3d nand 文章進(jìn)入3d nand技術(shù)社區(qū)

外媒：存儲(chǔ)大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化

據(jù)外媒《BusinessKorea》報(bào)道，三星電子的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導(dǎo)體研究所副社長(zhǎng)兼工藝開發(fā)室負(fù)責(zé)人Lee Jong-myung于3月10日在韓國(guó)首爾江南區(qū)三成洞韓國(guó)貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來增長(zhǎng)動(dòng)力。考慮到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認(rèn)為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現(xiàn)有
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) 3D DRAM

芯和半導(dǎo)體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”

國(guó)內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者芯和半導(dǎo)體，由于其Metis平臺(tái)在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)際在線平臺(tái)3D InCites的評(píng)選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”稱號(hào)。? “Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺(tái)用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，這一事件引起了我們極大的關(guān)注?！?D InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導(dǎo)體今年首次參加3D InCi
關(guān)鍵字：芯和半導(dǎo)體榮 3D InCites Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)

芯和半導(dǎo)體榮獲3D InCites “Herb Reiter年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”

國(guó)內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者芯和半導(dǎo)體，由于其Metis平臺(tái)在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)際在線平臺(tái)3D InCites的評(píng)選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”稱號(hào)。?“Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺(tái)用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，這一事件引起了我們極大的關(guān)注?！?D?InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導(dǎo)體今年首次參加3D
關(guān)鍵字：芯和半導(dǎo)體 3D InCites Herb Reiter年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)

支持下一代 SoC 和存儲(chǔ)器的工藝創(chuàng)新

本文將解析使 3D NAND、高級(jí) DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級(jí) SoC 和封裝（用于移動(dòng)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對(duì)架構(gòu)、材料和核心制造流程進(jìn)行復(fù)雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項(xiàng)包括新的計(jì)算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢(shì)壘層和熱預(yù)算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(zhǎng)。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠(yuǎn)的方式組合這些。當(dāng)今的頂級(jí)智能手機(jī)使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺(tái)，包括一個(gè)或多
關(guān)鍵字： 3D NAND DRAM 5nm SoC

不是“空中樓閣”：努比亞Pad 3D搭載全球最大Leia 3D內(nèi)容生態(tài)

近日，努比亞宣布，將在MWC 2023上，公布全球首款由AI引擎驅(qū)動(dòng)3D平板：努比亞Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鮮技術(shù)，這難免讓人懷疑這款努比亞Pad 3D的最大賣點(diǎn)，是否會(huì)向其他同類產(chǎn)品一樣，淪為“空中樓閣”。而今天，努比亞打消了用戶的這一顧慮。今天，努比亞官方宣布，努比亞Pad 3D將搭載全球最大的Leia 3D內(nèi)容生態(tài)系統(tǒng)，包含大量運(yùn)用裸眼3D技術(shù)的App，并獲得了來自多個(gè)包括Unity、UNREL等游戲引擎，以及GAMELOFT等游戲開發(fā)商的內(nèi)容支持。
關(guān)鍵字：努比亞 MWC 3D 游戲引擎

西部數(shù)據(jù)宣布進(jìn)一步削減生產(chǎn)和投資，NAND 晶圓產(chǎn)量將減少至 30%

IT之家 2 月 7 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道，在內(nèi)存半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)低迷的情況下，全球 NAND 閃存市場(chǎng)第四大公司西部數(shù)據(jù)宣布將進(jìn)一步縮減設(shè)備投資和生產(chǎn)。西部數(shù)據(jù) 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績(jī)電話會(huì)議上表示，2023 財(cái)年設(shè)備投資總額將達(dá)到 23 億美元（當(dāng)前約 156.17 億元人民幣）。據(jù)IT之家了解，這一數(shù)字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元（當(dāng)前約 183.33 億元人民幣）下降了 14.8%，與 2022 年 8 月公布
關(guān)鍵字： NAND 內(nèi)存西部數(shù)據(jù)

意法半導(dǎo)體和鈺立微電子在 CES 2023上展出合作成果：適用于機(jī)器視覺和機(jī)器人的3D 立體視覺攝像頭

雙方將通過立體攝像頭數(shù)據(jù)融合技術(shù)演示3D立體深度視覺， *AIoT 、AGV小車和工業(yè)設(shè)備依靠3D立體攝像頭跟蹤快速運(yùn)動(dòng)物體參考設(shè)計(jì)利用意法半導(dǎo)體的高性能近紅外全局快門圖像傳感器，確保打造出最佳品質(zhì)的深度感測(cè)和*點(diǎn)云圖資訊2023年1月5日，中國(guó)----在 1 月 5 日至 8 日舉行的拉斯維加斯CES 2023 消費(fèi)電子展上，服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)，和專
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體鈺立 CES 2023 機(jī)器視覺 3D 立體視覺攝像頭

NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成

消費(fèi)性固態(tài)硬盤（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過去二年作為推動(dòng)全球NAND Flash需求位成長(zhǎng)的要角，市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦預(yù)估，2022年消費(fèi)性SSD在筆電的滲透率達(dá)92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場(chǎng)，加上總經(jīng)不佳導(dǎo)致消費(fèi)性電子需求急凍，未來消費(fèi)性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長(zhǎng)受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費(fèi)性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費(fèi)性SSD在近期迅速跌價(jià)后，已與半年前256GB報(bào)價(jià)相近，甚至
關(guān)鍵字： NAND Flash

