EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊
Microchip推出基于模擬的電源管理控制器
- 全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專(zhuān)利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布，推出全球第一款數(shù)字增強(qiáng)型電源模擬控制器MCP19111，它擴(kuò)展了Microchip多元化的智能DC/DC電源轉(zhuǎn)換解決方案。此外，Microchip還宣布推出全新MCP87018、MCP87030、MCP87090和MCP87130，擴(kuò)展其高速M(fèi)OSFET系列。
- 關(guān)鍵字： Microchip 控制器 MOSFET
IR推出全新300V功率MOSFET
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，這些工業(yè)應(yīng)用包括110V-120V交流電壓線(xiàn)性調(diào)節(jié)器和110V-120V交流電壓電源，以及直流-交流逆變器，如太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源 (UPS)等。
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET
IR 推出具有基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻的全新300V功率MOSFET
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國(guó)際整流器公司(InternationalRectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)近日推出配備IR最新...
- 關(guān)鍵字： 基準(zhǔn)導(dǎo)通 300V功率 MOSFET
基于SG3525A的太陽(yáng)能逆變電源設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 引言本文涉及的是光明工程中一個(gè)課題的具體技術(shù)問(wèn)題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電，...
- 關(guān)鍵字： SG3525A 逆變電源 MOSFET-90N10
汽車(chē)應(yīng)用MOSFET的技術(shù)趨勢(shì)
- 汽車(chē)應(yīng)用MOSFET半導(dǎo)體制造商在金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）技術(shù)領(lǐng)域取得了重大進(jìn)步，并繼續(xù)積極發(fā)展。先進(jìn)的功率MOS...
- 關(guān)鍵字： 汽車(chē)應(yīng)用 MOSFET 電機(jī)控制
用于IGBT與功率MOSFET的柵驅(qū)動(dòng)器通用芯片
- 1 引言
scale-2芯片組是專(zhuān)門(mén)為適應(yīng)當(dāng)今igbt與功率mosfet柵驅(qū)動(dòng)器的功能需求而設(shè)計(jì)的。這些需求包括：可擴(kuò)展的分離式開(kāi)通與關(guān)斷門(mén)級(jí)電流通路;功率半導(dǎo)體器件在關(guān)斷時(shí)的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變 - 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 驅(qū)動(dòng)器 芯片
MAX5048C高電流MOSFET驅(qū)動(dòng)器-高頻開(kāi)關(guān)電源的理想選擇
- MAX5048C是一個(gè)高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器，能夠吸收/7A/3A峰值電流。該器件采用邏輯輸入信號(hào)，驅(qū)動(dòng)外部MOSFET。該器件具...
- 關(guān)鍵字： MAX5048C 高電流 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧
- 功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
- 關(guān)鍵字： 門(mén)極驅(qū)動(dòng)光耦 隔離驅(qū)動(dòng)IGBT Power MOSFET
第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立 難分高下
- 進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場(chǎng)后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。 SiC早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了，但直到1955年，才有生長(zhǎng)高品質(zhì)碳化硅的方法出現(xiàn);到了1987年，商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進(jìn)入市場(chǎng);進(jìn)入21世紀(jì)后，SiC的商業(yè)應(yīng)用才算全面鋪開(kāi)。相對(duì)于Si，SiC的優(yōu)點(diǎn)很多：有10倍的電場(chǎng)強(qiáng)度，高3倍的熱導(dǎo)率，寬3倍禁帶寬度，高一倍的飽和漂
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC 半導(dǎo)體
電源設(shè)計(jì)小貼士46：正確地同步降壓FET時(shí)序
- 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時(shí)序優(yōu)化正變得越來(lái)越重要。在開(kāi)關(guān)期間，存在兩個(gè)過(guò)渡階段：低...
- 關(guān)鍵字： FET MOSFET 電源設(shè)計(jì)小貼士 德州儀器
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
碳化硅(sic)mosfet電路
碳化硅(sic)mosfet相關(guān)帖子
碳化硅(sic)mosfet資料下載
碳化硅(sic)mosfet專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473