東芝計(jì)劃耗資150億日元生產(chǎn)25納米閃存

　　東芝公司今年計(jì)劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗(yàn)生產(chǎn)線，生產(chǎn)小于25納米制程的NAND閃存芯片。

　　目前東芝生產(chǎn)的NAND閃存是采用32與43納米技術(shù)，主要應(yīng)用于手機(jī)及數(shù)字相機(jī)等電子消費(fèi)產(chǎn)品。為生產(chǎn)新的25納米制程以下的芯片，需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術(shù)，因此，東芝也將進(jìn)行相應(yīng)的技術(shù)升級(jí)。目前，東芝已向荷蘭半導(dǎo)體微影系統(tǒng)大廠ASML訂購(gòu)設(shè)備，預(yù)計(jì)在今年夏天試驗(yàn)投產(chǎn)。消息一經(jīng)公布，東芝在股市中漲幅達(dá)3.5%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)同類電氣機(jī)器指數(shù)0.8%的漲幅。

　　而東芝與其它半導(dǎo)體廠商20納米制程閃存的開(kāi)發(fā)，也可望于未來(lái)兩年內(nèi)開(kāi)始量產(chǎn)。