閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

非易失性存儲器主導(dǎo)閃存發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)

閃存幾乎無處不在，特別是在移動(dòng)設(shè)備中。閃存具有各種外形尺寸，隨著成本的不斷降低以及容量和工作壽命的不斷增 ...
關(guān)鍵字：非易失存儲器閃存

MAXQ構(gòu)架上閃存和SRAM存儲器的分配

MAXQ架構(gòu)是一種基于標(biāo)準(zhǔn)Harvard結(jié)構(gòu)、功能強(qiáng)大的單周期RISC微控制器，程序和數(shù)據(jù)存儲總線相互獨(dú)立。這種組織 ...
關(guān)鍵字： MAXQ 閃存 SRAM存儲器

NAND閃存深入解析

對于許多消費(fèi)類音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn) ...
關(guān)鍵字： NAND 閃存

德州儀器聯(lián)手Continental推出65 納米安全ARM? Cortex? 微控制器

日前，德州儀器 (TI) 與國際汽車供應(yīng)商 Continental 愉悅宣布，雙方合作推出首款支持閃存技術(shù)的 65 納米 ARM Cortex 安全微控制器已投入量產(chǎn)。支持電子制動(dòng)系統(tǒng) (PACE) 高級控制的 Continental 處理器是 Continental MK 100 系列電子穩(wěn)定控制 (ESC) 系統(tǒng)的基礎(chǔ)。
關(guān)鍵字： TI MCU 閃存

生產(chǎn)商過多 NOR閃存前景黯淡

　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場動(dòng)態(tài)簡報(bào)，NOR閃存市場2013年一定會再度面臨挑戰(zhàn)。該市場中廠商眾多，都在爭食一張日益萎縮的大餅。　　今年NOR營業(yè)收入預(yù)計(jì)從2012年的34.8億美元下降到34.1億美元左右，這將只是2004年93億美元峰值的40%。雖然該產(chǎn)業(yè)一直積極建立多存儲(multimemory)策略以提高業(yè)務(wù)多元化和改善NOR前景，但未來的營業(yè)收入前景仍然令人泄氣。　　尤其是，在一個(gè)已經(jīng)比較分散和不斷萎縮的市場中竟然有16家以上的NOR廠商，全部廠商都繼續(xù)成長和共存似乎不太可
關(guān)鍵字： NOR 閃存

NOR閃存營業(yè)收入預(yù)計(jì)下降

　　據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)與嵌入存儲市場追蹤報(bào)告，NOR閃存前景不妙。在智能手機(jī)與平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品領(lǐng)域，NOR已經(jīng)輸給NAND閃存。　　今年NOR閃存營業(yè)收入預(yù)計(jì)從2012年的34.8億美元降到34.1億美元。與10年前的輝煌時(shí)期相比，近幾年NOR營業(yè)收入水平相形見絀。2004年光景最好的時(shí)候，NOR營業(yè)收入創(chuàng)出了90億美元的最高記錄。　　2013年NOR營業(yè)收入將進(jìn)一步降至34.1億美元，2014年降到32.5億美元，2015和2016年略有回升，然后2017年降到32.7億美元，
關(guān)鍵字： NOR 閃存

NAND閃存去年第四季度意外增長

　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場簡報(bào)，2012年第四季度NAND閃存產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入創(chuàng)出最高紀(jì)錄，結(jié)束了之前連續(xù)五個(gè)第四季度的下滑局面。　　2012年第四季度NAND產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入為56億美元，比第三季度的48億美元?jiǎng)旁?7%。從兩個(gè)方面來看，這種環(huán)比增長具有重要意義：一是結(jié)束了最近第四季度營業(yè)收入均呈現(xiàn)下滑的趨勢，二是創(chuàng)出了產(chǎn)業(yè)歷史上的最高營業(yè)收入記錄。　　三星電子占總體營業(yè)收入的三分之一以上，名列前茅。NAND閃存產(chǎn)業(yè)由少數(shù)幾家廠商嚴(yán)密控制。2012年NAND閃存營業(yè)收入為202億美元，
關(guān)鍵字： NAND 閃存

閃存與磁盤的區(qū)別

在過去的幾年里，閃存與磁盤之間的爭議很多，也發(fā)生了顯著的變化?，F(xiàn)在，我們已經(jīng)不再討論閃存是否可以在企業(yè)中使用了，而是更多地關(guān)注其性價(jià)比，以及它在現(xiàn)代化軟件定義數(shù)據(jù)中心作為一個(gè)關(guān)鍵的構(gòu)建模塊的接受力度。
關(guān)鍵字：區(qū)別磁盤閃存

閃存出錯(cuò):軟件錯(cuò)誤還是電源電壓故障(下)?

