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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

意法半導體高效超結MOSFET瞄準節(jié)能型功率轉換拓撲

  • 　　意法半導體推出MDmesh?系列600V超結晶體管，該產(chǎn)品針對提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉換器拓撲能效而設計。　　針對軟開關技術優(yōu)化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節(jié)能應用中的LLC諧振轉換器和升壓PFC轉換器。電容電壓曲線有助于提高輕載能效，最低16 nC的柵極電荷量(Qg)可實現(xiàn)高開關頻率，這兩個優(yōu)點讓MDmesh M6器件在硬開關拓撲結構中也有良好的能效表現(xiàn)?！　〈送猓夥ò雽w最先進的M6超結技術將RDS(ON)電阻降至0.036?，有助于電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅
  • 關鍵字： 意法半導體  MOSFET  

重磅推出碳化硅MOSFET ，基本半導體參加第二屆國際電力電子技術與應用會議

  • 　　11月4-7日，由中國電源學會與IEEE電力電子學會聯(lián)合主辦的第二屆國際電力電子技術與應用會議暨博覽會(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行?；景雽w作為本次大會的金牌贊助商，重磅推出碳化硅MOSFET產(chǎn)品，反響熱烈?！　∽鳛槿蛐缘碾娏﹄娮有袠I(yè)盛會，IEEE PEAC 2018可謂大咖云集，來自31個國家和地區(qū)的電力電子學術界和產(chǎn)業(yè)界的800余位代表參加了本次會議。大會主席、中國電源學會理事長徐德鴻教授主持開幕式并致開幕詞，美國工程院院士、中國工程院外籍院士李澤元教授，中國工程院院
  • 關鍵字： 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  

基本半導體攜碳化硅 MOSFET新品亮相第92屆中國電子展

  • 　　10月31日-11月2日，第92屆中國電子展在上海新國際博覽中心隆重舉行?；景雽w亮相深圳坪山第三代半導體產(chǎn)業(yè)園展區(qū)，展示公司自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET和碳化硅肖特基二極管等產(chǎn)品?！　≈袊娮诱故请娮有袠I(yè)的年度盛會，集中展示電子元器件、集成電路、電子制造設備、測試測量、軍民融合、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等產(chǎn)業(yè)，傾力打造從上游基礎電子元器件到下游產(chǎn)品應用端的全產(chǎn)業(yè)鏈陣容。本次展會以“信息化帶動工業(yè)化，電子技術促進產(chǎn)業(yè)升級”為主題，共有40000余名買家和專業(yè)觀眾觀展，共同打造了一場電子行業(yè)年度盛會?！?/li>
  • 關鍵字： 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  

基本半導體承辦中日韓第三代半導體技術研討會

  • 　　11月5日，在第二屆國際電力電子技術與應用會議暨博覽會期間，來自中國、日本和韓國的第三代半導體專家齊聚基本半導體，參加第三代半導體功率器件先進應用技術研討會?！　〕鱿瘯h的嘉賓包括清華大學孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學馬柯博士、華中科技大學蔣棟教授、長岡技術科學大學伊東淳一教授、東京都立大學和田圭二副教授、韓國亞洲大學Kyo-Beum Lee教授、奧爾堡大學王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專家學者和基本半導體研發(fā)團隊。與會嘉賓分享了各自在第三代半導體功率器件領域的最新研究主題和方向，
  • 關鍵字： 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  

基本半導體榮獲“2018年度深圳市人才伯樂獎”

  • 　　近日，從深圳市人力資源和社會保障局傳來喜訊，基本半導體憑借在人才引進方面的突出成果，獲評“2018年度深圳市人才伯樂獎”?！　∩钲谑腥瞬挪畼藩勈怯缮钲谑姓O立，旨在鼓勵企事業(yè)單位、人才中介組織等引進和舉薦人才，以增強企業(yè)科技創(chuàng)新能力，提升城市核心競爭力。每年市政府通過評選伯樂獎對在本市人才培養(yǎng)、引進過程中作出貢獻的單位及個人給予表彰和獎勵。　　基本半導體是第三代半導體領域的高新技術企業(yè)，從創(chuàng)立之初就非常重視人才的引進和培養(yǎng)。作為一家由海歸博士創(chuàng)立的公司，基本半導體依托廣泛的海外資源，成功引進了來自英
  • 關鍵字： 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  

羅姆為汽車、工業(yè)領域提供更多SiC解決方案

  • 羅姆（ROHM）作為一個日本企業(yè)，很早便打入歐洲市場，豐富的行業(yè)經(jīng)驗、值得信賴的產(chǎn)品品質和口碑讓歐洲本土企業(yè)成為羅姆（ROHM）的合作伙伴。在本次的elecronica 2018展上，我們也見到了很多羅姆（ROHM）的得意之作。
  • 關鍵字： ROHM  SiC  羅姆  

使用SiC技術攻克汽車挑戰(zhàn)

