首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

MOSFET雙芯片功率封裝簡化電源設計

  • 目前，電源工程師面臨的一個主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來越少。解決這個難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進步。通過在更小尺寸的封裝內(nèi)采用
  • 關(guān)鍵字： 電源  設計  簡化  封裝  芯片  功率  MOSFET  

中國新一代汽車電子的兩大設計趨勢

  • 如今的汽車市場正受到經(jīng)濟危機的沖擊，與此同時，提高安全性能和綠色環(huán)保這兩大趨勢也驅(qū)動著新一代汽車的發(fā)展，并...
  • 關(guān)鍵字： 智能開關(guān)  MOSFET  DC-DC轉(zhuǎn)換器  

超過20kV：半導體元件的世界最高耐壓

  • 　　日本京都大學工學研究系電子工學專業(yè)教授木本恒暢等人的研究小組，試制出了耐壓高達21.7kV的SiC制PiN二極管。此前雖有耐壓為十數(shù)kV的半導體功率元件，但超過20kV的尚為首次，“是半導體元件中的世界最高值”(木本)。 　　該二極管的設想用途為置換變電站使用的硅制GTO。比如，日本的電網(wǎng)電壓為6.6kV，因此要求耐壓達到20kV。據(jù)稱目前是使用3～4個數(shù)kV的GTO來確保耐壓的。如果使用耐壓超過20kV的SiC制PiN二極管，一個即可滿足要求。由此，轉(zhuǎn)換器及冷卻器等便可實現(xiàn)
  • 關(guān)鍵字： SIC  二極管  半導體  

恩智浦推出新型汽車級TrenchMOS器件

  • 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (納斯達克：NXPI)日前宣布推出全新汽車級功率MOSFET器件系列，該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù)，具有極低導通電阻(RDSon)、極高的開關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車級MOSFET已取得AEC-Q101認證，成功通過了175?C高溫下超過1,600小時的延長壽命測試(性能遠超Q101標準要求)，同時具有極低PPM 水平。
  • 關(guān)鍵字： 恩智浦  MOSFET  

車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性

  • 工程師在為汽車電子設計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設計任何電源應用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  車用  如何提高  能量    

典型功率MOSFET驅(qū)動保護電路設計方案

  • 功率場效應晶體管（PowerMOSFET）是一種多數(shù)載流子導電的單極型電壓控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能好、...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  驅(qū)動  保護電路  

精確測量功率MOSFET的導通電阻

  • 電阻值的測量通常比較簡單。但是，對于非常小阻值的測量，我們必須謹慎對待我們所做的假定。對于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的?？梢允褂妙愃频姆椒▉頊y量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  精確測量  導通電阻    

MOSFET的驅(qū)動保護電路的設計與應用

  • 摘要：率場效應晶體管由于具有諸多優(yōu)點而得到廣泛的應用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護電路的設計要求；計算了MOSFET驅(qū)動器的功耗及MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配
  • 關(guān)鍵字： 設計  應用  電路  保護  驅(qū)動  MOSFET  

IR推出緊湊型PowIRaudio模塊

  • 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出PowIRaudio集成式功率模塊系列，適用于高性能家庭影院系統(tǒng)及車用音頻放大器。新器件將脈沖寬度調(diào)制控制器和兩個數(shù)字音頻功率MOSFET集成至單一封裝，提供高效緊湊的解決方案，有助于減少零部件數(shù)量，縮小高達70% 的電路板尺寸，并能簡化D類放大器設計。
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  PowIRaudio  

功率MOSFET的鋰電池保護電路設計

  • 鉛酸電池具有安全、便宜、易維護的特點，因此目前仍然廣泛的應用于電動自行車。但是鉛酸電池污染大、笨重、循環(huán)次數(shù)少，隨著世界各國對環(huán)保要求越來越高，鉛酸電池的使用會越來越受到限制。磷酸鐵鋰電池作為一種新型
  • 關(guān)鍵字： 電路設計  保護  鋰電池  MOSFET  功率  

飛兆開發(fā)出P溝道PowerTrench WL-CSP MOSFET

  • 便攜設備的設計人員面臨著在終端應用中節(jié)省空間、提高效率和應對散熱問題的挑戰(zhàn)。為了順應這一趨勢，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench?薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  P溝道  

飛兆推出一款低側(cè)高雙功率芯片非對稱N溝道模塊

  • 隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高雙功率芯片非對稱N溝道模塊 FDPC8011S，幫助設計人員應對這一系統(tǒng)挑戰(zhàn)。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  FDPC8011S  N溝道  

恩智浦推出可實現(xiàn)高功率LED設計靈活性的GreenChip

  • 　　新型純控制器降壓LED驅(qū)動器成本優(yōu)勢明顯、效率傲視群雄 　　中國上海，2012年5月7日訊 —— 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.(NASDAQ：NXPI)今天宣布推出SSL2109，該款高效降壓控制器面向采用非隔離式拓撲結(jié)構(gòu)的高功率非調(diào)光型LED照明應用。SSL2109 LED驅(qū)動器IC與外部功率開關(guān)一同使用，為100V、120V和230V電源輸入電壓和最高25 W的功率范圍提供了單一的設計平臺。SSL2109提供了廣受歡迎的SSL2108x系列的
  • 關(guān)鍵字： 恩智浦  MOSFET  

Vishay新一代TrenchFET MOSFET再度刷新

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設計，在4.5V下導通電阻低至1.35m?，Miller電荷Qgd低至1.8nC，采用PowerPAK? SO-8和1212-8封裝。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  

飛兆半導體開發(fā)出一款智能高側(cè)開關(guān)系列

  • 在現(xiàn)今的汽車應用中，設計人員需要把大電流可靠和安全地引流到接地的阻性或感性負載，這類應用包括：白熾燈、電機控制和加熱器件等?，F(xiàn)在要實現(xiàn)這一目的，設計人員不得不依賴分立式或機電式解決方案，或是受制于市場上數(shù)量有限的解決方案。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  F085A  
共1821條 89/122 |‹ « 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 » ›|

碳化硅(sic)mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473