英飛凌 xmc7000 文章最新資訊

技術(shù)洞察 | 邁向更綠色的未來(lái)：GaN技術(shù)的變革性影響

作者Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產(chǎn)品高級(jí)總監(jiān)校對(duì)宋清亮英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)高級(jí)首席工程師過(guò)去幾十年間，人口和經(jīng)濟(jì)活動(dòng)的快速增長(zhǎng)推動(dòng)了全球能源消耗的穩(wěn)步增長(zhǎng)，并且預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)還將持續(xù)。這種增長(zhǎng)是線下與線上活動(dòng)共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴(kuò)張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計(jì)，2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時(shí)（TWh）。近年來(lái)，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續(xù)增長(zhǎng) [1] 。圖1：1910年以來(lái)
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英飛凌2025財(cái)年開局略優(yōu)于預(yù)期，因匯率影響上調(diào)全年業(yè)績(jī)展望

●? ?2025財(cái)年第一季度：營(yíng)收為34.24億歐元，利潤(rùn)為5.73億歐元，利潤(rùn)率 16.7%?！? ?2025財(cái)年第二季度展望：假設(shè)歐元兌美元匯率為1:1.05，預(yù)計(jì)營(yíng)收約為36億歐元。在此基礎(chǔ)上，利潤(rùn)率預(yù)計(jì)為14%~16%左右?！? ?2025財(cái)年展望：假設(shè)歐元兌美元匯率為1:1.05（之前為1:1.10），預(yù)計(jì)營(yíng)收將與上一財(cái)年持平或略有增長(zhǎng)（之前預(yù)測(cè)為較前一年度略有下降）。調(diào)整后的毛利率預(yù)計(jì)在40%左右，利潤(rùn)率為14%~19%。預(yù)計(jì)投資額約
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英飛凌推出基于MEMS的集成式先進(jìn)超聲波傳感器

英飛凌科技股份公司在開發(fā)電容式微機(jī)械超聲波傳感器（CMUT）技術(shù)方面取得重大進(jìn)展。憑借這項(xiàng)技術(shù)，公司推出首款高度集成的單芯片解決方案，該方案基于微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）的超聲波傳感器，擁有更小的占板面積以及更強(qiáng)大的性能和功能，可廣泛用于開發(fā)新型超聲波應(yīng)用和改進(jìn)消費(fèi)電子、汽車工業(yè)與醫(yī)療技術(shù)領(lǐng)域的現(xiàn)有應(yīng)用。英飛凌科技高級(jí)總監(jiān)Emanuele Bodini表示：“英飛凌的超聲波技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)很高的信噪比和集成度，因此我們認(rèn)為該器件代表著行業(yè)的一大突破。我們希望利用這項(xiàng)技術(shù)開發(fā)出一個(gè)服務(wù)于不同行業(yè)多種應(yīng)用場(chǎng)景的產(chǎn)品平
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功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）---功率半導(dǎo)體的熱阻

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。散熱功率半導(dǎo)體器件在開通和關(guān)斷過(guò)程中和導(dǎo)通電流時(shí)會(huì)產(chǎn)生損耗，損失的能量會(huì)轉(zhuǎn)化為熱能，表現(xiàn)為半導(dǎo)體器件發(fā)熱，器件的發(fā)熱會(huì)造成器件各點(diǎn)溫度的升高。半導(dǎo)體器件的溫度升高，取決于產(chǎn)生熱量多少（損耗）和散熱效率（散熱通路的熱阻）。IGBT模塊的風(fēng)冷散熱
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功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（二）---熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章將比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。第一講《功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）----功率半導(dǎo)體的熱阻》，已經(jīng)把熱阻和電阻聯(lián)系起來(lái)了，那自然會(huì)想到熱阻也可以通過(guò)串聯(lián)和并聯(lián)概念來(lái)做數(shù)值計(jì)算。熱阻的串聯(lián)首先，我們來(lái)看熱阻的串聯(lián)。當(dāng)兩個(gè)或多個(gè)導(dǎo)熱層依次排列，熱量依次通過(guò)
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（三）----功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)聯(lián)系實(shí)際，比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。功率半導(dǎo)體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導(dǎo)熱脂層串聯(lián)構(gòu)成的。各層都有相應(yīng)的熱阻，這些熱阻是串聯(lián)的，總熱阻等于各熱阻之和，這是因?yàn)闊崃吭趥鬟f過(guò)程中，需要依次克服每一個(gè)熱阻，所以總熱阻就是
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個(gè)很復(fù)雜的問(wèn)題，從芯片表面測(cè)量溫度，可以發(fā)現(xiàn)單個(gè)芯片溫度也是不均勻的。所以工程上設(shè)計(jì)一般可以取加權(quán)平均值或給出設(shè)計(jì)余量。這是一個(gè)MOSFET單管中的芯片，直觀可以看出芯片表面溫度是不一致的，光標(biāo)1的位置與光標(biāo)2位置溫度
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。熱容熱容 C th 像熱阻 R th 一樣是一個(gè)重要的物理量，它們具有相似的量綱結(jié)構(gòu)。熱容和電容，都是描述儲(chǔ)存能力物理量，平板電容器電容和熱容的對(duì)照關(guān)系如圖所示。平板電容器電容和熱容
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（七）——熱等效模型

