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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

SiC: 為何被稱為是新一代功率半導(dǎo)體？

  • 　　王?瑩?（《電子產(chǎn)品世界》編輯，北京?100036）　　SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢。據(jù)SiC廠商羅姆基于IHS的調(diào)查顯示，2025年整個(gè)市場規(guī)模將達(dá)到約23億美元。在應(yīng)用中，在光伏和服務(wù)器市場最大，正處于發(fā)展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會得到更多的應(yīng)用?！　〔贿^，制約SiC發(fā)展的關(guān)鍵是價(jià)格，主要原因有兩個(gè)：襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應(yīng)地下降，羅姆等公司已經(jīng)有6英
  • 關(guān)鍵字： 201909  新一代功率半導(dǎo)體  SiC  

華為出手第三代半導(dǎo)體材料 性能實(shí)現(xiàn)千倍提升

  • 華為出資7億元全資控股，剛剛于今年4月23日成立的哈勃科技投資有限公司近日出手，投資了山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司，持股達(dá)10%。山東天岳是我國第三代半導(dǎo)體材料碳化硅龍頭企業(yè)。
  • 關(guān)鍵字： 華為  半導(dǎo)體  碳化硅  

針對高耐用性和可靠性電源需求，意法半導(dǎo)體推出市場上擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉(zhuǎn)換器

  • 中國，2019年7月29日——意法半導(dǎo)體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉(zhuǎn)換器，集成一個(gè)1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設(shè)計(jì)簡單的優(yōu)點(diǎn)。VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓，無需傳統(tǒng)垂直堆疊FET和相關(guān)無源元件，即可實(shí)現(xiàn)類似的電壓處理能力，可采用尺寸更小的外部緩沖器元件。轉(zhuǎn)換器內(nèi)置漏極限流保護(hù)功能，MOSFET包含一個(gè)用于過溫保護(hù)的senseFET引腳。單片集成高壓啟動電路、內(nèi)部誤差放大器和電流式PWM控制器，VIPER26K支持所有常見開關(guān)式電源拓?fù)?，包括原邊或?/li>
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SiC將達(dá)23億美元規(guī)模，技術(shù)精進(jìn)是主攻方向

  • ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢。在應(yīng)用中，在光伏和服務(wù)器市場最大，正處于發(fā)展中的市場是xEV（電動與混動汽車）。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會得到更多的應(yīng)用。? ? ? 不過，制約SiC發(fā)展的，最主要的是價(jià)格，主要原因有兩個(gè)，一個(gè)是襯底，一個(gè)是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會相應(yīng)地下降，ROHM等公司已經(jīng)有6英寸的晶圓片。在技術(shù)方面，眾廠商競爭
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CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車級碳化硅功率模塊高溫柵極驅(qū)動器創(chuàng)新成果

  • 中國北京，2019年7月16日–各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID今日宣布，公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議”上，發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅(qū)動器”的論文，并介紹公司在該領(lǐng)域的最新研究開發(fā)成果。CISSOID首席技術(shù)官Pierre Delatte將于19日在該會議上發(fā)表該文章。當(dāng)今，碳化硅（SiC）在汽車制造商的大力追捧下方興未艾，碳化硅技術(shù)可以提供更高的能效和增加功率密度；在工業(yè)應(yīng)用方面，越來越多的人則
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華為強(qiáng)力掃貨　手機(jī)、服務(wù)器用MOSFET急單聲聲催

  • 中美貿(mào)易戰(zhàn)戰(zhàn)火延燒，華為禁令事件已經(jīng)讓大陸業(yè)者火速要求邏輯IC供應(yīng)鏈緊急備貨，熟悉功率元件業(yè)者透露，除了鞏固華為海思晶圓代工、封測代工供應(yīng)鏈以及臺系邏輯IC供應(yīng)體系外，瘋狂掃貨力道已經(jīng)蔓延到功率基礎(chǔ)元件金氧半場效晶體管(MOSFET)。
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Cree將投資10億美元，擴(kuò)大SiC（碳化硅）產(chǎn)能

  • 此次產(chǎn)能擴(kuò)大，將帶來SiC（碳化硅）晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長和SiC（碳化硅）材料生產(chǎn)的30倍增長，以滿足2024年之前的預(yù)期市場增長 5年的投資，充分利用現(xiàn)有的建筑設(shè)施North Fab，并整新200mm設(shè)備，建造采用最先進(jìn)技術(shù)的滿足汽車認(rèn)證的生產(chǎn)工廠 投資：4.5億美元用于North Fab；4.5億美元用于材料超級工廠（mega factory）；1億美元用于伴隨著業(yè)務(wù)增長所需要的其它投入
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現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制

