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臺(tái)灣：臺(tái)積電在臺(tái)灣投資3nm廠是必然

  • 　　近期因限電危機(jī)，傳出臺(tái)積電3nm廠可能轉(zhuǎn)往美國投資，臺(tái)灣“行政院長”林全表示，「臺(tái)積電在臺(tái)灣投資3nm廠是必然的」，現(xiàn)在的問題只是落腳哪里。 　　林全表示，包括臺(tái)南、高雄都拚命爭取臺(tái)積3nm廠落腳。 相較于其他企業(yè)也有很好的投資案，但地方政府就沒有這么大的回響，或許和企業(yè)形象、經(jīng)營成功度、員工待遇都有很大關(guān)系。 　　外界質(zhì)疑政府只關(guān)愛臺(tái)積電一家公司，林全反駁，政府對(duì)企業(yè)是「一視同仁的，不會(huì)有差別待遇」。 他以臺(tái)塑為例表示，臺(tái)塑遇到最大的挫折就是環(huán)評(píng)被退回，因此他去年上任后就
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臺(tái)積電公開回復(fù)：東芝競標(biāo)案和3nm廠選址

  • 　　臺(tái)積電13日的法說會(huì)中，針對(duì)近期兩大熱門議題：日本半導(dǎo)體大廠東芝NAND Flash部門競標(biāo)案、先進(jìn)制程3奈米晶圓廠的選址，一一對(duì)外界做最新的回覆。 　　自從臺(tái)積電董事長張忠謀公開表示，考慮參與日本半導(dǎo)體大廠東芝(Toshiba)競標(biāo)案后，臺(tái)積電對(duì)該案的態(tài)度備受市場關(guān)注，尤其參與競標(biāo)者又是鴻海、SK海力士(SK Hynix)、威騰(WD)等全球大廠。 　　臺(tái)積電13日指出，內(nèi)部確實(shí)評(píng)估過該案，但最后決定不去參與競標(biāo)，主要是兩大原因，第一，內(nèi)部認(rèn)為這種標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的商業(yè)模式和邏輯產(chǎn)業(yè)很不一樣，第二是
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英特爾7億美金建廠美國 臺(tái)積電5000億投資3nm技術(shù)

  • 　　晶圓代工龍頭臺(tái)積電正式將赴美國設(shè)立晶圓廠列入選項(xiàng)，且目標(biāo)直指最先進(jìn)且投資金額高達(dá)5000億元的3納米制程。臺(tái)灣地區(qū)媒體報(bào)道稱，臺(tái)積電3納米出走將撼動(dòng)全球半導(dǎo)體江山。 　　擔(dān)憂臺(tái)灣代工基地空氣不佳、電力不穩(wěn) 　　臺(tái)媒引述指出，臺(tái)積電政策轉(zhuǎn)向，主因是南科高雄園區(qū)路竹基地，環(huán)評(píng)作業(yè)完成時(shí)間可能無法配合臺(tái)積電需求，加上空氣品質(zhì)及臺(tái)灣電力后續(xù)穩(wěn)定不佳，也是干擾設(shè)廠的變數(shù)。 　　臺(tái)積電表示，南科高雄園區(qū)路竹基地也未排除在外，持續(xù)觀察，選地尚未決定。至于電力問題，臺(tái)積電重申，考慮設(shè)廠地點(diǎn)，水、電、土地、人才，
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臺(tái)積電斥資157億美元打造5nm/3nm芯片生產(chǎn)線

  • 　　臺(tái)科技部長陳良基15日接受經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)專訪時(shí)表示,他上任后主動(dòng)拜會(huì)臺(tái)積電董事長張忠謀等科技大老,對(duì)臺(tái)積電3納米計(jì)劃需求,政府將全力協(xié)助,也會(huì)特別關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),并從近程及長期著手協(xié)助產(chǎn)業(yè)升級(jí)。 　　對(duì)于空污總量管制等環(huán)保要求,會(huì)否影響臺(tái)積電3納米進(jìn)程,陳良基說:「我比較審慎樂觀。我有看到臺(tái)積電對(duì)3納米需求,水電、土地、空污等因應(yīng)措施,并沒有不能解決的悲觀。」他并預(yù)言,以人工智能(AI)技術(shù)為主的沛星互動(dòng)科技(Appier),十年后有可能成為另一個(gè)「臺(tái)積電」。 　　陳良基說,他跟張忠謀常碰面,上任后
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半導(dǎo)體走到3nm制程節(jié)點(diǎn)不成問題

  • 　　在剛剛閉幕的2016年ITF(IMEC全球科技論壇)上，世界領(lǐng)先的獨(dú)立納米技術(shù)研究機(jī)構(gòu)——IMEC的首席執(zhí)行官Luc van den Hove指出，“scaling(尺寸縮小)還會(huì)繼續(xù)，我不僅相信它將會(huì)繼續(xù)，而且我認(rèn)為它不得不繼續(xù)。” 　　他認(rèn)為，目前從技術(shù)層面來說，F(xiàn)INFET、Lateral Nanowire(橫向納米線) 和Vertical Nanowire(縱向納米線)已經(jīng)可以幫我們持續(xù)推進(jìn)到3nm的制程節(jié)點(diǎn)。EUV光刻技術(shù)將是未來的唯一選擇。
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