Nexperia推出超微型MOSFET具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)

半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia發(fā)布了一系列MOSFET產(chǎn)品，采用超小型DFN0606封裝，適用于移動和便攜式產(chǎn)品應(yīng)用，包括可穿戴設(shè)備。這些器件還提供低導(dǎo)通電阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm間距，從而簡化了PCB組裝過程。

PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過36%的空間。由于采用了先進工藝流程，這些新器件提供低導(dǎo)通電阻RDS(on)，與競爭對手產(chǎn)品相比減小了60%以上，它們還具備優(yōu)良的ESD性能，低至0.7 V的超低VGS電壓閾值，這個參數(shù)對低驅(qū)動電壓的便攜式產(chǎn)品應(yīng)用至關(guān)重要。

Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Sandy Wang評論道：“新一代可穿戴設(shè)備不斷突破消費電子技術(shù)的界限。智能手機、智能手表、健身跟蹤器和其他創(chuàng)新技術(shù)的演進需要微型化MOSFET，用以提供領(lǐng)先的性能和效率，從而實現(xiàn)越來越多的復(fù)雜功能。Nexperia擁有很高產(chǎn)能和制造能力，能夠進行擴產(chǎn)，以最大限度地滿足市場需求?！?/p>