碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

Maxim推出2.2MHz、雙路輸出DC-DC轉(zhuǎn)換器

　　Maxim Integrated Products推出能夠提供2A和1A輸出電流的雙路輸出、高開關(guān)頻率DC-DC轉(zhuǎn)換器MAX5098A/MAX5099.轉(zhuǎn)換器直接采用汽車電池供電，集成了能承受高達(dá)80V瞬態(tài)電壓的拋負(fù)載保護(hù)電路，器件的工作電壓可低至4.5V，以適應(yīng)冷啟動(dòng)情況。另外，器件具有可編程的200kHz至2.2MHz寬開關(guān)頻率范圍，從而可以工作于AM頻段以外的頻率?？煽康谋Ｗo(hù)特性和較寬開關(guān)頻率范圍使MAX5098A/MAX5099成為高端設(shè)備、儀表盤顯示器和汽車廣播等汽車應(yīng)用的理想選擇。　　
關(guān)鍵字： Maxim DC-DC 轉(zhuǎn)換器 MOSFET

中國(guó)電動(dòng)自行車消費(fèi)需求減弱沖擊半導(dǎo)體市場(chǎng)

　　據(jù)iSuppli公司，預(yù)計(jì)2008年中國(guó)市場(chǎng)電動(dòng)自行車出貨量將低于2007年，與2005年大增80%以及過(guò)去10年94%的復(fù)合年增長(zhǎng)率形成鮮明對(duì)比。2008年中國(guó)電動(dòng)自行車產(chǎn)量將達(dá)到2110萬(wàn)輛，營(yíng)業(yè)收入為29億美元。比2007年2130萬(wàn)的出貨量下降不到1%。這意味著今年中國(guó)的多數(shù)電動(dòng)自行車廠商可能遭遇虧損。圖 2004-2012年中國(guó)電動(dòng)自行車產(chǎn)量與預(yù)測(cè) 來(lái)源：iSuppli，2008年6月　　中國(guó)電動(dòng)自行車廠商目前面臨更加不確定的消費(fèi)者以及更加嚴(yán)格的政府法規(guī)。經(jīng)過(guò)10年
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體電動(dòng)自行車 MOSFET 電池 200808

凌力爾特公司推出0V至18V理想二極管控制器 LTC4352

　　MOSFET 理想二極管控制器在低壓應(yīng)用中，為堅(jiān)固的電源“或”提供快速接通和關(guān)斷　　凌力爾特公司(Linear Technology Corporation)日前推出 0V 至 18V 理想二極管控制器 LTC4352，該器件使多個(gè)電源能夠進(jìn)行低損耗“或”連接而對(duì)電源電壓有最小干擾。LTC4352 調(diào)節(jié)外部 N 溝道 MOSFET 上的正向壓降，以確保在二極管“或”應(yīng)用中電源之間平滑傳送電流。在低壓系統(tǒng)中，控制器之間的慢切換導(dǎo)
關(guān)鍵字：凌力爾特 MOSFET 理想二極管控制器

提升輕負(fù)載和高頻率下DC/DC的轉(zhuǎn)換效率

為幫助提高DC/DC在更輕負(fù)載和更高頻率下的轉(zhuǎn)換效率，可以將肖特基二極管集成到MOSFET芯片中，構(gòu)成單個(gè)封裝，以降 ...
關(guān)鍵字： MOSFET 體二極管反向恢復(fù) DC 正向壓降死區(qū)時(shí)間電荷理論肖特基二極管轉(zhuǎn)換效率效率水平

中國(guó)功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)正經(jīng)歷風(fēng)雨轉(zhuǎn)折

　　受到市場(chǎng)需求減緩以及庫(kù)存調(diào)整等問(wèn)題的影響，2007年，中國(guó)功率器件市場(chǎng)增長(zhǎng)率較2006年出現(xiàn)較大幅度的下降，市場(chǎng)銷售額為762.3億元，比2006年增長(zhǎng)了13.3%。　　在中國(guó)功率器件市場(chǎng)中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場(chǎng)首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占到整體市場(chǎng)的80%
關(guān)鍵字：功率器件消費(fèi)電子電源管理IC MOSFET

卓芯微電子推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品

　　卓芯微電子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品RCRH010FA 和RCRH003FB。P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用高密度DMOS生產(chǎn)工藝，具有極低的導(dǎo)通電阻，并且在低至1.8V的柵極電壓下仍可正常開啟。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工藝，同時(shí)具有極佳的反向漏電特性。　　該兩款產(chǎn)品主要應(yīng)用在充電電路，DC/DC 轉(zhuǎn)換器和LED控制電路。整個(gè)器件在正向?qū)〞r(shí)具有很低的正向壓降，不僅滿足使用USB接口進(jìn)行充電的要求，同時(shí)具有極低的功率耗散，提升整個(gè)系統(tǒng)的能效。　　這兩款產(chǎn)
關(guān)鍵字： MOSFET 卓芯微電子充電電路電源管理

汽車電子功率MOSFET技術(shù)

過(guò)去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪?..
關(guān)鍵字： MOSFET 汽車電子系統(tǒng) 系統(tǒng)功率

