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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

教你看懂MOSFET數(shù)據(jù)表

  • 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱
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大功率電源MOSMOSFET問題的分析

  • 本文主要介紹三極管原理最通俗的表達理解，希望對您的學習有所幫助。對三極管放大作用的理解，切記一點：能量不會無緣無故的產(chǎn)生，所以，三極管一定不
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大功率電源MOS工作溫度確定之計算功率耗散

  • 在電子電路設(shè)計中，散熱設(shè)計是非常重要的一項指標。但在很多設(shè)計環(huán)境下，空間的狹小程度限制了散熱功能設(shè)計與發(fā)揮。在大功率電源MOSFET當中這種情況尤
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功率MOSFET在集成驅(qū)動電路中的設(shè)計應(yīng)用簡析

  • 功率MOSFET目前在一些大中型開關(guān)電源的驅(qū)動電路中得到了廣泛的應(yīng)用，此前我們曾經(jīng)為大家總結(jié)了幾種MOSFET在驅(qū)動電路中的常見應(yīng)用方式，在今天的文章中
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干貨!一種簡易的MOSFET自舉驅(qū)動電路設(shè)計分享

  • 功率開關(guān)器件MOSFET在驅(qū)動電路中的應(yīng)用頻率在最近幾年直線上升，在一些中小功率的開關(guān)電源產(chǎn)品中，利用MOSFET完成驅(qū)動電路的設(shè)計不僅省時省力，還具有
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同步整流降壓式DC-DC變換器應(yīng)怎樣選擇MOSFET?

  • 功率器件MOSFET在很多電路系統(tǒng)的設(shè)計中都得到了廣泛的應(yīng)用，而對于同步整流降壓式的DC-DC變換器來說，怎樣選擇合適的MOSFET則是非常重要的一環(huán)，需要研
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6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動入門

  • 由于不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應(yīng)，因此在關(guān)斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴格，需要負壓驅(qū)動進行輔助
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  IGBT  隔離驅(qū)動  

MOSFET開關(guān)損耗分析

  • 摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對MOSFET柵極電荷、極間
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基于大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)

  • 1.MOSFET柵極驅(qū)動電平的上升時間和下降時間功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關(guān)電源(switch-mode power supplies，S
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大國器重 功率半導體小行業(yè)大機會

  • 在傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，功率半導體分立器件引領(lǐng)工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉(zhuǎn)變，實現(xiàn)家電工業(yè)轉(zhuǎn)型升級，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。而隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，新興領(lǐng)域成為支撐功率半導體分立器件保持較好發(fā)展勢頭的重要市場。
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SiC元件2023年產(chǎn)業(yè)規(guī)模達14億美元

  • 　　市場研究單位Yole Développement(Yole)指出，碳化硅(SiC)電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展具高度潛力，包括ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、Infineon Technologies、Littelfuse、Ascatron等廠商都大力投入。Yole預測到2023年SiC功率半導體市場規(guī)模預計將達14億美元，2016年至2023年間的復合成長率(CAGR)為28%，2020~2022年CAGR將進一步提升至40%?！　“▁EV、xEV充電基
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功率MOSFET關(guān)斷損耗計算攻略

  • 本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計算方式，供大家參考。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  關(guān)斷損耗  

看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分―UIS/雪崩額定值

  • 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模
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碳化硅/氮化鎵組件進入商品化 電力電子產(chǎn)業(yè)迎來大革命

  • LinkedIn隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。 這些新組件雖然
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傳中興急單ODM/OEM抬價20%搶貨：MOSFET全年漲價30%

  • 　　MOSFET漲價已經(jīng)很長一段時間，從今年年初至今，其漲價幅度已經(jīng)達到了5%-10%，相對另外一種被動元器件MLCC，MOSFET漲價幅度還算在可接受范圍之內(nèi)。簡而言之，今年以來MOSFET一直處于供貨吃緊狀態(tài)，包括英飛凌、威世、意法半導體、安森美等國際IDM大廠近些年并沒有新增產(chǎn)能?！　∮捎谌ツ晗掳肽暌詠?，汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、云端計算等新應(yīng)用加大對MOSFET的需求，導致電腦以及智能手機等3C電子產(chǎn)品用MOSFET供貨嚴重不足，價格已經(jīng)從今年年初上漲至今持續(xù)了3個季度!據(jù)市場表示，今年上半年MOSFET
  • 關(guān)鍵字： 中興  ODM  OEM  MOSFET  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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