  • 　　摘要 – 在未來幾年投入使用SiC技術來應對汽車電子技術挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項目提供資金支持，實現(xiàn)具有重大經(jīng)濟和社會影響的優(yōu)勢互補的研發(fā)活動。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牽頭，20個項目合作方將在技術研究、制造工藝、封裝測試和應用方面展開為期36個月的開發(fā)合作。本文將討論本項目中與汽車相關的內容，重點介紹有關SiC技術和封
  • 關鍵字： SiC  WInSiC4AP  

半導體發(fā)展經(jīng)歷三代變革 推動社會發(fā)展

  • 第三代半導體材料技術正在成為搶占下一代信息技術、節(jié)能減排及國防安全制高點的最佳途徑之一，是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的重要組成內容。
  • 關鍵字： 半導體  氮化鎵  碳化硅  

ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊

  • 　　全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設備用電源的逆變器和轉換器，開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界頂級※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調查數(shù)據(jù))　　近年來，由于SiC產(chǎn)品的節(jié)能效果優(yōu)異，以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車和工業(yè)設備等領域的應用日益廣泛。隨著各種應用的多功能化和高性能化發(fā)展，系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢，1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而，受
  • 關鍵字： ROHM  SiC  

“2018 ROHM科技展”：走進智能“芯”生活！

  • 　　全球知名半導體制造商羅姆將于2018年11月29日(周四)在深圳圣淘沙酒店翡翠店舉辦為期一天的“2018 ROHM科技展”。屆時，將以“羅姆對智能生活的貢獻”為主題，展示羅姆在汽車電子和工業(yè)設備等領域的豐富產(chǎn)品與解決方案，以及模擬技術和功率元器件等技術亮點。同時，將圍繞汽車電子、SiC(碳化硅)功率元器件、電機驅動、DC/DC轉換器技術、傳感器技術以及旗下藍碧石半導體的先進技術等主題，由羅姆的工程師帶來六場技術專題講座。期待您蒞臨“2018 ROHM科技展”現(xiàn)場，與羅姆的技術專家進行面對面的交流和切磋
  • 關鍵字： ROHM  SiC  

基本半導體成功主辦第二屆中歐第三代半導體高峰論壇

  • 　　10月24日，由青銅劍科技、基本半導體、中歐創(chuàng)新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳會展中心成功舉行?！　”緦酶叻逭搲偷谌雽w產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟達成戰(zhàn)略合作，與第十五屆中國國際半導體照明論壇暨2018國際第三代半導體論壇同期舉行，來自中國、歐洲及其他國家的專家學者、企業(yè)領袖同臺論劍，給現(xiàn)場觀眾帶來了一場第三代半導體產(chǎn)業(yè)的盛宴。　　立足國際產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢，從全球視角全面探討第三代半導體發(fā)展的現(xiàn)狀與趨勢、面臨的機遇與挑戰(zhàn)，以及面向未來的戰(zhàn)略與思考是中歐第三代半導體高峰論壇舉辦的宗旨。目
  • 關鍵字： 基本半導體  3D SiC JBS二極管  4H 碳化硅PIN二極管  第三代半導體  中歐論壇  

SiC和GaN系統(tǒng)設計工程師不再迷茫

  •    SiC和GaN MOSFET技術的出現(xiàn)，正推動著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。這些新材料把整個電源轉換系統(tǒng)的效率提高了多個百分點，而這在幾年前是不可想象的?！　≡诂F(xiàn)實世界中，沒有理想的開關特性。但基于新材料、擁有超低開關損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn)，既能實現(xiàn)低開關損耗，又能處理超高速率dv/dt轉換，并支持超快速開關頻率，使得這些新技術既成就了DC/DC轉換器設計工程師的美夢，但同時也變成了他們的惡夢。　　比如一名設計工程師正在開發(fā)功率轉換應用，如逆變器或馬達驅動控制器，或者正在設
  • 關鍵字： SiC  GaN  

高功率單片式 Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器 滿足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并適合狹小的安放空間

  • 　　隨著汽車中電子系統(tǒng)數(shù)量的成倍增加，車內產(chǎn)生電磁干擾的風險也大幅升高了。因此，新式車輛中的電子產(chǎn)品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測試標準，該標準對傳導型和輻射型 EMI 發(fā)射做了嚴格的限制。由于其本身的性質，開關電源充斥著 EMI，并在整個汽車中“彌漫擴散”。如今，低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅固性和易用性一起，成為了對汽車電源的一項關鍵要求。Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器系列可滿足汽車制造商嚴格的 EMI 要求，同時擁有緊湊的尺寸以及集成化
  • 關鍵字： MOSFET，LT8650S   

Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關電源IC

  • 　　深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以內的高效率隔離及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專供電網(wǎng)不穩(wěn)定地區(qū)、時常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質量消費電子產(chǎn)品的電源設計?！　?00V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿足能源相關產(chǎn)品(ErP
  • 關鍵字： Power Integrations  MOSFET  

Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關電源IC

  • 　　深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以內的高效率隔離及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專供電網(wǎng)不穩(wěn)定地區(qū)、時常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質量消費電子產(chǎn)品的電源設計。　　900V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿足能源相關產(chǎn)品(ErP
  • 關鍵字： Power Integrations  MOSFET  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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