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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

功率因數(shù)校正器(PFC)在電源應(yīng)用中的重要作用

  • 傳統(tǒng)的離線開(kāi)關(guān)模式功率轉(zhuǎn)換器會(huì)產(chǎn)生帶高諧波含量的非正弦輸入電流。這會(huì)給電源線、斷路開(kāi)關(guān)和電力設(shè)施帶來(lái)...
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為同步整流選擇最優(yōu)化的MOSFET

  • 中心議題： 同步整流基礎(chǔ)知識(shí) 優(yōu)化同步整流MOSFET解決方案： 確定優(yōu)化MOSFET的負(fù)載電流 借助四象限SR器件優(yōu)化表選擇MOSFET
    1. 引言

    電源轉(zhuǎn)換器的封裝密度日益提高和節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)越來(lái)越嚴(yán)格，
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集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046(二)

  • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說(shuō)明。
    關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個(gè)PIN腳功能 (上接第
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快速二極管MOSFET在三相逆變器拓?fù)渲械膽?yīng)用

  • 高效率和節(jié)能是家電應(yīng)用中首要的問(wèn)題。三相無(wú)刷直流電機(jī)因其效率高和尺寸小的優(yōu)勢(shì)而被廣泛應(yīng)用在家電設(shè)...
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MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)及應(yīng)用

  • 下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路?！≡谑褂肕OS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，
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Vishay推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴(kuò)充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的PowerPAIR家族雙芯片不對(duì)稱(chēng)功率MOSFET。新器件擴(kuò)大了該系列產(chǎn)品的電壓和封裝占位選項(xiàng)，使Vishay成為3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸規(guī)格產(chǎn)品的獨(dú)家供應(yīng)商。
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AOS推出適用便攜式應(yīng)用的功率MOSFET

  • 　　日前，集設(shè)計(jì)，開(kāi)發(fā)和全球銷(xiāo)售的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商AOS半導(dǎo)體有限公司（AOS），發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。 　　新的產(chǎn)品上應(yīng)用了AOS的AlphaMOS專(zhuān)利技術(shù)。這些技術(shù)的好處在于它可以延長(zhǎng)電池的使用壽命，還可以使設(shè)計(jì)變的更簡(jiǎn)單緊湊，適用于便攜式產(chǎn)品，例如：平板電腦、智能手機(jī),電子書(shū)、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)及便攜式音樂(lè)播放器。 　　AON7421和AON7423是20V P溝道MOSFET，它們的RDS(ON)是目前市
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羅姆與APEI聯(lián)合開(kāi)發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(chē)(電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力車(chē))及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI　HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計(jì)，由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn)，從而大幅改善了電氣特性、機(jī)械特性，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  SiC  MOS  

羅姆開(kāi)發(fā)出世界首家壓鑄模類(lèi)型SiC功率模塊

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)日前面向EV/HEV車(chē)(電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力車(chē))和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動(dòng)，開(kāi)發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開(kāi)發(fā)的高耐熱樹(shù)脂，世界首家實(shí)現(xiàn)了壓鑄模類(lèi)型、225℃高溫下工作，并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實(shí)現(xiàn)小型和低成本封裝，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  SiC  

采用開(kāi)關(guān)器件提高PFC效率

  • 在CCMPFC中，通過(guò)改善MOSFET技術(shù)可以減少開(kāi)關(guān)損耗，甚至可通過(guò)SiC技術(shù)改善升壓二極管來(lái)減少M(fèi)OSFET的開(kāi)關(guān)損...
  • 關(guān)鍵字： 開(kāi)關(guān)  PFC  MOSFET  

在SMPS應(yīng)用中選擇IGBT和MOSFET的比較

  • 開(kāi)關(guān)電源（SwitchModePowerSupply；SMPS）的性能在很大程度上依賴(lài)于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開(kāi)關(guān)管和整流...
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飛兆半導(dǎo)體在線設(shè)計(jì)和模擬工具

  • 當(dāng)前，設(shè)計(jì)人員正面臨為各種應(yīng)用產(chǎn)品的電源設(shè)計(jì)反激電路的挑戰(zhàn)，現(xiàn)在找到能夠簡(jiǎn)化工作的方法。全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)發(fā)布一款易于使用、功能強(qiáng)大的在線仿真工具Power Supply WebDesigner (PSW)，這款工具可讓設(shè)計(jì)人員無(wú)需應(yīng)用指南，也可以像電源專(zhuān)家一樣進(jìn)行“自動(dòng)化設(shè)計(jì)”、優(yōu)化或“先進(jìn)設(shè)計(jì)”。
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MAX5054-MAX5057雙、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器

  • 概述　　MAX5054-MAX5057雙、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器可供出和吸收高達(dá)4A的峰值電流。這些器件具有20ns的快速傳輸 ...
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大功率LED關(guān)鍵材料GaN開(kāi)始侵食硅功率MOSFET市場(chǎng)

  • 超級(jí)半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開(kāi)啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
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Vishay推出新款n溝道功率MOSFET

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過(guò)JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對(duì)于軍工、航天和航空應(yīng)用，這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)的性能。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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