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高速數(shù)據(jù)中心蓬勃發(fā)展，DRAM內存接口功不可沒

  • 高性能人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心正在以前所未有的方式重塑半導體設計版圖和投資方向。早在2022年，AI基礎設施方面的支出規(guī)模就已接近150億美元。而今年這一數(shù)字可能輕松突破600億美元大關。沒錯，“吸金”，各種資金正從各種投資計劃中向數(shù)據(jù)中心涌入。顯然，我們正處在一個人工智能資本支出空前高漲的時代——盡管DeepSeek等新入局者的潛在影響尚難以被準確估量。但不可否認的是，就在英偉達（Nvidia）、AMD等公司的高性能計算（HPC）處理器成為行業(yè)焦點的同時，用于存儲訓練和推理模型的高帶寬內存同樣迎來了屬于
  • 關鍵字： 數(shù)據(jù)中心  DRAM  

SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度營收第一：HBM市占率高達70%

  • 4月9日消息，根據(jù)Counterpoint Research的2025年第一季度內存追蹤報告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營收的領導者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營收市占率達到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠商合計占據(jù)剩余的5%。SK海力士預期，營收與市占率的增長至少會持續(xù)到下一季度，其還表示，公司在關鍵的HBM市場占有率高達70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
  • 關鍵字： SK海力士  三星  DRAM  

美光、SK海力士跟隨中！三星對內存、閃存產品提價3-5%：客戶已開始談判新合同

  • 4月7日消息，據(jù)國外媒體報道稱，三星公司領導層將對主要全球客戶提高內存芯片價格——從當前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導致DRAM、NAND閃存和HBM產品組合的價格上漲，預計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導體業(yè)內人士表示：去年全年供應過剩，但隨著主要公司開始減產，供應量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設備在中國接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場研究機構DRAMeXchange給出的統(tǒng)計顯示，
  • 關鍵字： 內存  DRAM  NAND  HBM  三星  美光  SK海力士  

下游客戶庫存去化順利，預計2Q25 DRAM價格跌幅將收斂

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應國際形勢變化，此舉有助供應鏈中DRAM的庫存去化。展望第二季，預估Conventional DRAM（一般型DRAM）價格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預計均價為季增3%至8%。PC DRAM、Server DRAM價格皆持平上季因應國際形勢變化，各主要PC OEM要求ODM提高整機組裝量，將加速去化OEM手中的DRAM庫存。為確保2025年下半年產線供料穩(wěn)定，庫存水
  • 關鍵字： TrendForce  集邦咨詢  DRAM  

美光1γ DRAM開始出貨，用上了EUV

  • 美光經過多代驗證的 DRAM 技術和制造策略促成了這一優(yōu)化的 1γ節(jié)點的誕生。
  • 關鍵字： 美光1γ DRAM  

新型高密度、高帶寬3D DRAM問世

  • 3D DRAM 將成為未來內存市場的重要競爭者。
  • 關鍵字： 3D DRAM  

美光宣布1γ DRAM開始出貨：引領內存技術突破，滿足未來計算需求

  • 美光科技股份有限公司近日宣布，已率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代?CPU?設計的?1γ（1-gamma）第六代（10?納米級）DRAM?節(jié)點?DDR5?內存樣品。得益于美光此前在?1α（1-alpha）和?1β（1-beta）DRAM?節(jié)點的領先優(yōu)勢，1γ DRAM?節(jié)點的這一新里程碑將推動從云端、工業(yè)、消費應用到端側?AI?設備（如?AI PC、智能手
  • 關鍵字： 美光  1γ DRAM  DRAM  

消息稱三星芯片部門負責人攜1b DRAM樣品訪問英偉達

  • 2 月 18 日消息，據(jù) TheElec 報道，三星芯片部門的負責人上周親自前往美國英偉達總部進行訪問。此次訪問的目的是向英偉達展示三星最新研發(fā)的 1b DRAM 芯片樣品，該芯片主要用于高帶寬內存（HBM）。消息人士透露，英偉達曾在去年要求三星改進其 1b DRAM 的設計，此次展示的樣品正是基于英偉達的要求而改進后的成果。通常情況下，三星設備解決方案（DS）部門的負責人親自向客戶展示樣品的情況較為罕見。IT之家注意到，三星在去年曾計劃使用 1b DRAM 生產 HBM，但遭遇了良品率和過熱問題。該
  • 關鍵字： 三星  芯片  1b DRAM  樣品  英偉達  

