閃存文章進入閃存技術(shù)社區(qū)

英研發(fā)新型存儲器速度比閃存快百倍

　　英國研究人員最近報告說，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。　　電阻性記憶體的基礎(chǔ)是憶阻材料，這種材料的特殊性在于，在外加電壓時其電阻會發(fā)生變化，隨后即使取消外加電壓，它也能“記住”這個電阻值。在此基礎(chǔ)上開發(fā)出的存儲設(shè)備與現(xiàn)有閃存相比更快更節(jié)能，是業(yè)界近來的研發(fā)熱點。但以前開發(fā)出的這種存儲設(shè)備只能在高度真空環(huán)境中運行。　　英國倫敦大學(xué)學(xué)院等機構(gòu)研究人員日前在《應(yīng)用物理學(xué)雜
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新技術(shù)讓24nm閃存壽命延長13倍

　　NAND閃存工藝技術(shù)不斷進步，但是可靠性和使用壽命卻在倒退。盡管從理論上說依然足夠絕大多數(shù)人用上好幾年的，但這種趨勢終歸讓人很不爽。固態(tài)硬盤廠商STEC近日宣布了一項新技術(shù)“CellCare”，能讓NAND閃存的壽命一下子延長多達13倍。　　CellCare是一項硬件和固件綜合技術(shù)，核心內(nèi)容包括：每個內(nèi)核的閃存參數(shù)追蹤，可帶來更少的、受控的磨損;終生閃存管理，可減少磨損、控制性能、改進性能、降低讀寫延遲;高級錯誤糾正與數(shù)字信號處理，可改進數(shù)據(jù)可靠性、最大程度減少重新讀取。
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基于閃存的大容量存儲陣列

基于閃存的大容量存儲陣列,摘要大容量、高速度、高密度、低功耗、低成本、高可靠性和靈活性一直是星上記錄設(shè)備信息存儲技術(shù)的主要研究內(nèi)容和追求目標。文中研究并實現(xiàn)了一種基于NAND型Flash的高速大容量固態(tài)存儲系統(tǒng)，成果為實際研制應(yīng)用于星
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主導(dǎo)閃存發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)

閃存幾乎無處不在，特別是在移動設(shè)備中。閃存具有各種外形尺寸，隨著成本的不斷降低以及容量和工作壽命的不...
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NAND閃存將呈現(xiàn)爆炸式增長

　　隨著智能手機、平板電腦、超極本等移動互聯(lián)設(shè)備市場的井噴，存儲器Nand Flash也呈現(xiàn)“水漲船高”之勢，Gartner預(yù)估今年Nand閃存市場將增長18%。在近日舉辦的“BIWIN首屆Nand Flash應(yīng)用高峰論壇”上，福州瑞芯微電子有限公司總裁陳鋒直言“后PC時代已經(jīng)到來”，今年平板電腦的出貨量預(yù)計在1.5億臺左右，智能手機將突破6億部，加起來為7.5億部，將遠超今年P(guān)C出貨量，帶動對顯示屏、主控芯片和存儲器關(guān)鍵部件的需求，
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LSI全新Nytro 智能化閃存解決方案上市

LSI 公司(紐約證交所股票代碼：LSI)日前推出了全面的 Nytro 系列解決方案，能夠?qū)?PCIe? 閃存技術(shù)與智能高速緩存和管理軟件進行完美結(jié)合，從而明顯提高數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境的應(yīng)用性能。
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內(nèi)存芯片放顯屏上？透明柔性3D內(nèi)存芯片制成顯示屏

　　據(jù)麻省理工新發(fā)明的透明柔性3D存儲芯片會成為小存設(shè)備中的一件大事。這種新的內(nèi)存芯片透明柔韌，可以像紙一樣折疊，而且可以耐受1000華氏度的溫度，是廚房烤箱最高溫度的兩倍，而且可以耐受其他有害條件，有助于開發(fā)下一代內(nèi)存，可與閃存競爭，用于明天的隨身碟，手機和電腦，這是科學(xué)家在3月27日報道的。　　在美國化學(xué)學(xué)會(American Chemical Society)第243屆全國會議暨博覽會(243rd National Meeting & Exposition)上，發(fā)明者說，一些設(shè)備使用這
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東芝慶祝其閃存技術(shù)發(fā)明二十五周年

　　據(jù)國外媒體報道，NAND閃存技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)有25年的歷史了，而東芝打算來合理地慶祝這一上個世紀80年代在其實驗室被發(fā)明的革命性技術(shù)。東芝稱，幸虧有了閃存，現(xiàn)在人們才得以在他們生活的各個方面享受內(nèi)容上的創(chuàng)新及先進的電子產(chǎn)品。　　東芝稱，“NAND閃存市場增長的很快，其閃存發(fā)貨量在2011年要比DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)多很多，NAND閃存已經(jīng)成為多數(shù)人選擇的硅存儲方式。NAND閃存現(xiàn)在應(yīng)用在一系列的存儲卡上及USB設(shè)備中，在許多消費者、工業(yè)及企業(yè)的云程序中也可以見到?！?
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閃存技術(shù)商Violin Memory完成D輪融資5千萬美元

