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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d nand

三星宣布量產第 8 代 V-NAND 閃存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

  • IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒有發(fā)布任何實際產品，但三星電子現(xiàn)宣布已經開始大規(guī)模生產其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度，當搭配高端主控使用時，它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據(jù)介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實際密度，不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱，與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比，
  • 關鍵字： V-NAND  閃存  三星  

存儲系統(tǒng)的數(shù)字安全技術

  • NAND 閃存用于各種消費和工業(yè)產品，從筆記本電腦和手機到工業(yè)機器人、醫(yī)療設備和嵌入式物聯(lián)網設備，如傳感器和控制器。 在我們日益互聯(lián)的世界中，這些應用程序中的所有脆弱點都需要足夠和強大的安全措施，包括數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)。 因此，在選擇或設計 NAND 閃存存儲系統(tǒng)時，必須確保存儲器的安全性滿足應用程序的要求。執(zhí)行現(xiàn)代安全技術需要足夠的處理能力。 作為存儲系統(tǒng)的“大腦”，NAND閃存控制器必須足夠強大以支持整個存儲系統(tǒng)所需的安全級別。 本文概述了 NAND 閃存的安全性，涵蓋了最常見的硬件和軟件技術，有助于告知讀
  • 關鍵字： 存儲系統(tǒng)  數(shù)字安全  海派世通  NAND  

SK海力士：未研究過“轉移中國工廠設備”相關具體計劃

  • 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉移中國工廠設備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績發(fā)表會上，針對由于地緣政治問題及多種因素導致中國工廠運營受困的各種假想情境，作出了可能會考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中，“中國工廠的設備轉移”等相關發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場回復，SK海力士澄清并未研究過與此相關的具體計劃。另外，針對美國對芯片設備出口的管制，SK海力士表示，
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  NAND  

臺積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟

  • 臺積電10月27日宣布，成立開放創(chuàng)新平臺（OIP）3D Fabric聯(lián)盟以推動3D半導體發(fā)展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個合作伙伴同意加入。據(jù)悉，3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術，使得他們能夠與臺積電同步開發(fā)及優(yōu)化解決方案，也
  • 關鍵字： 臺積電  三星  ARM  美光  OIP 3D Fabric  

IQE 宣布與全球消費電子領導者達成長期戰(zhàn)略協(xié)議

  • -        長期批量供應協(xié)議即刻生效-        為下一代 3D 傳感應用開發(fā) VCSEL 技術-        進一步加強 IQE 作為 3D 傳感市場領導者的地位 IQE plc（AIM 股票代碼：IQE，以下簡稱“IQE”或“集團”），全球領先的化合物半導體晶圓產品和先進材
  • 關鍵字： IQE  VCSEL   3D 傳感  

西門子推軟件解決方案 加快簡化2.5D/3D IC可測試性設計

  • 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案，旨在幫助客戶加快和簡化基于2.5D和3D架構的新一代集成電路（IC）關鍵可測試性設計（DFT）。隨著市場對于更小巧、更節(jié)能和更高效能的IC需求日益提升，IC設計界也面臨著嚴苛挑戰(zhàn)。下一代組件正傾向于采用復雜的2.5D和3D架構，以垂直（3D IC）或并排（2.5D）方式連接多個晶粒，使其能夠作為單一組件運作。但是，這種做法為芯片測試帶來巨大的挑戰(zhàn)，因為大部分傳統(tǒng)的測試方法都是基于常規(guī)的2D流程。為了解決這些挑戰(zhàn)，西門子推出Tess
  • 關鍵字： 西門子  2.5D  3D  可測試性設計   

高手在民間 世界技能大賽特別賽中國已奪8金 位居第一

  • 　　10月17日，2022年世界技能大賽特別賽韓國賽區(qū)閉幕式舉行，中國6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個優(yōu)勝獎，實現(xiàn)多個項目上金牌和獎牌零的突破。　　本次特別賽韓國賽區(qū)比賽于10月12日開幕，共舉行8個項目的比賽，吸引了來自34個國家和地區(qū)的130余名選手參賽。中國選手參加其中6個項目的角逐?！　∑渲?，來自廣州市工貿技師學院的選手楊書明獲得移動應用開發(fā)項目金牌，成為本次大賽該新增項目首個金牌獲得者?！　碜陨钲诩紟煂W院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數(shù)字游戲藝術項目、云計算項目金牌，實現(xiàn)我國在這兩個項目上
  • 關鍵字： 世界技能大賽  3D  云計算  

SK海力士與美國完成協(xié)商，確保在一年內不獲取許可的前提下為中國工廠供應設備

  • SK海力士于10月12日通過聲明表示，公司完成與美國商務部進行協(xié)商，確保在接下來一年內不獲取個別許可的前提下為中國工廠供應所需的半導體生產設備。借此，SK海力士預期將能夠在接下來一年內不獲取美方個別許可的前提下為中國工廠保障生產設備的供應，進而維持在中國的生產經營。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國持續(xù)生產半導體產品的協(xié)商。SK海力士將繼續(xù)與韓國政府及美國商務部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運營盡最大的努力?！泵绹虅詹肯惹坝?0月7日發(fā)布稱，將限制用于在中國生產18納米以下
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  NAND  