當(dāng)任意一個(gè)電源電壓低于其閾值時(shí)，激活CPU復(fù)位可以最大限度地降低閃存出錯(cuò)的可能性。這可以防止在電源故障條件下，繼續(xù)執(zhí)行代碼。復(fù)位發(fā)生器激活CPU復(fù)位信號及閃存的寫保護(hù)信號。在某些情況下，復(fù)位發(fā)生器的輸出并不是直接用于CPU復(fù)位。相反，它被連接到一個(gè)CPLD來執(zhí)行一個(gè)復(fù)位分配算法。
關(guān)鍵字： CPU ADC 閃存

分析：iPhone助推2012年閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展

　　根據(jù)信息與數(shù)據(jù)分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數(shù)據(jù)報(bào)告，雖然蘋果公司對閃存(NAND)需求旺盛，但由于超級本銷售仍然低迷，使得全球閃速存儲器市場收益下降了7個(gè)百分。去年，閃存(NAND)產(chǎn)業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過，經(jīng)過去年的低迷期，今年收益將有所增長，達(dá)到224億美元，并在接下來的幾年內(nèi)持續(xù)增長。　　具體可參見下表。　　 ? 　　“閃存具備高密度內(nèi)存，大容量傳輸?shù)男阅堋Ｔ?012年，蘋果iPhone是NAND的
關(guān)鍵字：閃存 NAND

鴻利會稱2013智能機(jī)成閃存最大消費(fèi)者

據(jù)媒體報(bào)道，市場研究公司IHS iSuppli預(yù)期，2013年手機(jī)將成為全球最大的閃存消費(fèi)產(chǎn)品，這主要得益于智能手機(jī)在全球技術(shù)市場中地位的日益凸顯。　　目前，市場上有大量產(chǎn)品都采用了NAND閃存，但HIS表示，2013年手機(jī)閃存出貨量在全球閃存總出貨量中的占比將升至24.6%。
關(guān)鍵字：智能手機(jī) 閃存

世界最快閃存有顆“武漢芯”

　　不到兩個(gè)指甲蓋大小的芯片，內(nèi)存達(dá)8GB，讀取一部4GB的高清電影，僅需43秒鐘——世界最快的45納米閃存，已在武漢誕生。29日，市長唐良智調(diào)研武漢新芯集成電路制造有限公司，該公司透露，這種最新式的閃存，將在今年一季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。　　“我們正努力把閃存的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，往前推進(jìn)。”剛剛履新武漢新芯CEO的楊士寧說，“我們?yōu)槊绹旧a(chǎn)的閃存，是最快、容量最高的NOR閃存?！? 　　此外，武漢新芯擬投資6.35億美元，將原每月3萬片的12
關(guān)鍵字：武漢新芯閃存 45納米

2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮

據(jù)IHS iSuppli Data的閃存市場追蹤報(bào)告，2012年蘋果iPhone是推動(dòng)NAND閃存消費(fèi)的最大因素。由于超級本未能實(shí)現(xiàn)騰飛，2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮。
關(guān)鍵字：蘋果閃存 NAND

LSI公布四季度及2012年全年業(yè)績

LSI公司(NYSE：LSI)日前公布四季度業(yè)績以及截止至2012年12月31日的全年業(yè)績。
關(guān)鍵字： LSI 閃存網(wǎng)絡(luò)

Microchip小巧靈活的8位閃存單片機(jī)解決方案

Microchip公司的小型低引腳數(shù)閃存PIC 單片機(jī)具有小巧靈活的特點(diǎn)，為開發(fā)、設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過程帶來諸多便利。PIC 系列單片機(jī)采用小型封裝，更適用于對體積和大小有嚴(yán)格限制的應(yīng)用場合。PIC 單片機(jī)的特點(diǎn)簡介PIC 單片機(jī)的數(shù)
關(guān)鍵字：單片機(jī) 解決方案閃存靈活小巧 Microchip

共575條 17/39 |‹ « 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 » ›|

閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]