　　據(jù)國外媒體報道，利用閃存技術(shù)建立儲存陣列的科技公司ViolinMemory，計劃于周一宣布完成規(guī)模達5000萬美元的D輪融資。該公司迄今為止已累積獲得投資資金8億美元。　　參與此輪融資的投資者包括有：出于戰(zhàn)略考量的日本芯片和電子產(chǎn)品制造商東芝、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備生產(chǎn)商Juniper、德國商務(wù)軟件巨頭SAP，以及投資機構(gòu)Highland資本。　　此外，Violin首席執(zhí)行官唐·巴斯勒(DonBasile)還透露，公司正在為今年底的IPO計劃尋找合適的銀行家。　　“上周我們進行
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Spansion批量生產(chǎn)業(yè)界最高密度單芯片512 Mb串行閃存

　　行業(yè)領(lǐng)先的并行和串行NOR閃存芯片供應(yīng)商Spansion公司(紐約證交所代碼：CODE)，日前宣布已經(jīng)開始批量生產(chǎn)512 Mb Spansion FL-S串行(SPI) NOR閃存，該芯片是業(yè)界單顆裸片最高容量的串行閃存方案。Spansion FL-S系列產(chǎn)品容量涵蓋128Mb至1Gb，具有比同類競爭產(chǎn)品快三倍的業(yè)界領(lǐng)先編程速度和快20%的雙倍數(shù)據(jù)讀取速率(DDR)。速度的提升在諸多的嵌入式應(yīng)用中極大地提高了用戶體驗，例如汽車組合儀表盤和信息娛樂系統(tǒng)、工業(yè)和醫(yī)療圖形顯示以及家用網(wǎng)關(guān)和機頂盒。　　S
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MAX16070/MAX16071閃存可配置系統(tǒng)監(jiān)測器

MAX16070/MAX16071閃存可配置系統(tǒng)監(jiān)測器能夠?qū)Χ鄠€系統(tǒng)電壓進行管理。MAX16070/MAX16071還可通過專用的高邊 ...
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NAND FLASU在儲存測試系統(tǒng)中的應(yīng)用

摘要：主要介紹了三星公司的NANDFIJASH存儲器K9K8G08UOM、以FPGA為核心模塊控制K9K8G08UOM的讀操作、寫操作...
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NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計

NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
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研究顯示智能手機性能瓶頸在于閃存而非網(wǎng)絡(luò)

　　佐治亞理工學(xué)院和 NEC 合作的一項研究顯示, 盡管大部分專家和普通用戶都認為 CPU 和糟糕的無線網(wǎng)絡(luò)是智能手機性能問題的主要原因, 但事實上對于大部分現(xiàn)代智能手機, 存儲設(shè)備速度的落后才是手機性能低下的罪魁禍首. 糟糕的閃存而非 CPU 速度或網(wǎng)絡(luò)連接導(dǎo)致了瀏覽網(wǎng)頁和閱讀文檔時的手機卡頓. 　　在對數(shù)款銷量最好的 16GB 存儲卡的測試中, 研究人員使用了最常見的幾種安卓手機, 結(jié)果發(fā)現(xiàn)在大部分手機上 NAND 閃存會導(dǎo)致移動應(yīng)用的性能下降兩到三倍. 唯一例外是金士頓的嵌入式存儲卡 - 它導(dǎo)致的
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閃存時代來臨：傳統(tǒng)機械硬盤難滿足云計算需求

　　閃存存儲器將成為云計算和虛擬化的重要組成部分，現(xiàn)在是時候拋棄傳統(tǒng)硬盤了。云計算和虛擬化已經(jīng)極大地改變了服務(wù)器基礎(chǔ)架構(gòu)，但真正推動存儲行業(yè)復(fù)興則是固態(tài)硬盤和閃存的崛起。　　閃存將繼續(xù)為企業(yè)領(lǐng)域帶來亟需的推動作用。從Fusion-io去年的IPO(首次公開招股)，到Nutanix和Tintri等最近出現(xiàn)的一系列風(fēng)險投資支持的創(chuàng)業(yè)公司，閃存的作用正在越來越大。　　隨著通過虛擬化和云計算部署的應(yīng)用和數(shù)據(jù)庫數(shù)量的增多，傳統(tǒng)硬盤存儲序列正在成為嚴重的性能瓶頸，逐漸被市場邊緣化。虛擬化和云計算基礎(chǔ)架構(gòu)可以減
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]