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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

IR推出全新300V功率MOSFET

  • 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ，這些工業(yè)應用包括110V-120V交流電壓線性調節(jié)器和110V-120V交流電壓電源，以及直流-交流逆變器，如太陽能逆變器、不間斷電源 (UPS)等。
  • 關鍵字： IR  MOSFET  

IR 推出具有基準導通電阻的全新300V功率MOSFET

  • 全球功率半導體和管理方案領導廠商–國際整流器公司(InternationalRectifier，簡稱IR)近日推出配備IR最新...
  • 關鍵字： 基準導通  300V功率  MOSFET  

基于SG3525A的太陽能逆變電源設計與實現(xiàn)

  • 引言本文涉及的是光明工程中一個課題的具體技術問題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電，...
  • 關鍵字： SG3525A  逆變電源  MOSFET-90N10  

汽車應用MOSFET的技術趨勢

  • 汽車應用MOSFET半導體制造商在金屬氧化物半導體（MOS）技術領域取得了重大進步，并繼續(xù)積極發(fā)展。先進的功率MOS...
  • 關鍵字： 汽車應用  MOSFET  電機控制  

用于IGBT與功率MOSFET的柵驅動器通用芯片

  • 1　引言
    　　scale-2芯片組是專門為適應當今igbt與功率mosfet柵驅動器的功能需求而設計的。這些需求包括：可擴展的分離式開通與關斷門級電流通路;功率半導體器件在關斷時的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
  • 關鍵字： MOSFET  IGBT  驅動器  芯片    

隔離驅動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧二

  • 11、請問：HCPl-316產(chǎn)品如何做到短路時軟關斷？謝謝！　　HCPL-316J 飽和閾值的頂點設置在7V，這是對通過一個比較 ...
  • 關鍵字： IGBT  Power  MOSFET  功率器件  

隔離驅動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

  • 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
  • 關鍵字： IGBT  Power  MOSFET  功率器件  

MAX5048C高電流MOSFET驅動器-高頻開關電源的理想選擇

  • MAX5048C是一個高速MOSFET驅動器，能夠吸收/7A/3A峰值電流。該器件采用邏輯輸入信號，驅動外部MOSFET。該器件具...
  • 關鍵字： MAX5048C  高電流  MOSFET  驅動器  

隔離驅動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧

  • 功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
  • 關鍵字： 門極驅動光耦    隔離驅動IGBT    Power  MOSFET  

第三代半導體材料雙雄并立 難分高下

  • 　　進入21世紀以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導體硅材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導體材料的雙雄。 　　SiC早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了，但直到1955年，才有生長高品質碳化硅的方法出現(xiàn);到了1987年，商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進入市場;進入21世紀后，SiC的商業(yè)應用才算全面鋪開。相對于Si，SiC的優(yōu)點很多：有10倍的電場強度，高3倍的熱導率，寬3倍禁帶寬度，高一倍的飽和漂
  • 關鍵字： ROHM  SiC  半導體  

飛兆提供業(yè)界領先的高可靠性體二極管性能

  • 服務器、電信、計算等高端的AC-DC開關模式電源(SMPS)應用以及工業(yè)電源應用需要較高的功率密度，因此要獲得成功，設計人員需要采用占據(jù)更小電路板空間并能提高穩(wěn)定性的高性價比解決方案。
  • 關鍵字： 飛兆  MOSFET  SuperFET  

如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅動器有辦法

  • 如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅動器有辦法,UCD9110或UCD9501等新上市的數(shù)字電源控制器需要具備新型的智能型集成MOSFET驅動器的支持。電源設計人員仍然對數(shù)字電源控制技術心存疑慮。他們經(jīng)常將PC的藍屏現(xiàn)象歸咎于軟件沖突。當然，這種爭議會阻礙數(shù)字控制電源以
  • 關鍵字： MOSFET  驅動器  辦法  性能  電源  提升  數(shù)字  控制  如何  

電源設計小貼士46：正確地同步降壓FET時序

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關期間，存在兩個過渡階段：低...
  • 關鍵字： FET    MOSFET    電源設計小貼士    德州儀器  

電源設計小貼士：同步降壓 MOSFET電阻比的正確選擇

  • 在這篇《電源設計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和F...
  • 關鍵字： 同步降壓  MOSFET  電阻比  

飛兆40V PowerTrenchMOSFET功率控制更強、效率更高

  • 汽車動力轉向系統(tǒng)的設計工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench? MOSFET可幫助設計人員應對這些挑戰(zhàn)。
  • 關鍵字： 飛兆  MOSFET  FDB9403  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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