Maxim推出高壓、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器

　　Maxim推出高壓、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器MAX15018/MAX15019，用于驅(qū)動(dòng)高邊和低邊n溝道MOSFET。器件具有高端(HS)引腳，允許高達(dá)125V的輸入電壓，該指標(biāo)優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的105V電壓。MAX15018/MAX15019與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的HIP2100IB和HIP2101IB引腳兼容，理想用于必須承受100V或更高瞬態(tài)電壓的電信電源產(chǎn)品中，保證足夠的安全裕量。　　MAX15018/MAX15019提供3A源出/吸入峰值電流，傳輸延遲僅為35ns (典型值)，驅(qū)動(dòng)器之間能夠保證2ns (
關(guān)鍵字： Maxim MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 TTL

ST推出250A功率MOSFET 提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)能效

　　意法半導(dǎo)體日前推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最低的導(dǎo)通電阻，可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。　　新產(chǎn)品STV250N55F3是市場(chǎng)上首款整合ST PowerSO-10™ 封裝和引線帶楔焊鍵合技術(shù)的功率MOSFET，無(wú)裸晶片封裝的電阻率極低。新產(chǎn)品采用ST的高密度STripFET III™ 制程，典型導(dǎo)通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優(yōu)點(diǎn)包括：開關(guān)損耗低，抗雪崩性能強(qiáng)。除提高散熱效率外，九線源極連接配置還有助于
關(guān)鍵字： MOSFET ST 意法半導(dǎo)體晶體管

性能差異化功率器件制造面臨多重挑戰(zhàn)

　　不同應(yīng)用對(duì)功率半導(dǎo)體器件提出了新的需求，包括低功耗、高可靠性、高速度、小尺寸等，這些新的需求又對(duì)功率半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)工藝提出了種種新的挑戰(zhàn)。　　天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司技術(shù)部部長(zhǎng)饒祖剛表示，性能不同的功率半導(dǎo)體器件滿足了差異化應(yīng)用的需求，而這些不同功率半導(dǎo)體器件對(duì)制造工藝提出了多重挑戰(zhàn)。　　功率器件要滿足差異化應(yīng)用需求　　功率半導(dǎo)體器件工作在大功率條件下，除了要具備低功耗的特點(diǎn)外，不同的應(yīng)用還提出了一些新需求。例如，在電動(dòng)車、混合動(dòng)力汽車這樣的應(yīng)用中，功率半導(dǎo)體器件需要
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體器件低功耗 MOSFET

凌力爾特推出100V高端/低端N溝道高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4446，用來(lái)驅(qū)動(dòng)雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器與功率 MOSFET 和一個(gè)凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個(gè)完整的高效率雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器，或者可以配置為快速動(dòng)作的高壓 DC 開關(guān)。　　這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器以 1.2Ω 下拉阻抗驅(qū)動(dòng)高端 MOSFET 時(shí)可以提供高達(dá) 2.5A 的電流
關(guān)鍵字：凌力爾特 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)換器

凌力爾特推出高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器LTC4447

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4447，該器件用來(lái)在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器加上功率 MOSFET 和一個(gè)凌力爾特公司的 DC/DC 控制器，就可組成一個(gè)完整的高效率同步穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。　　LTC4447 在一個(gè) 4V 至 6.5V 的電壓范圍內(nèi)對(duì)上端和下端 MOSFET 柵極進(jìn)行軌至軌驅(qū)動(dòng)，并可從一個(gè)高達(dá) 38V 的電
關(guān)鍵字：凌力爾特 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)換器

Vishay推出新型20V P 通道TrenchFET? 功率 MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB，該器件采用 MICRO FOOT® 芯片級(jí)封裝，具有業(yè)界最小占位面積以及 1.2 V 時(shí)業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻。　　隨著便攜式電子設(shè)備的體積越來(lái)越小以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會(huì)極大減少。為實(shí)現(xiàn)消費(fèi)者對(duì)用電池做電源的電子設(shè)備的更長(zhǎng)運(yùn)行時(shí)間的期望，
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET 芯片手機(jī) PDA 數(shù)碼相機(jī) MP3 智能電話

凌力爾特推出100V高端/低端N溝道高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4446，用來(lái)驅(qū)動(dòng)雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器與功率 MOSFET 和一個(gè)凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個(gè)完整的高效率雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器，或者可以配置為快速動(dòng)作的高壓 DC 開關(guān)。　　這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器以 1.2Ω 下拉阻抗驅(qū)動(dòng)高端 MOSFET 時(shí)可以提供高達(dá) 2.5A 的電流
關(guān)鍵字：凌力爾特 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)換器

Linear推出100V高端/低端N溝道高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4446，用來(lái)驅(qū)動(dòng)雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器與功率 MOSFET 和一個(gè)凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個(gè)完整的高效率雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器，或者可以配置為快速動(dòng)作的高壓 DC 開關(guān)。　　這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器以 1.2Ω 下拉阻抗驅(qū)動(dòng)高端 MOSFET 時(shí)可以提供高達(dá) 2.5A 的電流
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