碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

工業(yè)電機(jī)用功率半導(dǎo)體的動(dòng)向

Steven?Shackell? （安森美半導(dǎo)體?工業(yè)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理）摘? 要：電動(dòng)工具用電機(jī)正從有刷直流(BDC)轉(zhuǎn)向無刷直流(BLDC)電機(jī)；工業(yè)電機(jī)需要更高能效的電機(jī)，同時(shí) 需要強(qiáng)固和高質(zhì)量。安森美以領(lǐng)先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應(yīng)對這些轉(zhuǎn)變帶來的商機(jī)。關(guān)鍵詞：電機(jī)；電動(dòng)工具；MOSFET；工業(yè)；IGBT；IPM安森美半導(dǎo)體提供全面的電機(jī)產(chǎn)品系列，尤其是功率半導(dǎo)體方面。安森美半導(dǎo)體因來自所有電機(jī)類型的商機(jī)感到興奮，并非?？春脽o刷直流電機(jī)(BLDC)應(yīng)用（例如電動(dòng)工具），
關(guān)鍵字： 202003 電機(jī) 電動(dòng)工具 MOSFET 工業(yè) IGBT IPM

碳化硅（SiC）功率器件或在電動(dòng)汽車領(lǐng)域一決勝負(fù)

電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個(gè)大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導(dǎo)體器件。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點(diǎn)，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導(dǎo)體材料。正因?yàn)槿绱?，已?jīng)有越來越多的半導(dǎo)體企業(yè)開始進(jìn)入SiC市場。到2023年，SiC功率半導(dǎo)體市場預(yù)計(jì)將達(dá)到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
關(guān)鍵字：碳化硅、SiC、功率器件、電動(dòng)汽車

英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來最佳可靠性和性能水平

近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)以及電動(dòng)汽車充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)高級總監(jiān)St
關(guān)鍵字： SiC MOSFET

儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械墓β拭芏群托识O(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。
關(guān)鍵字：儒卓力威世N-Channel MOSFET 封裝

如何利用 SiC 打造更好的電動(dòng)車牽引逆變器

在本文中，我們將調(diào)查電動(dòng)車牽引逆變器采用 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢。我們將展示在各種負(fù)荷條件下逆變器的能效是如何提升的，包括從輕負(fù)荷到滿負(fù)荷。使用較高的運(yùn)行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開關(guān)頻率，以對電機(jī)繞組輸出更理想的正弦曲線波形和降低電機(jī)內(nèi)的鐵損。預(yù)計(jì)在所有這些因素的影響下，純電動(dòng)車的單次充電行駛里程將提高 5-10%，同時(shí)，降低的損耗還能簡化冷卻問題。簡介近期的新聞表明，純電動(dòng)車?(BEV) 的數(shù)量增加得比之前的預(yù)期要快。這促使汽車制造商（包括現(xiàn)有制
關(guān)鍵字： SiC BEV 牽引逆變器

安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57m?產(chǎn)品

奈梅亨，2020年2月19日：安世半導(dǎo)體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家，今日宣布推出有史以來最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認(rèn)的低壓、低RDS(on)的領(lǐng)先器件，它樹立了25 V、0.57 m?的新標(biāo)準(zhǔn)。該市場領(lǐng)先的性能利用安世半導(dǎo)體獨(dú)特的NextPowerS3技術(shù)實(shí)現(xiàn)，并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(qū)(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數(shù)。?很多應(yīng)用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
關(guān)鍵字：安世半導(dǎo)體 MOSFET RDS(on)

Vishay推出高效80 V MOSFET，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的——SiR680ADP，它是80 V TrenchFET? 第四代n溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP專門用來提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和開關(guān)電路的效率，從而節(jié)省能源，其導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為129 mW*nC，達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平。
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羅姆子公司SiCrystal和意法半導(dǎo)體宣布簽署碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議

近日，羅姆和橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;)宣布，意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。SiCrystal為一家在歐洲SiC晶圓市場占有率領(lǐng)先的龍頭企業(yè)。協(xié)議規(guī)定， SiCrystal將向意法半導(dǎo)體提供總價(jià)超過1.2億美元的先進(jìn)的150mm碳化硅晶片，滿足時(shí)下市場對碳化硅功率器件日益增長的需求。意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示：“該SiC襯底長期供應(yīng)協(xié)
關(guān)鍵字：碳化硅晶圓

羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal與意法半導(dǎo)體就碳化硅（SiC）晶圓長期供貨事宜達(dá)成協(xié)議

近日，全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆和意法半導(dǎo)體（以下簡稱“ST”）宣布，雙方就碳化硅（以下簡稱“SiC”）晶圓由羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal GmbH （以下簡稱“SiCrystal”）供應(yīng)事宜達(dá)成長期供貨協(xié)議。在SiC功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長的大背景下，雙方達(dá)成超1.2億美元的協(xié)議，由SiCrystal（SiC晶圓生產(chǎn)量歐洲第一）向ST（面向眾多電子設(shè)備提供半導(dǎo)體的全球性半導(dǎo)體制造商）供應(yīng)先進(jìn)的150mm SiC晶圓。ST　總經(jīng)理兼首席執(zhí)行官（CEO）　Jean-Marc Chery 說：
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環(huán)球晶圓：硅晶圓明年回溫

半導(dǎo)體硅晶圓大廠環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭日前表示，明年半導(dǎo)體景氣仍受貿(mào)易摩擦、總體經(jīng)濟(jì)及匯率三大變數(shù)干擾，但從客戶端庫存改善、拉貨動(dòng)能加溫，以及應(yīng)用擴(kuò)大等來看，硅晶圓產(chǎn)業(yè)已在本季落底，明年上半年整體景氣動(dòng)能升溫速度優(yōu)于預(yù)期，她預(yù)估環(huán)球晶圓明年首季與本季持平或略增，往后將會逐季成長。
關(guān)鍵字：環(huán)球晶圓硅晶圓碳化硅

Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器，提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)間

近日，Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，幫助高壓/大功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)者將電源效率提升4%，優(yōu)于競爭產(chǎn)品；功耗和碳排放減少30%。驅(qū)動(dòng)器IC優(yōu)化用于工業(yè)通信系統(tǒng)的開關(guān)電源，典型應(yīng)用包括太陽能電源逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車、儲能系統(tǒng)、不間斷電源、數(shù)據(jù)農(nóng)場及其他大功率/高效率電源等。目前，許多開關(guān)電源采用寬帶隙碳化硅(SiC)晶體管來提高電源效率和晶體管可靠性。但是，高開關(guān)頻率的瞬態(tài)特性會產(chǎn)生較大噪聲，影響系統(tǒng)的正常工作或者需要額外的措施抑制干擾
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Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK?1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內(nèi)最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專門用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無線充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電源的功率密度和效率。日前發(fā)布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封裝導(dǎo)通電阻最低的60
關(guān)鍵字： MOSFET N溝道

使用ADuM4136隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器和LT3999 DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)1200 V SiC電源模塊

簡介電動(dòng)汽車、可再生能源和儲能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實(shí)施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專用半導(dǎo)體器件和通過柵極驅(qū)動(dòng)器控制這些新型半導(dǎo)體器件開和關(guān)的策略。目前最先進(jìn)的寬帶器件，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體具有更高的性能，如600 V至2000 V的高電壓額定值、低通道阻抗，以及高達(dá)MHz范圍的快速切換速度。這些提高了柵極驅(qū)動(dòng)器的性能要求，例如，，通過去飽和以得到更短的傳輸延遲和改進(jìn)的短路保護(hù)。本應(yīng)用筆記展示了ADuM4136 柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢，這款單通道器件的輸出驅(qū)動(dòng)能
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意法半導(dǎo)體完成對碳化硅晶圓廠商N(yùn)orstel AB的并購

近日，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）于12月2日宣布，完成對瑞典碳化硅（SiC）晶圓制造商N(yùn)orstel AB（“ Norstel”）的整體收購。在2019年2月宣布首次交易后，意法半導(dǎo)體行使期權(quán)，收購了剩余的45％股份。Norstel并購案總價(jià)為1.375億美元，由現(xiàn)金支付。
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Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商N(yùn)experia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場效應(yīng)管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高性能要求的應(yīng)用市場，包括電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
關(guān)鍵字： Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件