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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

羅姆在“功率元器件”的發(fā)展與“電源IC技術(shù)”的變革

  • 為了防止地球溫室化，減少CO2排放量已成為人類的課題。為了減少CO2排放量，節(jié)電與提高電壓的轉(zhuǎn)換效率是當(dāng)務(wù)之急。在這種背景下，羅姆通過用于LED照明的技術(shù)貢獻(xiàn)于節(jié)電，通過功率元器件提升轉(zhuǎn)換效率。
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Vishay發(fā)布新型光隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器--- VOM1271。新器件集成了關(guān)斷電路，因此不需要外部的關(guān)斷元件和副邊供電電源。新的MOSFET驅(qū)動(dòng)器極大降低了配置成本和PCB空間，并提高了整體的系統(tǒng)可靠性和性能。
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Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要

  • b觸點(diǎn)型“PhotoMOS”的開發(fā)隨著PhotoMOSMOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢(shì)被廣泛了解，人們將其用于信息通信...
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實(shí)現(xiàn)汽車器件0ppm目標(biāo)的舉措

  • 汽車可靠性和AEC資格認(rèn)證汽車可能是我們每個(gè)人擁有的最可靠的設(shè)備之一。這可能聽起來有失偏頗，并且如果您的...
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雙柵極SET與MOSFET的混合特性

  • 雙柵極SET 與MOSFET 的混合特性　　由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構(gòu)成雙柵極SET/MOSFET ...
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MOSFET柵漏電流噪聲分析

  • CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢(shì)，導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長(zhǎng)度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄，柵漏電流越 ...
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瑞薩電子推出工業(yè)用首個(gè)微控制器

  • 高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)軍廠商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱“瑞薩”)，于日前發(fā)布了最新的用于個(gè)人計(jì)算機(jī)CPU、服務(wù)器和儲(chǔ)存系統(tǒng)的供電穩(wěn)壓器 (VR) 芯片集誕生。它包括行業(yè)首個(gè)集成微控制器(MCU)數(shù)字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢測(cè)電路的智能脈寬調(diào)制(PWM)- Driver - MOSFET功率器件DrMOS)R2J20759NP。
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安森美推出采用極緊湊、低厚度封裝的最小MOSFET

  • 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)擴(kuò)充公司寬廣的接口及電源管理產(chǎn)品陣容，推出一對(duì)優(yōu)化的超小超薄小信號(hào)MOSFET，用于空間受限的便攜消費(fèi)電子產(chǎn)品，如平板電腦、智能手機(jī)、GPS系統(tǒng)、數(shù)字媒體播放器及便攜式游戲機(jī)。
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Vishay的17款新器件擴(kuò)充600V N溝道功率MOSFET系列

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件，將該系列MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到39m?～600m?，將最高電流等級(jí)擴(kuò)展至7A～73A。
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Intersil擴(kuò)展業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的“HIP”橋式驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列

  • 全球高性能模擬混合信號(hào)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼：ISIL)日前宣布，推出面向電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的業(yè)內(nèi)領(lǐng)先“HIP”系列MOSFET橋式驅(qū)動(dòng)器新品---HIP212x系列。該100V、2A高頻半橋驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品家族提供最短的上升/下降時(shí)間，可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間控制和靈活的控制輸出。
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功率MOSFET管驅(qū)動(dòng)變壓器設(shè)計(jì)

  • 摘要： 對(duì)具有驅(qū)動(dòng)變壓器的功率MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路的動(dòng)態(tài)過程進(jìn)行了分析，推導(dǎo)了驅(qū)動(dòng)變壓器設(shè)計(jì)參數(shù)（繞組電流有效值，變壓器功率）的計(jì)算方法，定量分析了變壓器漏感和電路雜散電感對(duì)開通過程的影響，并通過仿真和試
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Vishay推出新款單路12V器件--SiA447DJ

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款采用熱增強(qiáng)型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si5429DU，擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III系列P溝道功率MOSFET。
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Intersil推出業(yè)內(nèi)最堅(jiān)固ORing控制器

  • 全球高性能模擬混合信號(hào)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼：ISIL)日前宣布，<0}推出以最小功率耗散提供電源冗余和保護(hù)的堅(jiān)固、緊湊型ORing FET控制器。
  • 關(guān)鍵字： Intersil  MOSFET  ISL6146  

同步降壓MOSFET電阻比的選擇

  • 在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常，作為設(shè)計(jì)過程的一個(gè)組
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恩智浦提供汽車認(rèn)證雙通道Power-SO8 MOSFET

  • 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼：NXPI)近日發(fā)布了LFPAK56D產(chǎn)品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET，專為燃油噴射、ABS和穩(wěn)定性控制等汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)。恩智浦LFPAK56D系列產(chǎn)品完全符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，具有一流的性能和可靠性;同時(shí)，與通常需要使用兩個(gè)器件的DPAK解決方案相比，節(jié)省了77%的占位面積。
  • 關(guān)鍵字： 恩智浦  LFPAK56D  MOSFET  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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