超外差、RF雙通道接收器

MAX1471是一款低功耗、CMOS、超外差、RF雙通道接收器，用于接收幅移鍵控(ASK)與頻移鍵控(FSK)數(shù)據(jù)，而不需要重 ...
關(guān)鍵字： MAX1471 低功耗 CMOS 超外差 RF雙通道

CMOS集成電路瞬態(tài)電流片外電流傳感器電路

隨著芯片特征尺寸的縮小和電路復(fù)雜程度的增加，有阻開路和有阻橋接缺陷的數(shù)目也在增加。同時(shí)，隨著器件密度、復(fù)雜性和時(shí)鐘速度的增加，邏輯測(cè)試技術(shù)已不能提供足夠的故障覆蓋率。為了彌補(bǔ)傳統(tǒng)測(cè)試方法的不足，基于靜
關(guān)鍵字：電流電路傳感器 CMOS 集成電路

一種新穎啟動(dòng)方式的CMOS低功耗電流源

1引言電流源是模擬、數(shù)字集成電路中重要的單元[1][2]。電流源的性能直接影響電路及系統(tǒng)的性能。...
關(guān)鍵字： CMOS 低功耗電流源

高線性度CMOS調(diào)幅電路技術(shù)介紹

引言本文采用plusmn;5V電源，設(shè)計(jì)出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號(hào)與控制電壓成高線性度的電路，并且實(shí)現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動(dòng)增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運(yùn)算等方面有著很好的
關(guān)鍵字： CMOS 高線性度調(diào)幅電路技術(shù)

富士通半導(dǎo)體展示超高速短距離數(shù)據(jù)傳輸

富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布，富士通半導(dǎo)體歐洲(FSEU)已經(jīng)證明可以通過CEI-28G-VSR接口進(jìn)行單信道大于100Gbps的數(shù)據(jù)傳輸，從而將光互聯(lián)論壇(OIF)定義的芯片間電接口數(shù)據(jù)傳輸速率提高到4倍。這項(xiàng)研究成果驗(yàn)證了在利用為長距離光傳輸系統(tǒng)所開發(fā)的CMOS ADC/DAC轉(zhuǎn)換器技術(shù)后，短距離電信號(hào)傳輸所能達(dá)到的數(shù)據(jù)速率。
關(guān)鍵字：富士通 CMOS ADC/DAC

用CMOS集成電路制作一個(gè)感應(yīng)驗(yàn)電器

利用CMOS集成電路具有極高的輸入阻抗這一特點(diǎn)，可以自制一個(gè)感應(yīng)式驗(yàn)電器?！　　　、電路原 ...
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路感應(yīng) 驗(yàn)電器

臺(tái)積電擬攜ARM V8進(jìn)軍16nm FinFET

　　臺(tái)積電在本周二(10月16日)的年度大會(huì)中，宣布制訂了20nm平面、16nm FinFET和2.5D發(fā)展藍(lán)圖。臺(tái)積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測(cè)試16nm FinFET制程，并可望在未來一年內(nèi)推出首款測(cè)試晶片。　　臺(tái)積電與其合作伙伴們表示，用于20nm和16nm FinFET的雙重圖形技術(shù)對(duì)晶片設(shè)計(jì)人員帶來了極大挑戰(zhàn)。臺(tái)積電的發(fā)展藍(lán)圖大致與競(jìng)爭對(duì)手Globalfoundries 類似，都希望能在明年啟動(dòng)20nm制程，2014開始14nm FinFET制程。　　臺(tái)積電的目標(biāo)提前在
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GLOBALFOUNDRIES: 14nm準(zhǔn)備好了嗎?

　　日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構(gòu)的14nm-XM技術(shù)，其全球銷售和市場(chǎng)營銷執(zhí)行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問，對(duì)有關(guān)問題進(jìn)行了解讀。　　XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫，作為業(yè)界領(lǐng)先的非平面結(jié)構(gòu)，它真正為移動(dòng)系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)設(shè)計(jì)做了優(yōu)化，能提供從晶體管到系統(tǒng)級(jí)的全方位產(chǎn)品解決方案。與目前20納米節(jié)點(diǎn)的二維平面晶體管相比，該技術(shù)可望實(shí)現(xiàn)電池功耗效率提升 40%~60%。　　Noonen表示：“201
關(guān)鍵字： FinFET 14nm