毫米波傳感器支持的閃存型號(hào)

1 引言

串行閃存器件是嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用中的有效引導(dǎo)介質(zhì)。用戶應(yīng)用元件也應(yīng)存儲(chǔ)在毫米波傳感器的串行數(shù)據(jù)閃存中，串行數(shù)據(jù)閃存通過 QSPI 與傳感器連接。根據(jù)用戶的選擇，sFlash 還可用于存儲(chǔ)其他數(shù)據(jù)。例如，將射頻前端校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到 sFlash 中，并在每次器件啟動(dòng)時(shí)射頻前端的初始校準(zhǔn)周期中通過應(yīng)用程序進(jìn)行恢復(fù)。本應(yīng)用手冊(cè)列出了經(jīng)驗(yàn)證可與毫米波傳感器配合使用的 sFlash 器件，介紹了其他 sFlash 器件的先決條件，并提到了任何已知問題。

2 支持串行數(shù)據(jù)閃存

2.1 AWR1243/xWR1443 ES1.0 和 ES2.0 器件

AWR1243/xWR1443 ES1.0 和 ES2.0 器件僅支持 Spansion 和 Macronix 器件。具體而言，經(jīng)測(cè)試可與 ROM 引導(dǎo)加載程序配合使用的閃存型號(hào)包括：
? Spansion S25FL132K0XNFB010
? Macronix MX25L3233F
? Macronix MX25R1635FZNIH0（寬電壓器件型號(hào)）

2.2 AWR294x、AWR2544、xWR1642、xWR1843、xWR6843 器件和 AWR1243/xWR1443 ES3.0 器件

有幾個(gè)因素決定了 AWR2xxx/xWR1xxx ROM 引導(dǎo)加載程序是否可以與 AWR2xxx/xWR1xxx 器件上的 SFLASH
交互和搭配使用。

2.2.1 先決條件

有關(guān)通過 QSPI 接口與 SFLASH 進(jìn)行時(shí)序和連接要求的詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱器件數(shù)據(jù)表。

對(duì)于所有命令（包括正常讀取命令），SFLASH 器件型號(hào)應(yīng)支持 40MHz 運(yùn)行頻率。對(duì)于 xWR6843 器件，SFLASH 器件型號(hào)應(yīng)支持所有命令的 80MHz 運(yùn)行頻率。

SFLASH 支持 SFDP 命令，并使用與 JEDEC 兼容的有關(guān)閃存功能和命令集的信息進(jìn)行響應(yīng)。表 2-1 中列出了解釋的關(guān)鍵字段。

表 2-1. 關(guān)鍵字段

?地址字節(jié)數(shù) = 3（始終）。
? 對(duì)于單一數(shù)據(jù)線路 SPI 讀取 – 讀取命令代碼 (0xB)，讀取虛擬周期（8 位）。

2.2.2 ROM 輔助下載到閃存（器件管理模式 - SOP5）

ROM 輔助下載應(yīng)支持所有閃存型號(hào)，這些變體允許使用 1 個(gè)虛擬字節(jié)和 24 位尋址的“內(nèi)存映射模式”和“頁面
程序命令 (0x2)”。

除了寫入閃存之外，ROM 引導(dǎo)加載程序 (RBL) 還支持設(shè)置 Spansion 和 Macronix 型號(hào)的“四路使能”位（僅限
于某些特定的器件型號(hào)）。

僅適用于 AWR294x/AWR2544

AWR294x/AWR2544 ROM 引導(dǎo)加載程序 (RBL) 具有兩個(gè)過程，其中應(yīng)用程序（閃存編程器）在 SOP5 模式下通過 UART 加載到 RAM 中。然后，此應(yīng)用程序負(fù)責(zé)通過 UART 讀取實(shí)際映像（要刷寫的圖像）并將其下載到閃存。

AWR294x/AWR2544 RBL 不支持設(shè)置 sFlash 的“四路使能”位。如果閃存型號(hào)的 SFDP 標(biāo)頭包含 QE 位位置的信息（以及四模式），則 RBL 將執(zhí)行并讀取該位置以啟用/禁用四路模式選項(xiàng)。否則，如果 QE 位位置不存在且SFDP 標(biāo)頭中支持四路模式，RBL 將假定客戶已啟用 QE 位并轉(zhuǎn)移到四路模式。

2.2.3 從閃存進(jìn)行基于 ROM 的加載（功能模式 – SOP4）

ROM 引導(dǎo)加載程序根據(jù) SFLASH 發(fā)布的用以響應(yīng) SFDP 命令的最高功能模式（四通道、雙通道或單通道）執(zhí)行從閃存讀取數(shù)據(jù)的操作。使用的命令由 SFDP 響應(yīng)發(fā)布。因此，如果支持四路讀取，預(yù)期是閃存中的四路使能(QE) 位已置位。ROM 引導(dǎo)加載程序使用四路模式來執(zhí)行讀取操作。

2.2.4 建議

閃存供應(yīng)商具有可訂購的器件型號(hào)，并設(shè)置了四路使能 (QE) 位。TI 建議使用這些型號(hào)來與 TI 毫米波 SOC 配合使用。

2.3 已知問題（xWR1642 ES1.0 和 xWR6843 ES1.0 器件）

XWR1642 預(yù)制器件中的 ROM 引導(dǎo)加載程序與支持?jǐn)U展尋址模式的 SFLASH 型號(hào)不兼容。具體而言，SFDP 命令響應(yīng)的“地址長度數(shù)”字段不能為非零。XWR1642 器件中的 SFLASH 可尋址區(qū)域總量為 8MB。因此，“地址長度個(gè)數(shù)”=0（對(duì)應(yīng) 3 字節(jié)地址長度）滿足可尋址范圍。但是，兼容性問題與允許 3 或 4 字節(jié)地址長度的型號(hào)有關(guān)。

XWR1642 器件的量產(chǎn)版本將解決此不兼容問題。

2.4 閃存型號(hào)

2.4.1 閃存型號(hào)

支持的閃存器件為 xWRL6432、xWRL1432、xWR1642 ES2.0、xWR1842 ES1.0、xWR1443 ES3.0 以及xWR6843 ES1.0 & ES2.0 器件。表 2-2 展示了經(jīng)測(cè)試可正常工作的閃存型號(hào)。

表 2-2. 已測(cè)試的閃存型號(hào)

請(qǐng)注意，對(duì)于 AWR294x 和 AWR2544 器件，上表中的閃存器件應(yīng)正常工作。對(duì)于上表中的任何閃存型號(hào)，QE 位
需要由供應(yīng)商設(shè)置或在 sbl_uart_uniflash（閃存寫入器）中手動(dòng)設(shè)置。有關(guān)編寫定制閃存驅(qū)動(dòng)程序的更多信息，請(qǐng)
參閱 MCU Plus SDK 自述指南（適用于 AWR294x 和 AWR2544）。此外，表 2-3 展示了經(jīng)測(cè)試可正常工作的
AWR294X ES1.0、AWR294X ES2.0 和 AWR2544 器件支持的閃存器件。

表 2-3. AWR294x/AWR2544 器件的已測(cè)試閃存型號(hào)