閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

常憶科技推出全球第一顆256Kbit序列閃存產(chǎn)品

　　臺(tái)灣新竹，常憶科技于2011年7月29日正式宣布推出全球第一顆256Kbit序列閃存產(chǎn)品─PM25LD256C。　　市場(chǎng)上既有的序列閃存廠商之技術(shù), 由于在小容量產(chǎn)品上已無(wú)法有效降低die size及成本, 因此序列閃存產(chǎn)品在業(yè)界之最小容量一般只做到512Kbit, 惟常憶科技以pFlash的專利設(shè)計(jì)才能有效降低512Kbit以下容量的Flash die size, 故決定推出該項(xiàng)業(yè)界獨(dú)有之產(chǎn)品。　　
關(guān)鍵字：常憶科技閃存

Anobit推出高性能超低功耗閃存控制器MSP2025

　　來(lái)自以色列的閃存廠商Anobit近日宣布推出新款高性能超低功耗嵌入式閃存控制器“MSP2025”，主要面向平板機(jī)、智能手機(jī)等便攜設(shè)備，數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)空前的666MB/s，成為迄今為止性能最高的嵌入式閃存控制器。
關(guān)鍵字：智能手機(jī) 閃存

SANDISK嵌入式固態(tài)硬盤采用全新SATA μSSD標(biāo)準(zhǔn)

全球領(lǐng)先的閃存存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商SanDisk公司（NASDAQ：SNDK）今日宣布，在其郵票大小的嵌入式固態(tài)硬盤系列SanDisk iSSD產(chǎn)品線中采用全新的SATA μSSD標(biāo)準(zhǔn)。一直致力于維護(hù)串行ATA （SATA）技術(shù)的質(zhì)量和完整性以及推廣工作的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)組織SATA-IO也于今日發(fā)布了此項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)。
關(guān)鍵字： SanDisk 閃存

閃存將取代磁盤成為新型存儲(chǔ)嗎

　　很多評(píng)論家，包括ESG的分析師都已經(jīng)開始預(yù)測(cè)，在未來(lái)短短幾年內(nèi)，閃存將在主存儲(chǔ)中完全取代磁盤，使閃存成為一種新型的磁盤。他們的基本論點(diǎn)是，因?yàn)楣虘B(tài)盤(SSD)是基于集成電路的，所以他們的價(jià)格遵循摩爾定律，然而作為一種不可靠的機(jī)械裝置的硬盤卻并非如此。
關(guān)鍵字：閃存磁盤

閃存將取代磁盤成為新型存儲(chǔ)嗎？

　　很多評(píng)論家，包括ESG的分析師都已經(jīng)開始預(yù)測(cè)，在未來(lái)短短幾年內(nèi)，閃存將在主存儲(chǔ)中完全取代磁盤，使閃存成為一種新型的磁盤，磁盤成為新型的磁帶，而磁帶變成老舊的磁帶，甚至是死亡。雖然沒(méi)有什么比不再用聽到磁頭劃過(guò)盤片的聲音更好的事了，但是我認(rèn)為這些評(píng)論者可能有點(diǎn)樂(lè)觀了，就像是時(shí)尚人士預(yù)測(cè)深褐色會(huì)成為一種新的黑顏色一樣。
關(guān)鍵字：閃存磁盤

數(shù)碼產(chǎn)品普及閃存將引領(lǐng)存儲(chǔ)潮流

　　隨著數(shù)碼產(chǎn)品，如智能手機(jī)和單反數(shù)碼相機(jī)等的高速發(fā)展和普及，人們對(duì)體積小容量大的閃存類產(chǎn)品需求越來(lái)越大。在很多時(shí)候，閃存品質(zhì)的好壞甚至直接影響到了數(shù)碼產(chǎn)品性能的發(fā)揮和數(shù)據(jù)的安全。近日，全球閃存領(lǐng)導(dǎo)品牌SanDisk閃迪中國(guó)區(qū)銷售總監(jiān)郭文利先生造訪昆明，記者對(duì)其進(jìn)行了采訪，就閃存市場(chǎng)的發(fā)展和閃迪中國(guó)市場(chǎng)策略進(jìn)行了溝通。
關(guān)鍵字：閃迪閃存

第一季度NAND閃存領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)加劇

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2011年第一季度NAND閃存領(lǐng)域爭(zhēng)奪頭號(hào)排名的競(jìng)爭(zhēng)加劇，排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長(zhǎng)期以來(lái)，三星一直是最大的NAND閃存廠商?！?/li>
關(guān)鍵字： NAND 閃存

