首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 12lp+finfet

下一代晶體管技術(shù)何去何從

  •   大量的金錢(qián)和精力都花在探索FinFET工藝,它會(huì)持續(xù)多久和為什么要替代他們?   在近期內(nèi),從先進(jìn)的芯片工藝路線(xiàn)圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會(huì)基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FD SOI工藝的平面技術(shù),有望可縮小到10nm節(jié)點(diǎn)。但是到7nm及以下時(shí),目前的CMOS工藝路線(xiàn)圖已經(jīng)不十分清晰。   半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)探索了一些下一代晶體管技術(shù)的候選者。例如在7nm時(shí),采用高遷移率的FinFET,及用III-V族元素作溝道材料來(lái)提高電荷的遷移率。然后,到5nm時(shí),可能會(huì)有兩種技術(shù),其中一種是環(huán)柵F
  • 關(guān)鍵字: 晶體管  FinFET  

半導(dǎo)體工藝向14/16nm FINFET大步前進(jìn)

  • 幾乎所有繼續(xù)依靠先進(jìn)半導(dǎo)體工藝來(lái)帶給自己芯片性能與功耗競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的廠商,紛紛將自己的設(shè)計(jì)瞄準(zhǔn)了即將全面量產(chǎn)的FINFET技術(shù)。在這一市場(chǎng)需求推動(dòng)下,似乎20nm這一代,成為很多代工廠眼中的雞肋,巴不得直接跨越20nm,直奔16/14nm的FINFET。
  • 關(guān)鍵字: TSMC  FINFET  智能手機(jī)  201401  

SoC系統(tǒng)開(kāi)發(fā):FinFET在系統(tǒng)級(jí)意味著什么

  • FinFET給芯片設(shè)計(jì)業(yè)帶來(lái)的改變幾乎是革命性的,帶來(lái)了各種新的要求,同時(shí)也推動(dòng)了各種創(chuàng)新。
  • 關(guān)鍵字: SoC  FinFET  

SoC系統(tǒng)開(kāi)發(fā):FinFET在系統(tǒng)級(jí)意味著什么

  •   大家都在談?wù)揊inFET——可以說(shuō),這是MOSFET自1960年商用化以來(lái)晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人,都認(rèn)為20nm節(jié)點(diǎn)以后,F(xiàn)inFET將成為SoC的未來(lái)。但是對(duì)于要使用這些SoC的系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員而言,其未來(lái)會(huì)怎樣呢?   回答這一問(wèn)題最好的方法應(yīng)該是說(shuō)清楚FinFET對(duì)于模擬和數(shù)字電路設(shè)計(jì)人員以及SoC設(shè)計(jì)人員究竟意味著什么。從這些信息中,我們可以推斷出FinFET在系統(tǒng)級(jí)意味著什么。
  • 關(guān)鍵字: SoC  FinFET  

Synopsys力挺臺(tái)積電16納米FinFET

  •   全球IC矽智財(cái)供應(yīng)商新思科技(Synopsys)力挺臺(tái)積電的16納米FinFET(鰭式場(chǎng)效晶體管),全力協(xié)助臺(tái)積電加入導(dǎo)入這項(xiàng)新制程量產(chǎn)行列。   新思科技是「臺(tái)積電大同盟」成員之一,昨天也宣布獲臺(tái)積電頒發(fā)開(kāi)放創(chuàng)創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)「2013年度最佳伙伴獎(jiǎng)」,以表彰對(duì)臺(tái)積電先進(jìn)制程的貢獻(xiàn)。   臺(tái)積電16納米FinFET制程,是對(duì)抗英特爾及三星等勁敵的重要技術(shù),臺(tái)積電將以大同盟的陣營(yíng),聯(lián)合IP、自動(dòng)化工具、設(shè)備及芯片設(shè)計(jì)業(yè)的力量應(yīng)戰(zhàn)。臺(tái)積電16納米預(yù)定明年第4季試產(chǎn),2015年第1季量產(chǎn)。
  • 關(guān)鍵字: Synopsys  FinFET  

