閃存文章最新資訊

基于EPG3231和閃存的聲音播放器設(shè)計(jì)方案

摘要：提出一種在單片機(jī)系統(tǒng)中比較簡(jiǎn)單地使用大容量NAND FLASH存儲(chǔ)器的方法。與一般方法相比，編寫(xiě)應(yīng)用程序的程序員不需要掌握計(jì)算機(jī)文件系統(tǒng)的規(guī)范，只要按照NAND FLASH的讀、寫(xiě)、擦除等時(shí)序?qū)ζ溥M(jìn)行操作，把NANDFL
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LSI全新Nytro MegaRAID(R)加速卡性能提高47倍

LSI 公司(NYSE：LSI)日前宣布面向全球渠道推出 PCIe(R)閃存 LSI(R) Nytro(TM) MegaRAID(R)卡，為直連存儲(chǔ)(DAS)提供簡(jiǎn)單、透明和低成本的應(yīng)用加速功能。Nytro MegaRAID 卡的獨(dú)特之處在于采用領(lǐng)先的 LSI 雙核片上 RAID(ROC)技術(shù)，將 PCIe 閃存技術(shù)、智能緩存軟件與企業(yè) RAID 數(shù)據(jù)保護(hù)功能實(shí)現(xiàn)完美結(jié)合。
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基于浮柵技術(shù)的閃存介紹

基于浮柵技術(shù)的閃存介紹,　恒憶
　　圖. 1 對(duì)一個(gè)閃存晶體管進(jìn)行寫(xiě)操作　　浮柵內(nèi)的電子會(huì)提高晶體管的閾值電壓;在單級(jí)閃存單元內(nèi)，這相當(dāng)于一個(gè)存儲(chǔ)二進(jìn)制數(shù)字“0”的存儲(chǔ)單元。　　　　圖2 在完成寫(xiě)操作后閾值電壓被偏移　　
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閃存與控制器結(jié)合美光挑戰(zhàn)SSD技術(shù)高峰

　　在閃存業(yè)務(wù)方面若想獲得成功，你需要結(jié)合閃存產(chǎn)品和控制器技術(shù)，美光表示這兩樣，它都具備。　　半導(dǎo)體制造商美光已經(jīng)一定的閃存基礎(chǔ)，提供SSD和PCIe連接的閃存卡，例如，被EMC VFCache采用的SLCP 320h。另外P320h的熱插拔版本已經(jīng)被戴爾服務(wù)器使用。　　美光想要傳達(dá)的主要信息是，閃存技術(shù)將會(huì)變得更加復(fù)雜，需要緊密地集成控制器
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為嵌入式應(yīng)用選擇、實(shí)現(xiàn)NAND閃存海量存儲(chǔ)

標(biāo)簽：NAND POS在嵌入式應(yīng)用中，海量存儲(chǔ)密度正在以前所未有的速度增長(zhǎng)。像便攜式媒體播放器、蜂窩電話(huà)、數(shù)碼相機(jī)、便攜式導(dǎo)航設(shè)備、無(wú)線(xiàn)網(wǎng)卡、閃盤(pán)這樣的消費(fèi)產(chǎn)品由于需要處理越來(lái)越多的多媒體內(nèi)容而要求更高的海量
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閃存技術(shù)在3G時(shí)代的應(yīng)用

標(biāo)簽：閃存技術(shù) 3G下一代手機(jī)將有更多功能服務(wù)的應(yīng)用可使用戶(hù)完成許多曾經(jīng)難以想象的事情。只需一部手機(jī)，人們的購(gòu)物、工作、居家生活將更便捷。這些功能在技術(shù)上的實(shí)現(xiàn)并不困難，但如果缺乏完善的安全保護(hù)系統(tǒng)，人
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軟件技術(shù)可讓閃存替代隨機(jī)存儲(chǔ)器

　　據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)7月19日?qǐng)?bào)道，美國(guó)普林斯頓大學(xué)針對(duì)大型數(shù)據(jù)公司開(kāi)發(fā)出一種軟件技術(shù)，允許采用閃存的方式替代計(jì)算機(jī)隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)運(yùn)行，可以從根本上大幅削減能耗。服務(wù)器公司會(huì)使互聯(lián)網(wǎng)損耗的巨大電力劇增。　　據(jù)《紐約時(shí)報(bào)》的報(bào)道估計(jì)，谷歌在其數(shù)據(jù)中心使用的電力足夠大約20萬(wàn)戶(hù)家庭使用。而大型服務(wù)器中心所采用的計(jì)算機(jī)內(nèi)存類(lèi)型為隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)，其存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)關(guān)。雖然快速、靈活，但操作起來(lái)需要源源不斷的電力，也迫使用戶(hù)花費(fèi)更多的資金用于冷卻
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Spansion串行閃存增強(qiáng)英飛凌開(kāi)發(fā)系統(tǒng)的圖形顯示性能

　　XMC4000 Hexagon開(kāi)發(fā)工具加速電機(jī)控制、工業(yè)自動(dòng)化和太陽(yáng)能電子系統(tǒng)原型設(shè)計(jì) 　　2012年7月19日，中國(guó)北京 – Spansion 公司(紐約證券交易所代碼：CODE)今日宣布英飛凌科技公司已經(jīng)選擇Spansion ? FL 系列串行閃存為其Hexagon開(kāi)發(fā)工具組件提供高性能的 4路 I/O SPI 接口數(shù)據(jù)儲(chǔ)存解決方案。Hexagon工具組件作為基于XMC4000 微控制器的模塊化可擴(kuò)展平臺(tái)，給工程師們提供了一種快速完成工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用(例如電機(jī)控制)或者各種能量
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Spansion串行閃存增強(qiáng)英飛凌開(kāi)發(fā)系統(tǒng)圖形顯示性能

