MAXQ構(gòu)架上閃存和SRAM存儲(chǔ)器的分配

MAXQ架構(gòu)是一種基于標(biāo)準(zhǔn)Harvard結(jié)構(gòu)、功能強(qiáng)大的單周期RISC微控制器，程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)總線相互獨(dú)立。這種組織形式要求每個(gè)存儲(chǔ)器具有專(zhuān)用總線(圖1)，所以可同時(shí)讀取指令和操作數(shù)。由于不存在單條數(shù)據(jù)總線的沖突問(wèn)題，MAXQ指令的執(zhí)行時(shí)間僅需要單個(gè)周期。

圖1. Harvard結(jié)構(gòu)

每個(gè)MAXQ器件采用以下存儲(chǔ)器類(lèi)型：

閃存

SRAM

固定用途ROM

MAXQ器件也可從閃存、固定用途ROM或SRAM執(zhí)行程序代碼。從某個(gè)存儲(chǔ)器段執(zhí)行程序代碼時(shí)，其它兩個(gè)存儲(chǔ)器段可作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱從閃存執(zhí)行程序和執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)部分)。這是因?yàn)槌绦蚝蛿?shù)據(jù)存儲(chǔ)器總線不能同時(shí)存取同一存儲(chǔ)器段。

有人可能認(rèn)為采用Harvard結(jié)構(gòu)的MAXQ微控制器也不能在非易失閃存中儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。然而，MAXQ器件內(nèi)嵌固定用途ROM函數(shù)，允許讀、寫(xiě)非易失閃存數(shù)據(jù)。

從閃存執(zhí)行程序

MAXQ器件中，從閃存執(zhí)行應(yīng)用程序時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器為SRAM(讀和寫(xiě))和固定用途ROM(只讀)。從閃存執(zhí)行代碼時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器映射請(qǐng)參見(jiàn)表1，存儲(chǔ)器映射參見(jiàn)圖2。

SRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x0000至0x07FF (字節(jié)尋址模式下)或地址0x0000至0x03FF (字尋址模式下)。

固定用途ROM在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x8000至0x9FFFh (字節(jié)模式)或地址0x8000至0x8FFF (字尋址模式下)。

圖2. 從閃存執(zhí)行應(yīng)用代碼時(shí)的存儲(chǔ)器映射

執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)

執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器為SRAM(讀和寫(xiě))和閃存(讀和寫(xiě))。從閃存執(zhí)行應(yīng)用程序且變量或數(shù)據(jù)對(duì)象位于閃存時(shí)，可通過(guò)固定用途ROM函數(shù)讀或?qū)戇@些變量或數(shù)據(jù)對(duì)象。通過(guò)跳轉(zhuǎn)至執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)，即可將閃存作為數(shù)據(jù)進(jìn)行存取。從固定用途ROM執(zhí)行代碼時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器映射請(qǐng)參見(jiàn)表2，存儲(chǔ)器映射參見(jiàn)圖3。

SRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x0000至0x07FF (字節(jié)尋址模式下)或地址0x0000至0x03FF (字尋址模式下)。

字節(jié)尋址模式下，CDA0 = 0時(shí)，閃存的低半部分在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x8000至0xFFFFh；CDA0 = 1時(shí)，閃存的高半部分在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x8000至0xFFFFh。字尋址模式下，閃存在存儲(chǔ)器映射中位于地址0x8000至0xFFFF。