先進(jìn)制程競(jìng)賽Xilinx首重整合價(jià)值

  •   由于ASIC的研發(fā)成本居高不下,加上近來(lái)FPGA不斷整合更多的功能,同時(shí)也突破了過(guò)往功耗過(guò)高的問(wèn)題,尤其當(dāng)進(jìn)入28奈米制程之后,其性?xún)r(jià)比開(kāi)始逼近ASSP與ASIC,促使FPGA開(kāi)始取代部分ASIC市場(chǎng),應(yīng)用范圍也逐步擴(kuò)張。   附圖: Xilinx揭露未來(lái)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)狀況。 資料來(lái)源:Xilinx   掌握這樣的趨勢(shì),讓FPGA大廠Xilinx在28奈米的產(chǎn)品營(yíng)收持續(xù)成長(zhǎng)。 Xilinx企業(yè)策略與行銷(xiāo)資深副總裁Steve Glaser指出,預(yù)估今年在28奈米產(chǎn)品線(xiàn)將會(huì)有1億美元的營(yíng)收,市占率高
  • 關(guān)鍵字: Xilinx  FinFET  

新開(kāi)發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

  •   比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱(chēng)開(kāi)發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS至7nm及其以下,以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。   隨著晶片微縮即將接近原子級(jí)的限制,業(yè)界致力于提高晶片性能與降低功耗的各種方法逐漸面臨瓶頸。透過(guò)為矽晶整合更高性能的材料,例如可提供更高載子速度與更高驅(qū)動(dòng)電流的III-V族電晶體通道,這種新的化合物半導(dǎo)體可望超越矽晶本身性能,持續(xù)微縮至更制程。  
  • 關(guān)鍵字: FinFET  矽材料  

Mentor工具被納入臺(tái)積電16納米FinFET制程技術(shù)參考流程

  • Mentor Graphics公司(納斯達(dá)克代碼:MENT)日前宣布它已完成其用于臺(tái)積電16納米FinFET制程的數(shù)字成套工具。臺(tái)積電16納米參考流程包含一些新功能,用于Olympus-SoC?布局與布線(xiàn)系統(tǒng)的16納米設(shè)計(jì),以及Calibre?物理驗(yàn)證和可制造性設(shè)計(jì)(DFM)平臺(tái)。
  • 關(guān)鍵字: Mentor  FinFET  

FinFET新技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的影響

  •   FinFET稱(chēng)為鰭式場(chǎng)效晶體管,由于晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。FinFET是對(duì)場(chǎng)效晶體管的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì),變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu),其控制電流通過(guò)的閘門(mén)被設(shè)計(jì)成類(lèi)似魚(yú)鰭的叉狀3D架構(gòu),將原來(lái)的單側(cè)控制電路接通與斷開(kāi)變革為兩側(cè)。   FinFET這樣創(chuàng)新設(shè)計(jì)的意義,在于改善了電路控制并減少漏電流,縮短了晶體管的閘長(zhǎng),對(duì)于制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化、IP與設(shè)計(jì)方法等產(chǎn)生重要影響與變革。FinFET技術(shù)升溫,使得半導(dǎo)體業(yè)戰(zhàn)火重燃,尤其是以Fi
  • 關(guān)鍵字: FinFET  半導(dǎo)體制造  

FinFET引爆投資熱 半導(dǎo)體業(yè)啟動(dòng)新一輪競(jìng)賽

  •   半導(dǎo)體業(yè)界已發(fā)展出運(yùn)用FinFET的半導(dǎo)體制造技術(shù),對(duì)制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化、IP與設(shè)計(jì)方法產(chǎn)生極大變化。特別是IDM業(yè)者與晶圓代工廠正競(jìng)相加碼研發(fā)以FinFET生產(chǎn)應(yīng)用處理器的技術(shù),促使市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)急速升溫。   過(guò)去數(shù)10年來(lái),互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)平面電晶體一直是電子產(chǎn)品的主要建構(gòu)材料,電晶體幾何結(jié)構(gòu)則一代比一代小,因此能開(kāi)發(fā)出高效能且更便宜的半導(dǎo)體晶片。   然而,電晶體在空間上的線(xiàn)性微縮已達(dá)極限,電晶體縮小到20奈米(nm)以下,會(huì)降低通道閘極控制效果,造成汲極(Dr
  • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  FinFET  

專(zhuān)家聚首談FinFET趨勢(shì)下3D工藝升級(jí)挑戰(zhàn)