SK海力士實現(xiàn)1c nm制程DRAM內存量產

  • 據(jù)韓媒報道，近日，SK海力士成功完成了1c納米制程DRAM的批量產品認證，連續(xù)多個以25塊晶圓為單位的批次在質量和良率上均達到要求，預計SK海力士將在2月初正式啟動1c納米DRAM的量產。據(jù)了解，SK海力士在2024年8月末宣布成功實現(xiàn)1c納米工藝的 16Gb DDR5-8000 DRAM 內存開發(fā)。SK海力士曾表示，1c工藝技術將應用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進的DRAM主力產品群，進一步鞏固其在內存市場的領先地位。
  • 關鍵字： SK海力士  1c納米  DRAM  

?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內存，美光成為首要供應商

  • 三星Galaxy S25系列可能會選擇美光作為第一內存供應商，而非自家的產品。這一決定標志著三星在旗艦智能手機中首次沒有優(yōu)先使用自家的內存解決方案，這也讓外界對三星內存技術的競爭力產生了質疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機中的第二內存供應商，這次卻打敗三星成為了第一供應商，似乎折射出內部部門競爭的微妙行情。2024年9月就有報道指出因良率問題，三星DS（設備解決方案）部門未能按時足量向三星MX（移動體驗）部門交付Galaxy S25系列手機開發(fā)所需的LPDDR5X內存樣品，導致MX部門的手
  • 關鍵字： ?三星  Galaxy S25  內存  美光  DRAM  LPDDR5X  

買方采購策略調整，1Q25 DRAM合約價走跌

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，2025年第一季進入淡季循環(huán)，DRAM市場因智能手機等消費性產品需求持續(xù)萎縮，加上筆記本電腦等產品因擔心美國可能拉高進口關稅的疑慮，已提前備貨，進而造成DRAM均價下跌。其中，一般型DRAM（Conventional DRAM）的跌幅預估將擴大至8%至13%，若計入HBM產品，價格預計下跌0%至5%。PC DRAM價格估跌幅為8-13%，Server DRAM則跌5-10%TrendForce集邦咨詢表示，2024年第四季PC OEM在終端銷售疲弱，DRAM價格反
  • 關鍵字： DRAM  TrendForce  集邦咨詢  

美國商務部向美光科技提供 61 億美元資金，用于在該國生產芯片

  • 12 月 11 日消息，美國商務部周二表示，作為2022 年《芯片和科學法案》的一部分，美光科技已獲得高達 61.65 億美元（當前約 448.07 億元人民幣）的撥款，用于在美國制造半導體。該機構表示，這筆資金將支持美光的“二十年愿景”，即在紐約投資約 1000 億美元、在愛達荷州投資 250 億美元用于新工廠，并創(chuàng)造約 20,000 個新工作崗位。美國商務部還表示，美光將根據(jù)某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外，美國商務部還宣布已與美光科技達成初步協(xié)議，將額外提供 2.75 億美元資金，用于擴建
  • 關鍵字： 美國  美光科技  生產芯片  半導體  DRAM  內存芯片  存儲芯片  

提高下一代DRAM器件的寄生電容性能

  • 摘要隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產生負面影響，未來可能需要新的DRAM結構來降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結構的寄生電容。結果表明，與6F2結構相比，4F2結構顯著降低了節(jié)點接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們仍處于支持器件達成目標性能的合格水平。相比6F2器件，4F
  • 關鍵字： 泛林集團  DRAM  

瑞薩率先推出第二代面向服務器的DDR5 MRDIMM完整內存接口芯片組解決方案

  • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內存模塊（MRDIMM）的完整內存接口芯片組解決方案。人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和其它數(shù)據(jù)中心應用對內存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的DDR5 MRDIMM。它們的運行速度高達每秒12,800兆次傳輸（MT/s）；與第一代解決方案相比內存帶寬提高1.35倍。瑞薩與包括CPU和內存供應商在內的行業(yè)領導者以及終端客戶合作，在新型MRDIMM的設計、開發(fā)與部署方面發(fā)揮了關鍵作用。瑞薩設計并推出三款全新關鍵組件：RRG
  • 關鍵字： 瑞薩  DDR5 MRDIMM  內存接口芯片組  

在2025年DRAM位元產出增長下，供應商需謹慎規(guī)劃產能以保持盈利

  • DRAM產業(yè)歷經2024年前三季的庫存去化和價格回升，價格動能于第四季出現(xiàn)弱化。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應商在今年獲利后展開新增產能規(guī)劃，預估2025年整體DRAM產業(yè)位元產出將年增25%，成長幅度較2024年大。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，DRAM產業(yè)結構越趨復雜，除現(xiàn)有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer DRAM外，又新增HBM品類。吳雅婷指出，三大DRAM原廠中，SK hynix（SK海力士）因HBM產品
  • 關鍵字： DRAM  TrendForce  集邦咨詢  
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