閃存文章進入閃存技術(shù)社區(qū)

閃存密集型產(chǎn)品需求上升 NAND價格穩(wěn)定帶來正面環(huán)境

　　據(jù)iSuppli公司，由于來自高密度應(yīng)用的需求上升以及供應(yīng)商的產(chǎn)量穩(wěn)步增長，NAND閃存價格波動了兩年之后，該市場已恢復穩(wěn)定。　　第一季度NAND平均價格下降4%，而2009年第四季度是下降1.4%。相比于這些相對溫和的變化，2009年第一季度大漲34%。　　NAND價格持續(xù)透明，導致2009年第四季度營業(yè)收入創(chuàng)出最高記錄，使得多數(shù)NAND供應(yīng)商對于2010年持有非常樂觀的看法。在智能手機和microSD卡等高密度應(yīng)用的推動下，市場對于NAND閃存的需求不斷增長，也增強了廠商的信心。這種旺盛需
關(guān)鍵字：閃存 NAND

富士通開發(fā)NOR型閃存新技術(shù)

　　富士通微電子公司日前宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出一種NOR型閃存新技術(shù)，可提高閃存讀取速度，并同時降低工作電流。富士通在NOR型閃存中，引入了其專利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問隨機存儲)中的電路元素，從而實現(xiàn)了高速低功耗和高可靠性。這種新型NOR閃存可將訪問速度提高2.5倍達，訪問時間僅10ns，同時工作電流降低三分之二達到9µA。通過在嵌入式設(shè)備中應(yīng)用這項技術(shù)，便攜音視頻設(shè)備將有望改進性能，同時延長電池續(xù)航時間。　　富士通表示，將以這項N
關(guān)鍵字：富士通 NOR 閃存

蘋果iPhone手機擴容將導致今年閃存市場出現(xiàn)供不應(yīng)求局面

　　據(jù)iSuppli公司預測，蘋果今年的iPhone生產(chǎn)計劃可能導致新一輪閃存供貨危機的發(fā)生。據(jù)iSuppli公司預測，今年蘋果對其iPhone產(chǎn)品進行升級之后，iPhone手機產(chǎn)品的閃存容量將平均達到35GB之多，比現(xiàn)有的最大容量32GB還多。再加上iPhone本身的銷量還將進一步實現(xiàn)幅度為32%的增長，達到3300萬部左右，這樣全球閃存市場今年將因此而再次呈現(xiàn)閃存供應(yīng)緊張的局面。　　過去，蘋果每年都會將其設(shè)備所裝備的閃存容量以每年增加一倍的速度提升，這樣今年其iPhone手機的閃存容量有望達到64
關(guān)鍵字：蘋果 iPhone 閃存

技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽

　　在最近舉辦的一次會議上，Intel公司屬下NAND閃存集團的新任老總Tom Rampone透露了有關(guān)Intel閃存業(yè)務(wù)的一個驚人規(guī)劃，他們計劃在閃存技術(shù)和SSD產(chǎn)品市場上取得領(lǐng)先地位，但他們并不準備在散片NAND閃存市場上扮演領(lǐng)軍人的角色?？雌饋硭麄儾⒉辉敢庠陲L水輪流轉(zhuǎn)的NAND閃存散片市場和三星，現(xiàn)代以及東芝這些廠商一爭高下，但于此同時,他們又表現(xiàn)出想把三星從SSD業(yè) 務(wù)排名第一的寶座上拉下來的意圖。　　Intel不準備在NAND閃存散片市場稱雄的決定令人稍感驚奇，過去他們一旦進入某個市場，那
關(guān)鍵字： Intel NAND 閃存

基于閃存的星載大容量存儲器的研究和實現(xiàn)

摘要：就閃存應(yīng)用于星載大容量存儲器時的寫入速度慢、存在無效塊等關(guān)鍵問題探討了可行性解決方案，并在方案討論的基礎(chǔ)上論述了一個基于閃存的大容量存儲器的演示樣機的實現(xiàn)。無效塊空間飛行器的數(shù)據(jù)記錄設(shè)備是
關(guān)鍵字：閃存大容量存儲器星載

NAND閃存芯片價格本月逐步趨于平穩(wěn)

　　根據(jù)市場調(diào)研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計，12月后半個月的MLC NAND閃存芯片價格和前半月相比持平，高密度芯片價格則將下降1-5%。　　其中，16Gb芯片期貨價格下降2-7%，32Gb芯片價格持平或下降3%，兩種芯片后半個月的平均銷售價格預計為4.42美元和7.18美元，8Gb芯片的平均價格依舊保持在4.02美元。　　盡管受到季節(jié)性銷售規(guī)律的影響，NAND閃存12月份的銷售價格依舊保持穩(wěn)定?？紤]到一些芯片制造商將重點轉(zhuǎn)移到了工藝升級上，產(chǎn)能上或受影響，很多下游廠商已經(jīng)開始存貨為即
關(guān)鍵字：閃存 NAND

Intel-鎂光發(fā)起反擊,2xnm制程NAND芯片將投入試制

　　在本月22日召開的一次電話會議上，鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品，并對其進行取樣測試。盡管鎂光沒有透露這種2xnm制程的具體規(guī)格數(shù)字，但外界認為他們很可能會于明年初公布有關(guān)的細節(jié)信息。這樣，鎂光及其NAND技術(shù)的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術(shù)，甩開對手三星和東芝，重新回到領(lǐng)先全球NAND制作技術(shù)的寶座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創(chuàng)立有一家專門負責NAND業(yè)務(wù)的IM閃存技術(shù)公司。　　除了制造閃存芯片之外，Intel和鎂光還有出售基
關(guān)鍵字：鎂光 NAND 閃存

