閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

應(yīng)用串行NOR閃存提升內(nèi)存處理能力

應(yīng)用串行NOR閃存提升內(nèi)存處理能力,在嵌入式系統(tǒng)中，NOR閃存一直以來仍然是較受青睞的非易失性內(nèi)存，NOR器件的低延時特性可以接受代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)存儲在一個單一的產(chǎn)品。雖然NAND記憶體已成為許多高密度應(yīng)用的首選解決方案，但NOR仍然是低密度解決方案的
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NOR市場仍有可為需找尋平衡點

　　近日Spansion公司推出業(yè)界首款45nm單芯片8Gb(千兆)NOR閃存產(chǎn)品，這是繼美光(Micron)公司后，第二家對外宣稱推出45nm工藝節(jié)點的產(chǎn)品。這對在與NAND閃存競爭中處于下風(fēng)的NOR來說無疑是一大利好。這一技術(shù)對NOR閃存的市場發(fā)展會帶來怎樣的助推力?今后NOR與NAND閃存的市場格局是否會發(fā)生變化成為業(yè)界關(guān)注熱點。　　NOR技術(shù)仍在進(jìn)步　　截至2020年，每個用戶擁有的聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)量預(yù)計將達(dá)到7臺左右，實現(xiàn)具備豐富圖形元素的功能和快速無縫的設(shè)備間連接。在此過程中，閃存&ldqu
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探索TLC閃存壽命：區(qū)區(qū)1000次擦寫循環(huán)

　　三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個新時代，TLC NAND閃存首次用于消費級產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構(gòu)技術(shù)，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹，今天再來看看TLC閃存本身的壽命問題。　　遺憾的是，沒有任何廠商公開談?wù)撨^TLC閃存的可靠程度，只能猜測編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會告訴你具體的閃存寫入量，再加上寫入放大的緣故，根本無從得知寫入了多少數(shù)據(jù)。　　不過還是有個變通方法
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LSI AIS峰會變大數(shù)據(jù)挑戰(zhàn)為機(jī)遇

LSI公司(NYSE：LSI)日前宣布，在美國召開第五屆加速創(chuàng)新年度峰會(AIS)。個人和企業(yè)使用越來越多的設(shè)備在網(wǎng)上做更多工作，共享更多內(nèi)容，這個現(xiàn)象不僅形成了數(shù)據(jù)大爆炸，同時給數(shù)據(jù)中心、移動網(wǎng)絡(luò)和設(shè)備提出了前所未有的挑戰(zhàn)。
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存儲器：唯持續(xù)獲利和研發(fā)方能立足

　　最近半導(dǎo)體廠商第三季度財報陸續(xù)出爐，可謂有人歡喜有人愁。Spansion公司第三季度銷售額為2.397億美元，毛利率為32.7%，這也是其連續(xù)8個季度持續(xù)嬴利，可謂走出去年被破產(chǎn)傳聞困擾的陰霾。Spansion如何在波動不止的市場中保持正增長，未來存儲器市場格局將如何演變?為此，《中國電子報》記者獨家專訪了Spansion首席執(zhí)行官兼董事會成員John Kispert。　　貢獻(xiàn)來自NOR和新NAND閃存　　談及Spansion增長的動力，John Kispert坦言，業(yè)績穩(wěn)定增長主要是因為NO
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在嵌入式設(shè)計中將FRAM用作閃存的替代方案

在嵌入式設(shè)計中將FRAM用作閃存的替代方案,　如今，有多種存儲技術(shù)均具備改變嵌入式處理領(lǐng)域格局的潛力。然而，迄今為止還沒有哪一種技術(shù)脫穎而出成為取代微控制器（MCU）中閃存技術(shù)的強(qiáng)勁競爭者，直到FRAM的出現(xiàn)這種情況才得以改變。鐵電隨機(jī)存取存儲器（FRA
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Spansion公司發(fā)布2012年第三季度財報

行業(yè)領(lǐng)先的閃存解決方案廠商Spansion公司(紐約證交所代碼: CODE)日前發(fā)布截至2012年9月30日第三財季的運營成果。
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宏力攜手同方穩(wěn)定量產(chǎn)0.13微米微縮版嵌入式閃存

