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格力家用空調(diào)搭載SiC芯片突破100萬臺(tái)

4月22日下午，格力電器召開2025年第一次臨時(shí)股東大會(huì)，相比過往歷次股東大會(huì)都被安排在格力地產(chǎn)總部辦公樓，本次股東大會(huì)首次被安排在格力電器珠海碳化硅芯片工廠舉行。據(jù)悉，該工廠自2024年投產(chǎn)以來，其碳化硅功率芯片在家用空調(diào)中的裝機(jī)量已經(jīng)突破100萬臺(tái)。SiC材料具有高耐壓、高頻率、高效率等優(yōu)勢(shì)，能夠顯著提升空調(diào)的能效。搭載SiC芯片后，空調(diào)的電能轉(zhuǎn)換效率得到優(yōu)化，制冷制熱效果增強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)能耗降低，同時(shí)可以提升產(chǎn)品性能、降低能耗，增強(qiáng)格力空調(diào)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。格力該工廠是全球第二座、亞洲首座全自動(dòng)化6英寸碳化硅
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南芯科技推出車規(guī)級(jí)高速CAN/CAN FD協(xié)議收發(fā)器

近日，南芯科技宣布推出車規(guī)級(jí)高速 CAN/CAN FD 收發(fā)器 SC25042Q，適用于12V 和 24V 汽車系統(tǒng)，可直接連接 3V-5V 的微控制器，支持高達(dá) 5Mbit/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率。SC25042Q 集成了振鈴抑制功能，抗電磁干擾能力強(qiáng)，可實(shí)現(xiàn)無損時(shí)間傳輸，保證信號(hào)的高效可靠。該產(chǎn)品通過 AEC-Q100 認(rèn)證，符合 ISO 11898-2:2016、SAE J2284-1 至 SAE J2284-5 標(biāo)準(zhǔn)，為車規(guī)級(jí)接口提供了高性能、高性價(jià)比的國(guó)產(chǎn)化選擇。全國(guó)產(chǎn)化產(chǎn)品，重塑車載CAN總線隨著
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清純半導(dǎo)體和微碧半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品

近日，清純半導(dǎo)體和VBsemi（微碧半導(dǎo)體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體技術(shù)在快充效率、高功率密度應(yīng)用等領(lǐng)域取得了重大突破。01清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)4月21日，清純半導(dǎo)體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺(tái)，該平臺(tái)首款主驅(qū)芯片（型號(hào)：S3M008120BK）的常溫導(dǎo)通電阻低至8mΩ，比導(dǎo)通電阻系數(shù)Rsp達(dá)到2.1 mΩ·cm2，處于國(guó)際領(lǐng)先水平。source：清純半導(dǎo)體（圖為清純半導(dǎo)體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rs
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SiC為數(shù)據(jù)中心的冷卻風(fēng)扇提供高密度電源

碳化硅（SiC）正在接管電動(dòng)汽車中的三相牽引逆變器，將電池中的直流電轉(zhuǎn)換為用于控制電機(jī)的交流電。但是，由于 SiC 能夠處理更高的電壓、更好的散熱和更快的開關(guān)頻率，因此也適用于更緊湊的電動(dòng)機(jī)中的三相逆變器。其中包括數(shù)據(jù)中心的電子換向（EC）冷卻風(fēng)扇，這些風(fēng)扇消耗了更多的電力來運(yùn)行 AI 訓(xùn)練和推理，并在此過程中產(chǎn)生了更多的熱量。onsemi 推出了第一代基于 SiC 的智能功率模塊（IPM），與 IGBT 相比，為這些冷卻風(fēng)扇帶來了更高的功率密度和效率。1,200 V 模塊基
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SiC MOSFET如何提高AI數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效

如今所有東西都存儲(chǔ)在云端，但云究竟在哪里？答案是數(shù)據(jù)中心。我們對(duì)圖片、視頻和其他內(nèi)容的無盡需求，正推動(dòng)著數(shù)據(jù)中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。國(guó)際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心電力需求激增。預(yù)計(jì)在 2022 年到 2025 年的三年間，數(shù)據(jù)中心的耗電量將翻一番以上。這不僅增加了運(yùn)營(yíng)成本，還給早已不堪重負(fù)的老舊電力基礎(chǔ)設(shè)施帶來了巨大的壓力，亟需大規(guī)模的投資升級(jí)。隨著數(shù)據(jù)中心耗電量急劇增加，行業(yè)更迫切地需要能夠高效轉(zhuǎn)換電力的功率半導(dǎo)體。這種需求的增長(zhǎng)一方面是為了降低運(yùn)營(yíng)成本
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是什么讓SiC開始流行？

碳化硅是一種眾所周知的堅(jiān)硬和復(fù)雜的材料。用于制造 SiC 功率半導(dǎo)體的晶圓生產(chǎn)利用制造工藝、規(guī)格和設(shè)備的密集工程來實(shí)現(xiàn)商業(yè)質(zhì)量和成本效益。必要性與發(fā)明寬禁帶半導(dǎo)體正在改變電力電子領(lǐng)域的游戲規(guī)則，使系統(tǒng)級(jí)效率超越硅器件的實(shí)際限制，并帶來額外的技術(shù)特定優(yōu)勢(shì)。在碳化硅（SiC）的情況下，導(dǎo)熱性、耐溫能力和擊穿電壓與通道厚度的關(guān)系優(yōu)于硅，從而簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并確保了更高的可靠性。由于它們的簡(jiǎn)單性，SiC 的孕育使二極管領(lǐng)先于 MOSFET 進(jìn)入市場(chǎng)?，F(xiàn)在，隨著技術(shù)進(jìn)步收緊工藝控制、提高良率并
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ISO 16845標(biāo)準(zhǔn)詳解

