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三星明年完成3nm GAA工藝開發(fā) 性能大漲35%

  • 盡管日本嚴(yán)格管制半導(dǎo)體材料多少都會(huì)影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn)，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會(huì)議，公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展，其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。三星在10nm、7nm及5nm節(jié)點(diǎn)的進(jìn)度都會(huì)比臺(tái)積電要晚一些，導(dǎo)致臺(tái)積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單，三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經(jīng)把目標(biāo)放在了未來的3nm工藝上，預(yù)計(jì)2021年量產(chǎn)。在3nm節(jié)點(diǎn)，三星將從FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管
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臺(tái)積電：3nm工藝進(jìn)展順利 已有客戶參與

  • 如今在半導(dǎo)體工藝上，臺(tái)積電一直十分激進(jìn)，7nm EUV工藝已經(jīng)量產(chǎn)，5nm馬上就來，3nm也不遠(yuǎn)了。臺(tái)積電CEO兼聯(lián)席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會(huì)議上透露，臺(tái)積電的N3 3nm工藝技術(shù)研發(fā)非常順利，已經(jīng)有早期客戶參與進(jìn)來，與臺(tái)積電一起進(jìn)行技術(shù)定義，3nm將在未來進(jìn)一步深化臺(tái)積電的領(lǐng)導(dǎo)地位。目前，3nm工藝仍在早期研發(fā)階段，臺(tái)積電也沒有給出任何技術(shù)細(xì)節(jié)，以及性能、功耗指標(biāo)，比如相比5nm工藝能提升多少，只是說3nm將是一個(gè)全新的工藝節(jié)點(diǎn)，而不是5nm的改進(jìn)版。臺(tái)積電只是說，已經(jīng)評(píng)估了3n
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國產(chǎn)3nm半導(dǎo)體來了？只是學(xué)術(shù)進(jìn)展

  • 今天有多家媒體報(bào)道了中國科研人員實(shí)現(xiàn)了3nm半導(dǎo)體工藝的突破性進(jìn)展，香港《南華早報(bào)》稱中科院微電子所團(tuán)隊(duì)的殷華湘等人研究出了3nm晶體管，相當(dāng)于人類DNA鏈條寬度，這種晶體管解決了玻爾茲曼熱力學(xué)的限制。
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臺(tái)積電Q1凈利潤暴跌32% 今年砸80億美元研發(fā)7/5/3nm工藝

  • 作為全球晶圓代工市場的一哥，臺(tái)積電一家就占了全球50-60%的份額，幾乎吃下所有7nm先進(jìn)訂單。不過今年遇到了半導(dǎo)體市場熊市，臺(tái)積電Q1季度營收、盈利也不免受影響下滑，凈利潤暴跌了32%。不過臺(tái)積電今年依然要砸錢研發(fā)新工藝，預(yù)計(jì)會(huì)在7nm、5nm及3nm工藝研發(fā)上投資80億美元之多。
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三星2021年量產(chǎn)3nm工藝 性能提升35%

  • 在智能手機(jī)、存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)陷入競爭不利或者跌價(jià)的困境之時(shí)，三星也將業(yè)務(wù)重點(diǎn)轉(zhuǎn)向邏輯工藝代工。在今天的三星晶圓代工SFF美國分會(huì)上，三星宣布四種FinFET工藝，涵蓋了7nm到4nm，再往后則是3nm GAA工藝了，通過使用全新的晶體管結(jié)構(gòu)可使性能提升35%、功耗降低50%，芯片面積縮小45%。
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三星即將宣布3nm以下工藝路線圖 挑戰(zhàn)硅基半導(dǎo)體極限

  • 在半導(dǎo)體晶圓代工市場上，臺(tái)積電TSMC是全球一哥，一家就占據(jù)了全球50%以上的份額，而且率先量產(chǎn)7nm等先進(jìn)工藝，官方表示該工藝領(lǐng)先友商一年時(shí)間，明年就會(huì)量產(chǎn)5nm工藝。在臺(tái)積電之外，三星也在加大先進(jìn)工藝的追趕，目前的路線圖已經(jīng)到了3nm工藝節(jié)點(diǎn)，下周三星就會(huì)宣布3nm以下的工藝路線圖，緊逼臺(tái)積電，而且會(huì)一步步挑戰(zhàn)摩爾定律極限。
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3nm爭奪戰(zhàn)已打響

  • 科技的發(fā)展有時(shí)超出了我等普通人的想象，今年臺(tái)積電才開始量產(chǎn)7nm，計(jì)劃明年量產(chǎn)5nm，這不3nm又計(jì)劃在2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，這樣的大踏步前進(jìn)可以說是競爭爭奪激烈的結(jié)果、也是科技快速發(fā)展的結(jié)果。
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三星已成全球芯片霸主，規(guī)劃芯片制程路線：2022年要上3nm

  • 　　5月28日，三星電子在位于美國的 2018 年三星半導(dǎo)體代工論壇上，公布其全面的芯片制程技術(shù)路線圖，目前已經(jīng)更新至 3nm 工藝?！　?jù)介紹，三星的 7nm LPP 將成為該公司首款使用EUV(極紫外光刻)方案的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。以往三星的制程工藝都會(huì)分為 LPE 和 LPP 兩代，不過 7nm 算是個(gè)例外，沒有 LPE。之前已公布，三星 7nm LPP 將于 2018 年下半年量產(chǎn)，2019 年的高通和三星芯片有望采用該制造工藝。　　三星表示，在 7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 將為 So
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從7nm到3nm GAA，三星為何激進(jìn)地采用EUV？

