首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

羅姆推出高耐壓功率MOSFET

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)面向太陽(yáng)能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場(chǎng)，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級(jí)低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  電阻  MOSFET  

瑞薩電子宣布推出低功耗P通道MOSFET

  • 全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩電子”)今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列產(chǎn)品，包括用于筆記本電腦中鋰離子(Li-ion)二級(jí)電池的充電控制開(kāi)關(guān)和與AC適配器進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換的電源管理開(kāi)關(guān)等用途進(jìn)行最佳化的μPA2812T1L。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩電子  MOSFET  μPA2812T1L  

飛兆單一P溝道具有小體積和低導(dǎo)通阻抗

  • 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機(jī)和其它超便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件，滿(mǎn)足其對(duì)具有出色散熱性能的小尺寸電池或負(fù)載開(kāi)關(guān)解決方案的需求
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  

電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原

  • 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對(duì)稱(chēng)電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級(jí)均為推挽對(duì)稱(chēng)電路，可以獲得上升邊和下降邊時(shí)間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  VP-P  120  電壓    

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作

  • 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級(jí)晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器，而且還在輸出級(jí)采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  高頻特性  放大器電路  工作原理    

集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046(五)

  • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說(shuō)明。
    關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個(gè)PIN腳功能(上接第1
  • 關(guān)鍵字： 控制器  -LM5046  全橋移  驅(qū)動(dòng)器  MOSFET  集成  

MOSFET的UIS和雪崩能量解析

  • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)
  • 關(guān)鍵字： 解析  能量  雪崩  UIS  MOSFET  

功率MOSFET設(shè)計(jì)考量

  • 用作功率開(kāi)關(guān)的MOSFET
    隨著數(shù)十年來(lái)器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來(lái)了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?。功率器件從電流?qū)動(dòng)變?yōu)殡妷候?qū)動(dòng)，加快了這些產(chǎn)品的市場(chǎng)滲透速度。上世紀(jì)80年代，平面柵極功率MOSFET
  • 關(guān)鍵字： 考量  設(shè)計(jì)  MOSFET  功率  

MOSFET高速驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

  • 隨著電源高效、高功率密度的要求，電源的頻率由原來(lái)的工頻，到幾十千赫茲，再到如今幾百千赫茲甚至兆赫茲。電源頻率的要求越來(lái)越高。如何選擇合適的MOSFET，如何有效地驅(qū)動(dòng)高速M(fèi)OSFET，提升電源效率是廣大工程師面臨的問(wèn)題。本文將探討MOSFET的選型以及高速驅(qū)動(dòng)線路設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  電容  

包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

  • 1. 引言　　散熱器在計(jì)算時(shí)會(huì)出現(xiàn)誤差，一般說(shuō)來(lái)主要原因是很難精確地預(yù)先知道功率損耗，每只器件的參數(shù)參差不 ...
  • 關(guān)鍵字： 熱模型  MOSFET  PSPICE  

瑞薩電子推出三款低損耗碳化硅功率器件

  • 全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復(fù)合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個(gè)碳化硅二極管和多個(gè)功率晶體管，組成電源轉(zhuǎn)換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個(gè)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電(如空調(diào))、PC服務(wù)器和太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩電子  功率器件  SiC  

飛兆和英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議

  • 全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆半導(dǎo)體  英飛凌科技  MOSFET  

飛兆與英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議

  • 　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。 　　飛兆半導(dǎo)體PowerTrench非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET模塊是飛兆半導(dǎo)體全面廣泛的先進(jìn)MOSFET產(chǎn)品系列的組成部分，為電源設(shè)計(jì)人員提供了適用于關(guān)鍵任務(wù)的高效信息處理設(shè)計(jì)的全面解決方案。 　　這一兼容協(xié)議是兩家公司在2010年達(dá)成的協(xié)議的擴(kuò)展，旨在為客戶(hù)保證供
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  

開(kāi)關(guān)電源MOSFET漏源極電壓電磁干擾的仿真分析

  • 1引言開(kāi)關(guān)電源是目前用途非常廣泛的一種電源設(shè)備，然而隨著開(kāi)關(guān)頻率以及開(kāi)關(guān)速度的不斷提高，產(chǎn)生的電磁干擾越來(lái)越大，由于市場(chǎng)準(zhǔn)入制度的實(shí)施，電磁干擾研究已引起了足夠的重視。干擾源是電磁干擾的三要素之一，是電
  • 關(guān)鍵字： 仿真  分析  干擾  電磁  MOSFET  電壓  開(kāi)關(guān)電源  

瑞薩開(kāi)發(fā)出低損耗碳化硅（SiC）功率器件

  • 全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩”)宣布開(kāi)發(fā)出了肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料(SiC，注1)——這種材料被認(rèn)為具有用于功率半導(dǎo)體器件的巨大潛力。這款新型SiC肖特基勢(shì)壘二極管適用于空調(diào)、通信基站和太陽(yáng)能陣列等大功率電子系統(tǒng)。該器件還采用了日立株式會(huì)社與瑞薩聯(lián)合開(kāi)發(fā)的技術(shù)，有助于實(shí)現(xiàn)低功耗。與瑞薩采用傳統(tǒng)硅(Si)的現(xiàn)有功率器件相比，其功耗大約降低了40%。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  半導(dǎo)體  碳化硅  
共1821條 92/122 |‹ « 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 » ›|

碳化硅(sic)mosfet介紹

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473