  •   日前,SeMind舉辦了圓桌論壇,邀請(qǐng)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造的專(zhuān)家齊聚一堂,共同探討未來(lái)晶體管、工藝和制造方面的挑戰(zhàn),專(zhuān)家包括GLOBALFOUNDRIES的高級(jí)技術(shù)架構(gòu)副總裁Kengeri SUBRAMANI ,Soitec公司首席技術(shù)官Carlos Mazure,Intermolecular半導(dǎo)體事業(yè)部高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Raj Jammy以及Lam公司副總裁Girish Dixit。   SMD :從你們的角度來(lái)看,工藝升級(jí)短期內(nèi)的挑戰(zhàn)是什么?   Kengeri :眼下,我們正在談?wù)摰?8nm到2
  • 關(guān)鍵字: FinFET  3D  

爭(zhēng)搶1xnm代工商機(jī) 晶圓廠決戰(zhàn)FinFET制程

  •   鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場(chǎng)。為卡位16/14納米市場(chǎng)商機(jī),臺(tái)積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù),并各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略,預(yù)計(jì)將于2014~2015年陸續(xù)投入量產(chǎn),讓晶圓代工市場(chǎng)頓時(shí)硝煙彌漫。   FinFET制程將成晶圓廠新的角力戰(zhàn)場(chǎng)。為卡位16/14納米市場(chǎng)商機(jī),并建立10納米發(fā)展優(yōu)勢(shì),臺(tái)積電、聯(lián)電和格羅方德正傾力投資FinFET技術(shù),并已將開(kāi)戰(zhàn)時(shí)刻設(shè)定于2014?2015年;同時(shí)也各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略,期抗衡英特爾和三星
  • 關(guān)鍵字: FinFET  晶圓  

英盛德:FinFET技術(shù)日趨盛行 利益前景可觀

  •   英格蘭錫爾--(美國(guó)商業(yè)資訊)--世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到芯片集成電路設(shè)計(jì)咨詢(xún)公司之一的英盛德認(rèn)為,F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為集成電路設(shè)計(jì)商帶來(lái)新的挑戰(zhàn),因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來(lái)的尺寸優(yōu)勢(shì)中受益。   工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說(shuō):“最近,在德州召開(kāi)的設(shè)計(jì)自動(dòng)化大會(huì)(Design Automation Conference)上,展廳中討論FinFET技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣,我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶(hù)——包括消費(fèi)、電腦和圖形行業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)&md
  • 關(guān)鍵字: 集成電路設(shè)計(jì)  FinFET  

英盛德:FinFET技術(shù)日盛 前景可觀

  •   根據(jù)美國(guó)商業(yè)資訊報(bào)導(dǎo),世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到晶片積體電路設(shè)計(jì)顧問(wèn)公司之一的英盛德(Sondrel)認(rèn)為,F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為積體電路設(shè)計(jì)商帶來(lái)新的挑戰(zhàn),因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來(lái)的尺寸優(yōu)勢(shì)中受惠。   工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說(shuō):「最近,在德州召開(kāi)的設(shè)計(jì)自動(dòng)化大會(huì)(Design Automation Conference)上,展場(chǎng)中討論FinFET技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣,我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶(hù)——包括消費(fèi)、電腦和圖形產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)&mdash
  • 關(guān)鍵字: Sondrel  FinFET  

晶圓廠的FinFET混搭制程競(jìng)賽

  •   一線(xiàn)晶圓廠正紛紛以混搭20納米制程的方式,加速14或16納米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆預(yù)計(jì)在2014年以14納米FinFET前段閘極結(jié)合20納米后段金屬導(dǎo)線(xiàn)制程的方式達(dá) 成試量產(chǎn)目標(biāo);而臺(tái)積電為提早至2015年跨入16納米FinFET世代,初版方案亦可望采用類(lèi)似的混搭技術(shù),足見(jiàn)此設(shè)計(jì)方式已成為晶圓廠進(jìn)入 FinFET世代的共通策略。   聯(lián)華電子市場(chǎng)行銷(xiāo)處處長(zhǎng)黃克勤提到,各家廠商在16/
  • 關(guān)鍵字: 晶圓  FinFET  
共137條 8/10 |‹ « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 »

12lp+finfet介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條12lp+finfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)12lp+finfet的理解,并與今后在此搜索12lp+finfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473