基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，越來越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來進(jìn)行大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據(jù)NAND FLASH的特點(diǎn)，需要識(shí)別NAND FLASH芯片的壞塊并進(jìn)行管理。FPGA對(duì)壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進(jìn)行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設(shè)計(jì)方法，利用FPGA中RAM模塊，設(shè)計(jì)了狀態(tài)機(jī)電路，靈活地實(shí)現(xiàn)壞塊表的建立、儲(chǔ)存和管理，并且對(duì)該設(shè)計(jì)進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證。
關(guān)鍵字： NAND FLASH FPGA 壞塊壞塊檢測(cè) 202212

如何達(dá)到3D位置感測(cè)的實(shí)時(shí)控制

本文回顧3D霍爾效應(yīng)位置傳感器的基礎(chǔ)知識(shí)，并描述在機(jī)器人、篡改偵測(cè)、人機(jī)接口控制和萬向節(jié)馬達(dá)系統(tǒng)中的用途；以及介紹高精密度線性3D霍爾效應(yīng)位置傳感器的范例。用于實(shí)時(shí)控制的3D位置感測(cè)在各種工業(yè)4.0應(yīng)用中不斷增加，從工業(yè)機(jī)器人、自動(dòng)化系統(tǒng)，到掃地機(jī)器人和保全。3D霍爾效應(yīng)位置傳感器是這些應(yīng)用的理想選擇；它們具有高重復(fù)性和可靠性，還可以與窗戶、門和外殼搭配，進(jìn)行入侵或磁性篡改偵測(cè)。盡管如此，使用霍爾效應(yīng)傳感器設(shè)計(jì)有效且安全的3D感測(cè)系統(tǒng)可能復(fù)雜且耗時(shí)?；魻栃?yīng)傳感器需要與足夠強(qiáng)大的微控制器（MCU）介接，以
關(guān)鍵字： 3D位置感測(cè) 實(shí)時(shí)控制 3D 霍爾效應(yīng)傳感器

全球首款！美光232層NAND客戶端SSD正式出貨

12月15日，美光宣布，已開始向PC OEM客戶出貨適用于主流筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)的美光2550 NVMe固態(tài)硬盤（SSD）。據(jù)官方介紹，美光2550是全球首款采用200+層NAND技術(shù)的客戶端SSD，該產(chǎn)品基于PCIe 4.0架構(gòu)，采用美光232層NAND技術(shù)，加強(qiáng)了散熱架構(gòu)和低功耗設(shè)計(jì)。美光2550 SSD可在包括游戲、消費(fèi)和商用客戶端等主流PC平臺(tái)上提升應(yīng)用程序的運(yùn)行速度和響應(yīng)靈敏度。與競(jìng)品相比，2550 SSD文件傳輸速度快112%，辦公應(yīng)用運(yùn)行速度快67%，主流游戲加載速度快57%，內(nèi)容創(chuàng)
關(guān)鍵字：美光 232層 NAND SSD

韓國(guó)芯片出口暴降30%！SSD腰斬白菜價(jià)甩賣：SK海力士、三星虧到家

作為韓國(guó)的重要支柱，芯片出口的多少，直接關(guān)系著幾大財(cái)團(tuán)的營(yíng)收，比如三星、SK海力士等等。據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑，導(dǎo)致對(duì)芯片的需求下滑，尤其是存儲(chǔ)芯片，需求與價(jià)格雙雙下滑。韓國(guó)關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示，在11月份的前20天，韓國(guó)芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國(guó)重要的出口產(chǎn)品還有智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備，但這一類產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標(biāo)志性的一個(gè)現(xiàn)象是，全球智能手機(jī)老大已經(jīng)在不停的砍單了，至少在3000萬部，這也
關(guān)鍵字：三星 SK海力士 DRAM NAND

大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識(shí)別門禁系統(tǒng)方案

2022年11月16日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于耐能（Kneron）KL520芯片的3D AI人臉識(shí)別門禁系統(tǒng)方案。圖示1-大聯(lián)大世平基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識(shí)別門禁系統(tǒng)方案的展示板圖在現(xiàn)代化經(jīng)濟(jì)建設(shè)和智能管理的驅(qū)動(dòng)下，人工智能門禁系統(tǒng)作為安防基礎(chǔ)核心迎來了前所未有的廣闊前景。特別是在疫情這個(gè)特殊情境下，各種酒店、賓館、寫字樓、智能大廈、政府機(jī)關(guān)等單位，對(duì)于多功能智能門禁系統(tǒng)的需求更是日益攀高。在此趨勢(shì)下，大
關(guān)鍵字：大聯(lián)大世平耐能 Kneron 3D AI 人臉識(shí)別門禁

Arm Immortalis 實(shí)現(xiàn) 3D 游戲新境界

新聞重點(diǎn)· 隨著業(yè)界首次采用 Arm 2022 全面計(jì)算解決方案，Arm 持續(xù)提高安卓生態(tài)系統(tǒng)的性能標(biāo)桿· Arm Immortalis-G715 支持基于硬件的光線追蹤，將為高級(jí)移動(dòng)游戲提供超真實(shí)的圖形性能· Arm Cortex-X3 所提供的計(jì)算基礎(chǔ)可為新一代智能手機(jī)提供具有智能能效的旗艦性能Arm? 今日宣布，MediaTek 近期發(fā)布的天璣 9200 移動(dòng)芯片采用了 Arm 旗艦級(jí) GPU Arm Immortalis?-G
關(guān)鍵字： Arm Immortalis 3D 游戲

三星開始量產(chǎn)第8代V-NAND，存儲(chǔ)密度高達(dá)1Tb

作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會(huì)和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。三星電子第八代V-NAND，1Tb三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁SungHoi Hu表示："市場(chǎng)對(duì)更高密度、更大容量存儲(chǔ)的需求，推動(dòng)了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3
關(guān)鍵字：三星 V-NAND 存儲(chǔ)密度