前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。有了熱阻熱容的概念，自然就會(huì)想到在導(dǎo)熱材料串并聯(lián)時(shí)，就可以用阻容網(wǎng)絡(luò)來(lái)描述。一個(gè)帶銅基板的模塊有7層材料構(gòu)成，各層都有一定的熱阻和熱容，哪怕是散熱器，其本身也有熱阻和熱容。整個(gè)散熱通路還包括導(dǎo)熱脂、散熱器和環(huán)境。不同時(shí)間尺度下
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（九）——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。任何導(dǎo)熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理說(shuō)，銅基板也會(huì)有額外的熱阻，那為什么實(shí)際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢？這是因?yàn)闊岬臋M向擴(kuò)散帶來(lái)的好處。熱橫向擴(kuò)散除了熱阻熱容，另一個(gè)影響半導(dǎo)體散熱的重要物理效應(yīng)為熱的橫向傳
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十）——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。為什么引入結(jié)構(gòu)函數(shù)？在功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章《功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法》和《功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法》分別講了功率半導(dǎo)體結(jié)溫、芯片溫度、殼溫和散熱器溫度的測(cè)試方法，用的
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息

前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。驅(qū)動(dòng)IC電流越來(lái)越大，如采用DSO-8 300mil寬體封裝的EiceDRIVER? 1ED3241MC12H和1ED3251MC12H 2L-SRC緊湊型單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，驅(qū)動(dòng)電流高達(dá)+/-18A，且具有兩級(jí)電壓變化率控制和有
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英飛凌推出用于智能有刷直流電機(jī)應(yīng)用的新型MOTIX?全橋IC系列

隨著汽車行業(yè)的不斷發(fā)展，曾經(jīng)的高端功能如今已成為標(biāo)配。因此，智能低壓電機(jī)在塑造未來(lái)汽車用戶體驗(yàn)方面將發(fā)揮日益重要的作用。汽車制造商正在尋求更加可靠、節(jié)能、經(jīng)濟(jì)，同時(shí)在惡劣條件下也能正常工作的半導(dǎo)體解決方案。為滿足這一需求，英飛凌科技股份公司近日推出專為有刷直流電機(jī)應(yīng)用設(shè)計(jì)的全橋/H橋集成電路（IC）產(chǎn)品系列——MOTIX??Bridge BTM90xx。新型BTM90xx?全橋IC不僅豐富了英飛凌的產(chǎn)品陣容，還補(bǔ)充了從驅(qū)動(dòng)器IC到高度集成化系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）解決方案的MOTIX?低壓
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英飛凌宣布合并傳感器和射頻業(yè)務(wù)

1月20日消息，日前，英飛凌科技股份公司宣布成立一個(gè)新的業(yè)務(wù)部門，將現(xiàn)有的傳感器和射頻（RF）業(yè)務(wù)合并為一個(gè)專門的組織，以推動(dòng)公司在傳感器領(lǐng)域的發(fā)展。新的業(yè)務(wù)部門SURF（傳感器單元和射頻）將成為電源和傳感器系統(tǒng)（PSS）部門的一部分，并包括以前的汽車和多市場(chǎng)傳感與控制業(yè)務(wù)。通過(guò)結(jié)合其傳感器和射頻專業(yè)知識(shí)，英飛凌利用成本和研發(fā)協(xié)同效應(yīng)加速創(chuàng)新和為客戶提供價(jià)值，從而增強(qiáng)其競(jìng)爭(zhēng)力和上市方法。這一戰(zhàn)略舉措將利用傳感器和射頻市場(chǎng)的巨大市場(chǎng)潛力，預(yù)計(jì)到2027年將超過(guò)200億美元。新業(yè)務(wù)部門于2025年1月1日生效
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英飛凌在泰國(guó)新建后道工廠，優(yōu)化和豐富生產(chǎn)布局

●? ?英飛凌位于曼谷南部沙沒(méi)巴干府的新后道廠破土動(dòng)工，該廠將擴(kuò)大公司在亞洲的生產(chǎn)布局●? ?新制造基地對(duì)于滿足日益增長(zhǎng)的功率模塊需求和以具有競(jìng)爭(zhēng)力的成本推動(dòng)公司整體增長(zhǎng)至關(guān)重要●? ?今年的支出已包含在2025年資本支出預(yù)測(cè)中，將根據(jù)市場(chǎng)需求進(jìn)一步擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模英飛凌科技首席運(yùn)營(yíng)官Rutger Wijburg博士英飛凌科技股份公司位于曼谷南部沙沒(méi)巴干府（Samut Prakan）的新半導(dǎo)體后道生產(chǎn)基地破土動(dòng)工，該廠將優(yōu)化并進(jìn)一步豐富公司的生產(chǎn)布局
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