　　提供卓越差異化技術(shù)的晶圓制造服務(wù)公司上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(以下簡稱“宏力半導(dǎo)體”)與國內(nèi)主要的智能卡設(shè)計公司之一，北京同方微電子有限公司(以下簡稱“同方微電子”)共同宣布, 同方微電子采用宏力半導(dǎo)體0.13微米微縮版嵌入式閃存技術(shù)生產(chǎn)的SIM卡芯片出貨量已超過2億顆，生產(chǎn)良率穩(wěn)定，產(chǎn)品性能突出，已大量投放國內(nèi)市場。　　宏力半導(dǎo)體的0.13微米微縮版嵌入式閃存技術(shù)是在現(xiàn)有成熟的0.13微米嵌入式閃存技術(shù)基礎(chǔ)上，進(jìn)一步優(yōu)化生產(chǎn)工藝，將原來0.38平方微米的閃存存儲單元面積顯著減小了近50%(小于
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閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)簡介

閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)簡介,簡介嵌入式微控制器越來越多樣化，可以滿足嵌入式系統(tǒng)市場的應(yīng)用需求，而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微控制器轉(zhuǎn)向了內(nèi)置閃存(可擦寫的非易失性只讀存儲器)的閃存微控制器。閃存微控制器目前有兩種主要應(yīng)用：CPU程序代碼
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閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)

閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù),簡介　　嵌入式微控制器越來越多樣化，可以滿足嵌入式系統(tǒng)市場的應(yīng)用需求，而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微控制器轉(zhuǎn)向了內(nèi)置閃存(可擦寫的非易失性只讀存儲器)的閃存微控制器。　　閃存微控制器目前有兩種主要應(yīng)用：CPU
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蘋果和亞馬遜從閃存上賺了我們多少錢?

?　　蘋果的iPad和亞馬遜的KindleFire除了在外觀和給人的第一印象有著諸多不同，還有這一個很重要的差異：為了獲得更大的儲存容量，用戶需要支付的金額不同。盡管如此，無論是蘋果還是亞馬遜都將從中獲取了暴利，這也是他們利潤的最大組成部分。
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Spansion NOR閃存營業(yè)收入超過美光

　　Spansion的NOR閃存營業(yè)收入超過美光，為2009年以來首次. 第二季度總體NOR營業(yè)收入達(dá)到8.37億美元. 　　據(jù)IHS iSuppli公司的移動與嵌入內(nèi)存市場簡報，一度破產(chǎn)的Spansion第二季度在多個與內(nèi)存相關(guān)的領(lǐng)域展現(xiàn)實力，其NOR閃存營業(yè)收入超過業(yè)內(nèi)龍頭廠商美光，為三年來首次。　　美國Spansion第二季度營業(yè)收入高于預(yù)期，從第一季度的2.19億美元增長到2.33億美元。這是Spansion自2009年第一季度以來首次在業(yè)內(nèi)營業(yè)收入排名中位居第一，而原來的龍頭美
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基于閃存的微控制器在代碼發(fā)布中的代碼保護(hù)簡介

包裝信息可能包含：指定目標(biāo)設(shè)備、代碼版本、大小、日期和其它對用戶有用的信息。這個信息可警告操作員正在使用一個較低版本的固件，從而會使設(shè)備的部分性能降低，或者正在裝載一個不支持的指定設(shè)備。在如今競爭激烈
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基于EPG3231和閃存的聲音播放器設(shè)計方案

摘要：提出一種在單片機(jī)系統(tǒng)中比較簡單地使用大容量NAND FLASH存儲器的方法。與一般方法相比，編寫應(yīng)用程序的程序員不需要掌握計算機(jī)文件系統(tǒng)的規(guī)范，只要按照NAND FLASH的讀、寫、擦除等時序?qū)ζ溥M(jìn)行操作，把NANDFL
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LSI全新Nytro MegaRAID(R)加速卡性能提高47倍

LSI 公司(NYSE：LSI)日前宣布面向全球渠道推出 PCIe(R)閃存 LSI(R) Nytro(TM) MegaRAID(R)卡，為直連存儲(DAS)提供簡單、透明和低成本的應(yīng)用加速功能。Nytro MegaRAID 卡的獨特之處在于采用領(lǐng)先的 LSI 雙核片上 RAID(ROC)技術(shù)，將 PCIe 閃存技術(shù)、智能緩存軟件與企業(yè) RAID 數(shù)據(jù)保護(hù)功能實現(xiàn)完美結(jié)合。
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]