Spansion 公司(紐約證券交易所代碼：CODE)日前宣布英飛凌科技公司已經(jīng)選擇Spansion ? FL 系列串行閃存為其Hexagon開(kāi)發(fā)工具組件提供高性能的 4路 I/O SPI 接口數(shù)據(jù)儲(chǔ)存解決方案。Hexagon工具組件作為基于XMC4000 微控制器的模塊化可擴(kuò)展平臺(tái)，給工程師們提供了一種快速完成工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用(例如電機(jī)控制)或者各種能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)(例如太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化器)的原型設(shè)計(jì)方法。
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汽車(chē)信息娛樂(lè)系統(tǒng)中閃存設(shè)備的管理設(shè)計(jì)

汽車(chē)信息娛樂(lè)和遠(yuǎn)程電子信息處理系統(tǒng)需要從閃存器件中讀寫(xiě)海量數(shù)據(jù)，因此這些器件必須能長(zhǎng)期可靠、無(wú)錯(cuò)地保存數(shù)據(jù)。例如，嵌入到汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)中的閃存芯片必須在若干年的頻繁使用條件下可靠工作。用戶(hù)不希望丟失數(shù)據(jù)
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瑞薩與臺(tái)積電聯(lián)手開(kāi)發(fā)40nm閃存混載技術(shù)

　　繼長(zhǎng)期虧損的SoC之后，瑞薩又加快了利潤(rùn)最高的MCU的外包制造。該公司于2012年5月宣布，將與臺(tái)積電(TSMC)合作開(kāi)發(fā)40nm工藝的閃存混載MCU制造技術(shù)，并委托臺(tái)積電生產(chǎn)。車(chē)載MCU也將成為外包對(duì)象。瑞薩表示，到2016年度將把半導(dǎo)體整體的外包生產(chǎn)比例由2011年度的15%提高到30%。　　日本國(guó)內(nèi)工廠(chǎng)進(jìn)一步空洞化? 　　雖然日本企業(yè)的SoC業(yè)務(wù)相繼出現(xiàn)因承受不了巨額設(shè)備投資而轉(zhuǎn)為外包的情況，但要求高品質(zhì)的車(chē)載MCU等以前一直被認(rèn)為難以實(shí)施外包生產(chǎn)?！扒闆r因東日本大地震而發(fā)生了
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東芝世界首發(fā)19nm制程SSD 增強(qiáng)數(shù)據(jù)保護(hù)功能

　　東芝于今日正式發(fā)布了全球首個(gè)使用19nm制程MLC NAND閃存的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品。東芝新SSD的主要改進(jìn)之處在于主控，配合19nm閃存可實(shí)現(xiàn)對(duì)SATA 3.1標(biāo)準(zhǔn)的支持，讀取/寫(xiě)入速度最大可達(dá)524MB/s和461MB/s(64GB型號(hào)440MB/s)。同時(shí)還集成有獨(dú)家的錯(cuò)誤校驗(yàn)技術(shù)QSBC，并支持微軟下一代垃圾清理技術(shù)Deterministic Zeroing TRIM。　　最關(guān)鍵的改善在于數(shù)據(jù)保護(hù)部分，除突發(fā)性掉電數(shù)據(jù)不丟失之外，一旦閃存出現(xiàn)故障或達(dá)到使用壽命，東芝新SSD可在接電后啟用只讀模
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LSI PCIe閃存適配器助力Cisco和EMC實(shí)現(xiàn)應(yīng)用加速

　　LSI公司(紐約證交所股票代碼：LSI)日前宣布正在與Cisco和EMC開(kāi)展合作，共同將PCIe閃存高速緩存技術(shù)卓越的應(yīng)用加速優(yōu)勢(shì)應(yīng)用于部署廣泛的創(chuàng)新型Cisco UCS B系列刀片服務(wù)器。　　該解決方案將EMC VFCache智能緩存軟件與LSI的第二代PCIe閃存適配器系列LSI Nytro WarpDrive卡相結(jié)合，能進(jìn)一步加速應(yīng)用性能，改善EMC存儲(chǔ)環(huán)境下Cisco服務(wù)器的響應(yīng)時(shí)間。　　目前，服務(wù)器處理器性能的提升步伐已經(jīng)超越了存儲(chǔ)性能的提升速度，因此，如何在不影響現(xiàn)有存儲(chǔ)架構(gòu)的情況
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Spansion發(fā)布SLC NAND閃存系列產(chǎn)品以及未來(lái)五年產(chǎn)品規(guī)劃圖

　　2012年5月28日，中國(guó)上海 – 嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)軍者Spansion公司（紐約證交所代碼：CODE）今日宣布其首個(gè)單層單元(SLC)系列Spansion® NAND閃存產(chǎn)品開(kāi)始出樣。這一最新SLC NAND閃存產(chǎn)品采用4x nm浮柵技術(shù)，專(zhuān)門(mén)用于汽車(chē)、消費(fèi)及網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。Spansion SLC NAND將分為3.0V和1.8V兩個(gè)系列，存儲(chǔ)容量在1 Gb到8 Gb之間，該產(chǎn)品性能更為出色、溫度范圍更廣、享有長(zhǎng)期技術(shù)支持并且符合嚴(yán)格的可靠性要求，例如1位
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解密16Gb MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細(xì)節(jié)

IMFT使用的先進(jìn)工藝可以顯著地改變消費(fèi)電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和使用方式。這些高密度、高性能閃存器件使得Intel支持的Robson閃存緩存技術(shù)以及混合SSD/HD系統(tǒng)(受到微軟、Sandisk和希捷的支持)得以實(shí)現(xiàn)。這些技術(shù)很可能出現(xiàn)在
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]