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基于SOI和體硅的FinFET對(duì)比研究

  • 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向22納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)外觀的發(fā)展，一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維（3D）FinFET器件結(jié)構(gòu)的過渡。相對(duì)于平面晶體管，F(xiàn)inFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效應(yīng)。當(dāng)平面晶體管的柵極在溝道之上，F(xiàn)inFET的柵極環(huán)繞溝道，從雙向提供靜電控制。
  • 關(guān)鍵字： SOI  體硅  FinFET  

英特爾Finfet晶體管架構(gòu)未到瓜熟蒂落時(shí)

  • 　　自從Intel正式對(duì)外公布22nm制程節(jié)點(diǎn)將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構(gòu)，吸引了眾人的注意之后，臺(tái)積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場(chǎng)在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)(至少到下一個(gè)節(jié)點(diǎn)制程時(shí))仍將采用傳統(tǒng)基于平面型晶體管結(jié)構(gòu)的技術(shù)。他們給出的理由是，Intel手上只有少數(shù)幾套芯片產(chǎn)品，因此Intel方面要實(shí)現(xiàn)到Finfet的晶體管架構(gòu)升遷時(shí)，在芯片設(shè)計(jì)與制造方面需要作出的改動(dòng)相對(duì)較小，而芯片代工商則情況 完全不同。
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  Finfet  
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