上一頁(yè) 1 2 3 下一頁(yè) 關(guān)鍵詞： MAXQ 閃存 SRAM存儲(chǔ)器 評(píng)論 我來(lái)說(shuō)兩句…… 驗(yàn)證碼： 相關(guān)推薦 Omdia：2027 年 QLC 市場(chǎng)規(guī)模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) QLC NAND 閃存 | 2024-06-14 日本東芝正式退市 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) 東芝 家電 NAND 閃存 退市 | 2023-12-21 DS80C400／410／411閃存選擇 資源下載 DS80C400／410／411 ROM 閃存 | 2007-04-28 用ADSP-BF533 Blackfin的閃存來(lái)運(yùn)行程序 資源下載 ADSP-BF533 Blackfin 閃存 | 2007-04-19 SIA預(yù)測(cè)2004年DRAM、閃存和DSP市場(chǎng)增長(zhǎng)超過(guò)20% hpnet | 2003-06-22 西部數(shù)據(jù)發(fā)布公告：今年年底前完成閃存和硬盤(pán)業(yè)務(wù)分拆 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) 西部數(shù)據(jù) 硬盤(pán) 閃存 | 2024-03-06 閃存的自由發(fā)展之路 hpnet | 2003-08-10 Microchip串行EEPROM器件和串行SRAM存儲(chǔ)器的產(chǎn)品系列介紹 視頻 Microchi[ EEPROM存儲(chǔ)器 SRAM存儲(chǔ)器 Microchip應(yīng)用方案 | 2012-12-19 傳AMD富士通要合閃存業(yè)務(wù)奪Intel龍頭寶座 hpnet | 2002-10-11 [求助]uClinux下使用閃存芯片Am29LV160D taiq | 2005-02-26 基于WISHBONE總線的FLASH閃存接口設(shè)計(jì) 設(shè)計(jì)方案 基于 WISHBONE 總線 FLASH 閃存 接口 設(shè)計(jì) | 2009-09-29 集邦咨詢(xún)稱(chēng) 2023Q3 全球 DRAM 規(guī)模 134.8 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 18% 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) DRAM 閃存 | 2023-12-05 Spansion最新65nm技術(shù)GL-S系列NOR閃存產(chǎn)品 視頻 Spansion 閃存 | 2011-08-22 嵌入式閃存發(fā)展低于預(yù)期，成本過(guò)高成為制約因素 hpnet | 2003-09-17 Calling Utility ROM Functions with IAR\'s Embedded Workbench for MAXQ 資源下載 Calling Utility ROM IAR MAXQ IAR | 2007-04-28 美光：預(yù)計(jì)臺(tái)灣地區(qū)地震對(duì)本季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成中等個(gè)位數(shù)百分比影響 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) DRAM 閃存 美光 | 2024-04-12 閃存安全功能保護(hù)您的知識(shí)產(chǎn)權(quán) 視頻 Numonyx 閃存 | 2009-12-14 如何從應(yīng)用系統(tǒng)代碼向閃存寫(xiě)數(shù)據(jù) 資源下載 應(yīng)用系統(tǒng)代碼 閃存 寫(xiě)數(shù)據(jù) | 2007-04-19 存儲(chǔ)市場(chǎng)前瞻：DDR5 需求顯著增長(zhǎng)、AI 崛起讓手機(jī)內(nèi)存邁入 20GB 時(shí)代 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) 閃存 DRAM NAND | 2023-11-24 ATMEL公司的89系列閃存微控制器 設(shè)計(jì)方案 ATMEL 公司 系列 閃存 控制器 | 2011-06-27 Converting MAXQ Microcontrollers from Sector-Erasable (SE) to Page-Erasable (PE) Flash Devices 資源下載 MAXQ SE code | 2007-04-28 ATMEL的89系列閃存微控制器應(yīng)用于EPROM的適配器電路 設(shè)計(jì)方案 ATMEL 系列 閃存 控制器 應(yīng)用于 EPROM 適配器 | 2011-06-27 2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值環(huán)比增長(zhǎng) 24.5%：三星增長(zhǎng) 44.8% 居首位 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) NAND 閃存 存儲(chǔ) 市場(chǎng)分析 | 2024-03-06 毫米波傳感器支持的閃存型號(hào) 物聯(lián)網(wǎng)與傳感器 德州儀器 TI 毫米波傳感器 閃存 | 2024-03-11 Spansion公司戰(zhàn)略產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)副總裁Robert France 訪談 視頻 Spansion 閃存 | 2011-11-18 通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱(chēng)三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線開(kāi)工率維持 80~90% 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) DRAM 閃存 三星 海力士 | 2024-06-19 Spansion飛索半導(dǎo)體FL-S高速閃存系列新聞發(fā)布會(huì) 視頻 Spansion 閃存 | 2011-11-18 ATMEL單片閃存MP3解碼芯片應(yīng)用 設(shè)計(jì)方案 ATMEL 單片 閃存 解碼 芯片 應(yīng)用 | 2011-05-05 三季度全球 DRAM 銷(xiāo)售額達(dá) 132.4 億美元，連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長(zhǎng) 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) DRAM 閃存 三星 海力士 | 2023-11-30 NAND閃存芯片詳解 設(shè)計(jì)方案 閃存 芯片 詳解 | 2011-05-11 上一篇：白光led的詳細(xì)介紹 下一篇：DS1877 SFP控制器快速配置指南 技術(shù)專(zhuān)區(qū) FPGA DSP MCU 示波器 步進(jìn)電機(jī) Zigbee LabVIEW Arduino RFID NFC STM32 Protel GPS MSP430 Multisim 濾波器 CAN總線 開(kāi)關(guān)電源 單片機(jī) PCB USB ARM CPLD 連接器 MEMS CMOS MIPS EMC EDA ROM 陀螺儀 VHDL 比較器 Verilog 穩(wěn)壓電源 RAM AVR 傳感器 可控硅 IGBT 嵌入式開(kāi)發(fā) 逆變器 Quartus RS-232 Cyclone 電位器 電機(jī)控制 藍(lán)牙 PLC PWM 汽車(chē)電子 轉(zhuǎn)換器 電源管理 信號(hào)放大器 關(guān)閉