  • 　　Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國 慕尼黑）　　摘要：通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能?！　￡P(guān)鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅(qū)動器；耐受性；隔離? ? &nb
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工程師必須掌握的MOS管驅(qū)動設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)

  • 一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動的，不需要驅(qū)動電流。然而，在MOS的G、S兩級之間，有結(jié)電容存在。這個(gè)電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單......
  • 關(guān)鍵字： MOS  MOSFET  

SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個(gè)機(jī)型， 產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101

  • 　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個(gè)機(jī)型，該系列產(chǎn)品支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※2)，而且產(chǎn)品陣容豐富，擁有13個(gè)機(jī)型?！　OHM于2010年在全球率先成功實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn)，在SiC功率元器件領(lǐng)域，ROHM始終在推動領(lǐng)先的產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)體制構(gòu)建。在需求不斷擴(kuò)大的車載市場，ROHM也及時(shí)確立車載品質(zhì)，并于2012年開始供應(yīng)車載充電器用的SiC肖特
  • 關(guān)鍵字： ROHM  SiC  MOSFET  

安森美半導(dǎo)體推出新的工業(yè)級和符合車規(guī)的SiC MOSFET，補(bǔ)足成長的生態(tài)系統(tǒng)，并為迅速增長的應(yīng)用帶來寬禁帶性能的優(yōu)勢

  • 　　2019年3月19日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)，推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業(yè)級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術(shù)的使能、廣泛性能優(yōu)勢帶到重要的高增長終端應(yīng)用領(lǐng)域如汽車DC-DC、電動汽車車載充電機(jī)、太陽能、不間斷電源及服務(wù)器電源?！　∵@標(biāo)志著安森美半導(dǎo)體壯大其全面且不斷成長的SiC 生態(tài)系統(tǒng)，包括SiC二極管和SiC驅(qū)動器等互補(bǔ)器件，以及
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600V 超級結(jié)MOSFET “PrestoMOS”系列產(chǎn)品助力變頻空調(diào)節(jié)能

  • 　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時(shí)間(trr※1))的同時(shí)，提高設(shè)計(jì)靈活度，非常適用于空調(diào)、冰箱等白色家電的電機(jī)驅(qū)動以及EV充電樁。近日，該系列產(chǎn)品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機(jī)型?！　〈舜伍_發(fā)的新系列產(chǎn)品與以往產(chǎn)品同樣利用了ROHM獨(dú)有的壽命控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了極快的反向恢復(fù)時(shí)間(trr)。與IGBT相比，輕負(fù)載時(shí)的功耗成功減少了58%左右。另外，通過提高導(dǎo)通MOSFET所需要的電壓水
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安森美半導(dǎo)體將在APEC 2019演示 用先進(jìn)云聯(lián)接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案

  • 　　2019年3月14日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)，將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開發(fā)平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應(yīng)用廣泛的電源方案，使用戶能在一個(gè)具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統(tǒng)方案的選擇范圍，且在采購硬件和完成設(shè)計(jì)之前對系統(tǒng)性能有信心?！　trata Developer S
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Diodes 公司的雙極晶體管采用 3.3mm x 3.3mm 封裝并提供更高的功率密度

  • 　　Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 為領(lǐng)先業(yè)界的高質(zhì)量應(yīng)用特定標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品全球制造商與供貨商，產(chǎn)品涵蓋廣泛領(lǐng)域，包括獨(dú)立、邏輯、模擬及混合訊號半導(dǎo)體市場。公司推出 NPN 與 PNP 功率雙極晶體管，采用小尺寸封裝 (3.3mm x 3.3mm)，可為需要高達(dá) 100V 與 3A 的應(yīng)用提供更高的功率密度。新款 NPN 與 PNP 晶體管的尺寸較小，可在閘極驅(qū)動功率 MOSFET 與 IGBT、線性 DC-DC 降壓穩(wěn)壓器、PNP LDO 及負(fù)載開關(guān)電路，提供更高的功率密度設(shè)計(jì)?！?/li>
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Vishay攜最新MOSFET、IC、無源器件和二極管技術(shù)亮相APEC 2019

  • 　　2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim，California)舉行的2019年國際應(yīng)用電力電子展會(APEC)上展示其強(qiáng)大產(chǎn)品陣容。Vishay展位設(shè)在411展臺，將展示適用于廣泛應(yīng)用領(lǐng)域的最新業(yè)內(nèi)領(lǐng)先功率IC、無源器件、二極管和MOSFET技術(shù)?！　≡贏PEC 2019上展示的Vishay Siliconix電源IC包括SiC9xx microBR
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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