東芝第三季度NAND閃存營收環(huán)比增長近50%

　　據(jù)國外媒體報道，市場研究公司iSuppli最新研究數(shù)據(jù)顯示，第三季度全球NAND閃存市場業(yè)績強勁，東芝表現(xiàn)最為搶眼，營收環(huán)比增長近50%。　　全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強于市場，其NAND閃存營收較第二季度的9.24億美元增長了47.5%，達14億美元。東芝在全球NAND閃存市場上位居第二，僅次于三星電子。　　iSuppli資深分析師Michael Yang說：“東芝在第三季度充分利用了有利的NAN
關(guān)鍵字：東芝 NAND 閃存

閃存S29AL016D在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中的應(yīng)用

閃存S29AL016D在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中的應(yīng)用,0 引言
隨著數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)智能化程度的越來越高，經(jīng)常需要在無人干預的情況下，自動加載某些數(shù)據(jù)或參數(shù)到系統(tǒng)工作單元，以保證系統(tǒng)的正常工作。這些數(shù)據(jù)或參數(shù)通常都以數(shù)據(jù)文件形式保存在大容量、低功耗、可快
關(guān)鍵字：理系應(yīng)用處理數(shù)據(jù) S29AL016D 閃存

Numonyx執(zhí)行長：預計未來季度中將重新盈利

　　全球第三大閃存制造商--Numonyx執(zhí)行長Brian Harrison周一表示,預計在接下來的季度中,公司將會開始再度盈利,因該行業(yè)正擺脫長期下滑趨勢,而主要競爭對手經(jīng)營困難也令公司擴大份額。　　Harrison在接受路透電話采訪時稱,公司在三季度接近收支平衡,"希望接下來季度中能盈利,但我們并沒有做任何預測。公司處于有利位置,我們的成本構(gòu)成大幅降低。" 　　Numonyx是一家瑞士的私營企業(yè),由英特爾和意法半導體合資設(shè)立。　　Numonyx和韓國三星和日本東芝等其他大
關(guān)鍵字： Numonyx 閃存

IEEE：NAND閃存技術(shù)將在十年之內(nèi)遭遇技術(shù)極限

　　《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術(shù)，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，結(jié)果選出了兩個最有希望的候選者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。　　PCRAM我們偶爾會有所耳聞。它基于硫系玻璃的結(jié)晶態(tài)和非結(jié)晶態(tài)相變屬性，單元尺寸較小，而且每個單元內(nèi)能保存多個比特，因此存儲密度和成本
關(guān)鍵字： NAND 閃存相變存儲

傳Spansion將出售日本300mm工廠

　　據(jù)來自ISMI Symposium的消息，NOR閃存制造商Spansion將出售其300mm工廠。　　Spansion高層拒絕對這座名為SP1工廠的狀態(tài)進行評論。“SP1是Spansion Japan的資產(chǎn)，目前正在對可能的重組方案進行評估。我們繼續(xù)和Spansion Japan緊密合作，并通過我們內(nèi)部和外部的資源，對客戶的要求進行最大程度的支持。”Spansion在一份聲明中表示。　　2007年，Spansion啟用業(yè)界首座300mm NOR閃存工廠。這座耗資12億美
關(guān)鍵字：閃存 NOR 300mm

磁盤式存儲技術(shù)還有十年風光：閃存硬盤前景不容樂觀

　　那些鼓吹基于閃存的SSD硬盤技術(shù)的人可能要感到失望了，因為據(jù)最新的研究結(jié)果表明，如果磁盤技術(shù)按現(xiàn)有的速度發(fā)展下去，那么到2020年，雙碟2.5寸硬盤的容量將能達到14TB左右，價格則會降到40美元的水平(目前500GB硬盤普遍售價為100美元左右),仍然具有相當?shù)母偁幜?。而盡管基于閃存的SSD硬盤產(chǎn)品由于在讀寫性能，省電性能方面更為優(yōu)秀，正在日漸流行，但其每GB折算價格卻接近磁盤式硬盤的10倍,另外，閃存技術(shù)在2020年之前很可能會遇到性能發(fā)展上的瓶頸，這使基于閃存的SSD硬盤即使在10年或更久
關(guān)鍵字： SSD 閃存磁盤

市場供貨吃緊，NAND閃存合約價持續(xù)上揚

　　研究機構(gòu)集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價上漲約8%~10%，主要原因是多數(shù)供貨商已接獲部份電子系統(tǒng)廠客戶10月到11月的旺季長單，同時近期記憶卡客戶的旺季備貨需求，因此NAND Flash市場供貨吃緊，在賣方主導市場下，10月上旬NAND Flash合約價持續(xù)地上揚。　　　　16Gb MLC NAND Flash合約價走勢圖　　集邦科技指出，在10月到11月，多數(shù)NANDFlash供貨商份仍將優(yōu)先供貨給電子系
關(guān)鍵字： NAND 存儲閃存

分析稱2012年將普及USB3.0 速率可達到4.8G/s

　　賽迪網(wǎng)訊 9月20日消息，據(jù)國外媒體報道，調(diào)研公司In-Stat預計，到2010年70%的存儲設(shè)備將支持USB3.0標準。　　早在2007年，USB 3.0標準就已經(jīng)建立。USB 3.0的數(shù)據(jù)傳輸速度可達到4.8Gbps，是USB2.0的10倍，為傳輸大容量文件帶來了方便。　　In-Stat稱，USB 3.0設(shè)備將于明年開始進入市場，并將在未來幾年內(nèi)漸成主流。到2012年，預計70%的存儲設(shè)備將支持USB3.0，其中包括硬盤、閃存和便攜播放器等。
關(guān)鍵字：存儲設(shè)備 USB3.0 閃存

共575條 25/39 |‹ « 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 » ›|

閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]