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3d nand 文章 最新資訊

使用NAND門的基本邏輯門

  • 邏輯門主要有三種類型，即 AND 門、OR 門和 NOT 門。每種邏輯門都有自己不同的邏輯功能。因此，在這些基本邏輯門的幫助下，我們可以得到任何邏輯函數或任何布爾或其他邏輯表達式。基本邏輯門的真值表：了解每個邏輯門的功能對熟悉轉換非常重要。1.NOT 邏輯門：這種邏輯門是數字邏輯電路中最簡單的一種。該邏輯門只有兩個端子，一個用于輸入，另一個用于輸出。門的輸入是二進制數，即只能是 1 或 0。邏輯門輸出端的輸出總是與輸入端相反，也就是說，如果輸入端為 1，則輸出端為 0，反之亦然?？赡艹霈F的級數由 2a 計
  • 關鍵字： NAND  邏輯門  

NAND 原廠過夠了「苦日子」，有晶圓合約成功漲價 10%

  • 廠家期待觸底后的反彈早日到來。
  • 關鍵字： NAND Flash  

采用NAND和NOR門的SR觸發(fā)器

  • 在本教程中，我們將討論數字電子學中的基本電路之一--SR 觸發(fā)器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門的 SR 觸發(fā)器的基本電路、其工作原理、真值表、時鐘 SR 觸發(fā)器以及一個簡單的實時應用。電路簡介我們迄今為止看到的電路，即多路復用器、解復用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗發(fā)生器和校驗器等，都被稱為組合邏輯電路。在這類電路中，輸出只取決于輸入的當前狀態(tài)，而不取決于輸入或輸出的過去狀態(tài)。除了少量的傳播延遲外，當輸入發(fā)生變化時，組合邏輯電路的輸出立即發(fā)生變化。還有一類電路，其輸出不僅取決于當前的輸入，還取決
  • 關鍵字： NAND  NOR門  SR觸發(fā)器  

三星明年將升級NAND核心設備供應鏈

  • 據媒體報道，三星作為全球最大的NAND閃存供應商，為了提高新一代NAND閃存的競爭力，將在2024年升級其NAND核心設備供應鏈，各大NAND生產基地都在積極進行設備運行測試。?三星平澤P1工廠未來大部分產線將從第6代V-NAND改為生產更先進的第8代V-NAND，同時正在將日本東京電子（TEL）的最新設備引入其位于平澤P3的NAND生產線，此次采購的TEL設備是用于整個半導體工藝的蝕刻設備。三星的半導體產品庫存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結束時，三星旗下設備解決方案部門的庫存已增至
  • 關鍵字： 三星  NAND  閃存  

3D NAND還是卷到了300層

  • 近日，三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
  • 關鍵字： V-NAND  閃存  3D NAND  

基于FPGA的NAND Flash的分區(qū)續(xù)存的功能設計實現

  • 傳統(tǒng)的控制器只能從NAND Flash存儲器的起始位置開始存儲數據，會覆蓋上次存儲的數據，無法進行數據的連續(xù)存儲。針對該問題，本文設計了一種基于FPGA的簡單方便的NAND Flash分區(qū)管理的方法。該方法在NAND Flash上開辟專用的存儲空間，記錄最新分區(qū)信息，將剩余的NAND Flash空間劃成多個分區(qū)。本文給出了分區(qū)工作機理以及分區(qū)控制的狀態(tài)機圖，并進行了驗證。
  • 關鍵字： 202308  NAND Flash  FPGA  分區(qū)  起始地址  

因業(yè)務低迷，消息稱三星計劃暫停部分工廠 NAND 閃存生產

  • IT之家 8 月 16 日消息，據韓國電子時報報道，為了克服低迷的存儲器市場狀況，三星電子計劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產設備。業(yè)內人士透露，三星目前正在考慮停止 P1 工廠 NAND Flash 生產線部分設備的生產，該生產區(qū)主要負責生產 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND，其中的設備將停產至少一個月。外媒表示，鑒于市場持續(xù)低迷，業(yè)界猜測三星的 NAND Flash 產量可能會減少 10% 左右，而三星在近來 4 月份發(fā)布的 2023 年第一季度財報中也正式
  • 關鍵字： 三星電子  V-NAND  

3D DRAM時代即將到來，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來架構

  • 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數字電子設備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮，隨著技術在節(jié)點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l  這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動存儲器技術的突破，而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著生產成本的降低。l  DRAM技
  • 關鍵字： 3D DRAM  泛林  

基于NAND門的行李安全警報

  • 在乘坐火車和公共汽車的旅途中，我們會攜帶許多重要的物品，而且總是擔心有人會偷走我們的行李。因此，為了保護我們的行李，我們通常會用老辦法，借助鏈條和鎖來鎖住行李。但鎖了這么多把鎖之后，我們還是會擔心有人會割斷鎖鏈，拿走我們的貴重物品。為了克服這些恐懼，這里有一個基于 NAND 門的簡易電路。在這個電路中，當有人試圖提起你的行李時，它就會發(fā)出警報，這在你乘坐公共汽車或火車時非常有用，即使在夜間也是如此，因為它還能在繼電器上產生聲光指示。這種電路的另一個用途是，您可以在家中使用這種電路，以便在這種報警電路的幫助
  • 關鍵字： NAND  邏輯門  

被壟斷的NAND閃存技術

  • 各家 3D NAND 技術大比拼。
  • 關鍵字： NAND  3D NAND  

3D 晶體管的轉變

基于 LPC5528 的 3D 打印機方案

  • MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內核的高性能 MCU，主頻達到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個 Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。      該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機，支持 5 軸電機控制，支
  • 關鍵字： 3D 打印機  NXP  LPC5528  

三季度DRAM和NAND閃存價格跌幅放緩

  • 今年 Q3，存儲產品價格有望迎來拐點。
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

  • 中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國（上海）機器視覺展 (Vision China) 展示最新產品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
  • 關鍵字： Teledyne  Vision China  3D  AI成像  
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3d nand介紹

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