  • 半導(dǎo)體業(yè)界為EUV已經(jīng)投入了相當(dāng)龐大的研發(fā)費(fèi)用，因此也不難理解他們急于收回投資。雖然目前還不清楚EUV是否已經(jīng)100%準(zhǔn)備就緒，但是三星已經(jīng)邁出了實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的第一步。
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臺(tái)積電計(jì)劃2022年量產(chǎn)3nm芯片

  • 　　臺(tái)積電在8月14日宣布，公司董事會(huì)已批準(zhǔn)了一項(xiàng)約45億美元的資本預(yù)算。未來將會(huì)使用該預(yù)算來修建新的晶圓廠，而現(xiàn)在中國臺(tái)灣媒體報(bào)道稱，臺(tái)積電計(jì)劃2020年開始建造3nm制程的晶圓廠，希望能夠在2022年實(shí)現(xiàn)3nm制程芯片的量產(chǎn)。　　根據(jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》的報(bào)道，臺(tái)灣相關(guān)部門通過了「臺(tái)南科學(xué)園區(qū)二期基地開發(fā)暨原一期基地變更計(jì)劃環(huán)差案」，這項(xiàng)議案主要是為了臺(tái)積電全新的晶圓制造廠而打造?！　?jù)悉，臺(tái)積電計(jì)劃2020年開始建造最新的3nm制程的晶圓廠，同時(shí)最快可以在2022年實(shí)現(xiàn)對(duì)于3nm制程芯片的量產(chǎn)。目前臺(tái)積
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aveni S.A. 運(yùn)用創(chuàng)新電鍍化學(xué)，將銅互連擴(kuò)展至5nm及以下節(jié)點(diǎn)以實(shí)現(xiàn)BEOL集成

  • 　　為2D互連和3D硅穿孔封裝提供顛覆性濕沉積技術(shù)與化學(xué)材料的開發(fā)商與生產(chǎn)商aveni S.A.今日宣布，其已獲得成果可有力支持在先進(jìn)互連的后段制程中，在5nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)可繼續(xù)使用銅。　　「值此銅集成20周年之際，我們的研究結(jié)果證實(shí)了IBM研究員Dan Edelstein在近期IEEE Nanotechnology Symposium上的主題演講中所表達(dá)的意見：『銅集成可持續(xù)使用』?！筧veni執(zhí)行長Bruno Morel指出?！　∮捎谄骷獫M足(和創(chuàng)
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暗流涌動(dòng) 晶圓市場強(qiáng)者生存

  • 目前晶圓代工市場三強(qiáng)分立，Intel、三星、臺(tái)積電都在積極備戰(zhàn)之中。而中國市場也是這些大佬的兵家必爭之地，擁有了中國市場便擁有了全世界。晶圓市場暗流涌動(dòng)，鹿死誰手猶未可知。
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摩爾定律：始于半導(dǎo)體 終于物理極限？

  • 摩爾定律的提出只為預(yù)測半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展趨勢，但是隨著其在半導(dǎo)體行業(yè)的聲名鵲起，外界各行各業(yè)對(duì)于競相仿效。
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張忠謀：3nm晶圓廠2020年開建 未來3年收入增幅都達(dá)5-10％

  • 　　臺(tái)積電創(chuàng)始人兼董事長張忠謀在近日的一次公司會(huì)議上披露，臺(tái)積電將在2020年開工建設(shè)3nm工藝晶圓廠，但不會(huì)去美國設(shè)廠，而是堅(jiān)持留在中國臺(tái)灣本土，確切地說是在南部科技園區(qū)。 　　張忠謀提出，臺(tái)積電相信當(dāng)?shù)卣畷?huì)解決好3nm工廠建設(shè)所需的水電土地問題，并提供全力協(xié)助。 　　按照張忠謀此前的說法，3nm工廠建設(shè)預(yù)計(jì)會(huì)花費(fèi)超過200億美元，同時(shí)有望帶動(dòng)相關(guān)供應(yīng)商跟進(jìn)建廠，拉動(dòng)臺(tái)南地區(qū)經(jīng)濟(jì)發(fā)展。 　　他沒有透露3nm工廠何時(shí)完工、新工藝何時(shí)量產(chǎn)，但即便不考慮額外困難和挑戰(zhàn)，最快也得是2023年的事兒了。
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臺(tái)積電欲建全球首個(gè)3nm晶圓廠 張忠謀又在唱哪出戲？

  • 　　10月7日，芯片代工廠臺(tái)積電宣布選址南科臺(tái)南園區(qū)興建3nm晶圓廠。據(jù)臺(tái)積電董事長張忠謀透漏，臺(tái)積電此次將投資約200億美元用于晶圓廠的建設(shè)，于2020年左右竣工，這也將成為全球首家3nm晶圓廠。 　　2016年末至2017年初，三星與臺(tái)積電先后推出10nm制程工藝，穩(wěn)占手機(jī)芯片市場80%以上的市場份額。在這場角斗中，英特爾由于研發(fā)步伐稍微緩慢，錯(cuò)失了市場先機(jī)。即使后來推出的10nm工藝遠(yuǎn)超三星與臺(tái)積電，但是對(duì)于整體市場來說，并沒有太大影響。 　　臺(tái)積電面臨的局勢 　　臺(tái)積電主要客戶為蘋果、高通、
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