武漢力源代理銷售Greenliant產(chǎn)品

　　武漢力源信息技術(shù)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱武漢力源)，日前與節(jié)能、高可靠性和安全性存儲(chǔ)器和固態(tài)存儲(chǔ)產(chǎn)品領(lǐng)域首屈一指供應(yīng)商Greenliant簽署了代理協(xié)議。根據(jù)雙方的協(xié)定,作為Greenliant的授權(quán)目錄分銷商, 武漢力源將在中國(guó)地區(qū)推廣和銷售Greenliant全部的NANDrive嵌入式固態(tài)存儲(chǔ)器(SSD)、NAND閃存控制器和特殊閃存產(chǎn)品。
關(guān)鍵字：武漢力源閃存

三星因?qū)＠謾?quán)向飛索賠償1.5億美元

　　飛索半導(dǎo)體(Spansion)與三星電子就專利訴訟達(dá)成和解，未來(lái)5年三星將向飛索半導(dǎo)體支付1.5億美元。根據(jù)雙方的協(xié)議，飛索半導(dǎo)體和三星簽訂了7年交叉專利授權(quán)。飛索同意以3000萬(wàn)美元收購(gòu)三星的破產(chǎn)債權(quán)，如果被法院批準(zhǔn)，飛索將被允許撤銷165-185萬(wàn)股股票。　　
關(guān)鍵字：三星閃存

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì),摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù)，它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制，提供更好的讀寫速度，以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲(chǔ)要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計(jì)方法。
關(guān)鍵詞：DDR NAN
關(guān)鍵字：嵌入式接口設(shè)計(jì) 高性能閃存 DDR NAND 基于

Spansion公司發(fā)布2011年第一季度財(cái)報(bào)

　　行業(yè)領(lǐng)先的閃存解決方案廠商Spansion公司(NYSE:CODE)今日發(fā)布截止至2011年3月27日第一財(cái)季的運(yùn)營(yíng)成果。由于公司重組后實(shí)行的新會(huì)計(jì)計(jì)量產(chǎn)生的影響，Spansion公司同時(shí)提供GAAP和非GAAP結(jié)果。公司美國(guó)GAAP凈銷售額為2.929億美元，經(jīng)營(yíng)虧損70萬(wàn)美元，凈虧損1410萬(wàn)美元。公司美國(guó)非GAAP調(diào)整后凈銷售額2.944億美元，調(diào)整后運(yùn)營(yíng)收入3850萬(wàn)美元，調(diào)整后凈收入為2510萬(wàn)美元。
關(guān)鍵字： Spansion 閃存

帶有雙組閃存的MCU優(yōu)點(diǎn)

帶有雙組閃存的MCU優(yōu)點(diǎn),MCU(微控制器)在過(guò)去幾十年里在CPU性能、通信接口、模數(shù)和數(shù)模外設(shè)、內(nèi)存大小及讀寫次數(shù)等方面呈指數(shù)發(fā)展。我們專注于帶有非易失性嵌入式存儲(chǔ)器的MCU(我們?cè)赨SB閃存驅(qū)動(dòng)器、存儲(chǔ)器等內(nèi)擁有閃存)，從首批帶有一次性編
關(guān)鍵字： MCU優(yōu)點(diǎn) 閃存雙組帶有

4月上旬閃存芯片價(jià)格創(chuàng)7個(gè)月新高

　　據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，內(nèi)存調(diào)研公司集邦科技發(fā)布最新研究數(shù)據(jù)，今年四月上旬NAND閃存芯片價(jià)格創(chuàng)下了7個(gè)月以來(lái)的新高水平，一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災(zāi)害中斷相關(guān)供應(yīng)鏈后芯片價(jià)格的總體情況。　
關(guān)鍵字：閃存 NAND

Intel鎂光新加坡閃存合資廠舉辦正式開業(yè)儀式

　　Intel與鎂光的閃存合資企業(yè)IMFT在新加坡的新閃存工廠近日舉辦了正式開業(yè)儀式。這間工廠耗資近30億美元，員工人數(shù)有望達(dá)到1200人。這間工廠從去年中期開始已經(jīng)在生產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品，目前正在提升該產(chǎn)品的產(chǎn)量，預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候該廠將能開足馬力進(jìn)行生產(chǎn)。　
關(guān)鍵字： Intel 閃存

英特爾稱其20納米閃存技術(shù)領(lǐng)先三星

　　英特爾與美光稱上周宣布了20納米Nand閃存制造技術(shù)，英特爾稱利用這一技術(shù)將有望制造出業(yè)界體積最小、密度最高的閃存裝置。　　英特爾的非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案部門的總經(jīng)理Tom Rampone表示，“英特爾與美光的合作是制造業(yè)的楷模，因?yàn)槲覀儗?huì)在制程技術(shù)上持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)業(yè)界轉(zhuǎn)換至越來(lái)越微小的技術(shù)?！?/li>
關(guān)鍵字：英特爾 20納米閃存

共575條 22/39 |‹ « 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 » ›|

閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]