控制器局域網(wǎng)絡(luò)（CAN）總線技術(shù)起源于20世紀(jì)80年代初期，最初由德國(guó)Bosch公司為汽車電子控制開發(fā)。CAN總線具備高可靠性和高抗干擾能力，使得它迅速成為了汽車電子通訊標(biāo)準(zhǔn)的首選。隨后，CAN總線也被廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療設(shè)備和航空航天等多個(gè)領(lǐng)域。由于CAN總線在不同行業(yè)的應(yīng)用日益普及，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)性和互操作性的要求隨之提高。汽車行業(yè)尤其需要一個(gè)國(guó)際統(tǒng)一的CAN總線協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)，以便于不同制造商的設(shè)備能夠在同一個(gè)網(wǎng)絡(luò)內(nèi)協(xié)同工作。為滿足這一需求，ISO（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織）在1993年發(fā)布了ISO 11898標(biāo)準(zhǔn)，
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SiC 市場(chǎng)的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢(shì)，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨(dú)特功能和設(shè)計(jì)支持。本文為第一篇，將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢(shì)，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實(shí)現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵
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Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200V SiC MOSFET

Nexperia正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢(shì)以及通孔技術(shù)的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準(zhǔn)滿足了眾多高功率（工業(yè)）應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ψ至⑹絊iC MOSFET不斷增長(zhǎng)的需求，該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，得以實(shí)現(xiàn)卓越的熱性
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第17講：SiC MOSFET的靜態(tài)特性

商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態(tài)特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內(nèi)建電勢(shì)，所以在低電流區(qū)域，SiC MOSFET的通態(tài)壓降明顯低于Si IGBT的通態(tài)壓降；在接近額定電流時(shí)，SiC MOSFET的通態(tài)壓降幾乎與Si IGBT相同。對(duì)于經(jīng)常以低于額定電流工作的應(yīng)用，使用SiC
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第16講：SiC SBD的特性

SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn)，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性。SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）是一種利用金屬和半導(dǎo)體接觸，在接觸處形成勢(shì)壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一般在200V以下，而耐壓在600V以上的SiC SBD產(chǎn)品已廣泛產(chǎn)品化。SiC SBD的某些產(chǎn)品具有3300V的耐壓。半導(dǎo)體器件的擊穿電壓與半導(dǎo)體漂移層的厚度成正比，因此為了提高耐壓，必須增加器件的厚度。而
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東芝推出應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備的具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當(dāng)下橋臂[2]關(guān)閉時(shí)，米勒電流[1]可能會(huì)產(chǎn)生柵極電壓，進(jìn)而導(dǎo)致上橋臂和下橋臂[3]出現(xiàn)短路等故障。常見的保護(hù)措施有，在柵極關(guān)閉時(shí)，對(duì)柵極施加負(fù)電壓。對(duì)于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
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速看！SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)白皮書完整版

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！http://2s4d.com/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來了！http://2s4d.com/article/202503/467644.htm)中我們重點(diǎn)介紹了SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)，本文將介紹演示和測(cè)試結(jié)果。演
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碳化硅與硅：為什么 SiC 是電力電子的未來

在這里，我們比較了碳化硅（SiC）與硅以及在汽車和可再生能源等行業(yè)的電力電子中的應(yīng)用。我們將探討硅和碳化硅之間的顯著差異，并了解 SiC 為何以及如何塑造電力電子的未來。硅（Si）到碳化硅（SiC）：改變電力電子的未來電力電子技術(shù)在過去幾年中取得了前所未有的進(jìn)步。硅（Si）等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料一直主導(dǎo)著電力電子和可再生能源行業(yè)。然而，碳化硅（SiC）的出現(xiàn)徹底改變了這一領(lǐng)域，為卓越的性能和效率鋪平了道路。無與倫比的效率、熱性能和高壓能力使碳化硅成為用于電子和半導(dǎo)體器件的下一代半導(dǎo)體材料。硅與
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800V與碳化硅成為新能源汽車電驅(qū)的新寵，器件性能與可靠性還有上升空間

1 我國(guó)能源汽車已突破1000萬輛，今年將增長(zhǎng)24%據(jù)賽迪顧問 2024 年 12 月發(fā)布的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)顯示，我國(guó)新能源汽車的新車全球市占率有望穩(wěn)居七成以上，我國(guó)從汽車大國(guó)邁向汽車強(qiáng)國(guó)的步伐更加堅(jiān)實(shí)。據(jù)中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2024年我國(guó)汽車產(chǎn)銷分別完成3128.2萬輛和3143.6萬輛，同比分別增長(zhǎng)3.7％和4.5％，繼續(xù)保持在3000萬輛以上規(guī)模，產(chǎn)銷總量連續(xù)16年穩(wěn)居全球第一。其中，新能源汽車產(chǎn)銷首次突破1000萬輛，分別達(dá)到1288.8萬輛和1286.6萬輛，同比分別增長(zhǎng)34.4％和35.5
關(guān)鍵字：電驅(qū) 碳化硅 SiC 新能源汽車 800V