業(yè)界首發(fā)，美光232層NAND，開啟存儲技術創(chuàng)新浪潮

  • 如何開發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時容量更大的閃存產品，這是美光研發(fā)工程師每天都要應對的挑戰(zhàn)。隨著各國對數(shù)字化轉型和云遷移的重視，世界對存儲容量和性能的要求越來越大。美光正在迎接這一創(chuàng)新變局。這些變化體現(xiàn)在異構計算、邊緣計算、數(shù)據(jù)中心、金融系統(tǒng)實時大數(shù)據(jù)更新，以及移動設備、消費電子、汽車信息娛樂系統(tǒng)帶來智能化沉浸式體驗。美光232層NAND技術為這些高性能存儲應用環(huán)境提供了可能。優(yōu)秀的架構，高效優(yōu)化存儲顆粒的使用空間和密度 美光推出的全球首款232層NAND基于CuA架構，通過增加NAN
  • 關鍵字： 美光  232層  NAND  存儲技術  

AOI+AI+3D 檢測鐵三角成形

  • 疫情突顯產業(yè)供應鏈中斷和制造業(yè)缺工問題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業(yè)快速轉型，走向更自動化、數(shù)字化的智能化方向。因此，各產業(yè)對自動光學檢測(AOI)技術的需求更為殷切。疫情突顯產業(yè)供應鏈中斷和制造業(yè)缺工問題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業(yè)快速轉型，走向更自動化、數(shù)字化的智能化方向。導入自動化及AI的過程中，傳統(tǒng)人力逐漸被取代，也改變產線人員配置的傳統(tǒng)生態(tài)，其中，可以確保產線及產品質量的自動檢測儀器不僅發(fā)揮精準有效的優(yōu)勢，還能針對缺陷或瑕疵及時修復、舍棄，降低不必要的時間成本與人力成本，快速穩(wěn)定且
  • 關鍵字： 自動光學檢測  AOI  AI  3D  檢測鐵三角  

西門子與聯(lián)華電子合作開發(fā)3D IC混合鍵合流程

  • 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時向全球客戶提供此項新流程。通過在單個封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術，客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實現(xiàn)多個組件功能。相比于在 PCB
  • 關鍵字： 西門子  聯(lián)華電子  3D IC  混合鍵合流程  

集邦：第四季NAND Flash價格續(xù)跌15～20％

  • 根據(jù)集邦科技研究顯示，目前NAND Flash正處于供過于求，下半年起買方著重去化庫存而大幅減少采購量，賣方開出破盤價以鞏固訂單，使第三季NAND晶圓（wafer）價格跌幅達30～35％，但各類NAND Flash終端產品仍疲弱，原廠庫存因此急速上升，預期將導致第四季NAND Flash總體平均價格跌幅擴大至15～20％。集邦表示，因為需求低迷導致NAND Flash下半年價格大跌，多數(shù)原廠的NAND Flash產品銷售也將自今年底前正式步入虧損，意即部分供貨商在運營陷入虧損的壓力下，對于采取減產以降低虧
  • 關鍵字： 集邦  NAND Flash  

庫存難減 DRAM價Q4恐再跌13～18％

  • 市調機構表示，在高通脹影響下，消費性產品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購，導致供貨商庫存壓力進一步升高。同時，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場上已有「第三、四季合并議價」或「先談量再議價」的情形，導致第四季DRAM價格續(xù)跌13％～18％。標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫存，而DRAM供應端在營業(yè)利益仍佳的前提下，未有實際減產情形，故位產出仍持續(xù)升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
  • 關鍵字： 集邦  DRAM  NAND  

拆機證實，國行蘋果 iPhone 14 / Pro 系列已采用長江存儲國產 NAND 閃存

  • IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，蘋果召開新品發(fā)布會，正式發(fā)布了 iPhone 14 系列手機，起價 5999 元。在此之前，韓媒消息稱中國廠商長江存儲已經進入蘋果供應鏈，將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續(xù)蘋果也承認正考慮從長江存儲采購 NAND 芯片，但僅會用于在中國銷售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，蘋果高度依賴三星電子、SK 海力士等韓國存儲芯片廠商。因此，市場觀察人士認為，蘋果與長江存儲合作，將使他們 NAND 閃存的供應商進一步
  • 關鍵字： iPhone 14  NAND  長江存儲  

NAND半壁江山 三星與海力士拿下全球閃存市場52.9%份額

  • 根據(jù)市場研究機構TrendForce最近發(fā)布的報告顯示，在2022年二季度全球NAND Flash閃存市場中，三星電子與SK海力士拿下了全球52.9%的市場份額。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2022年二季度三星電子NAND銷售額為59.8億美元，環(huán)比下滑5.4%，排名第一。SK海力士因為對英特爾NAND閃存業(yè)務收購的完成，2022年二季度銷售額位36.15億美元，環(huán)比增長12.1%，超越了鎧俠，成為了全球第二大NAND閃存廠商，兩家韓國廠商已經那拿下了全球NAND市場52.9%的份額。
  • 關鍵字： NAND  內存  
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3d nand介紹

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