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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

凌力爾特推出60V高壓側(cè)電流檢測 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 60V、高壓側(cè)電流檢測 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LT3755，該器件為驅(qū)動大電流 LED而設計。4.5V 至 40V 的輸入電壓范圍使其適用于多種應用，如汽車、工業(yè)和建筑照明。LT3755 使用外部 N 溝道 MOSFET，可以用標稱 12V 的輸入驅(qū)動多達 14 個 1A 的白光 LED，提供超過 50W 的功率。該器件具高壓側(cè)電流檢測，能夠用在升壓、降壓、降壓-升壓或 SEPIC 和反激式拓撲中。LT3755 在升壓模
  • 關鍵字： 凌力爾特  轉(zhuǎn)換器  高壓側(cè)電流檢測  LED  MOSFET  

Maxim推出內(nèi)置MOSFET開關的8串白光LED (WLED)驅(qū)動器

  • 　　Maxim推出內(nèi)置MOSFET開關的8串白光LED (WLED)驅(qū)動器MAX17061。器件采用內(nèi)部開關型電流模式升壓控制器驅(qū)動LED陣列，最多可驅(qū)動8串并聯(lián)的LED (每串可連接10個LED)。為保證均勻的LED亮度，每串LED采用一個電流源驅(qū)動，各串之間的電流均衡精度可達±1.5%。另外，MAX17061還提供一路DPWM信號，用于精確控制WLED亮度。該DPWM信號可通過PWM接口、SMBus™兼容接口、或這兩者同時進行控制。DPWM信號的頻率由外部電阻設置，進一步增加
  • 關鍵字： Maxim  MOSFET  WLED  驅(qū)動器  

汽車電子功率MOSFET

  • 　　過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術話題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象。且封裝很簡單，主要采用TO220 和 TO247封裝。電動車窗、燃油噴射、間歇式雨刷和巡航控制等應用已逐漸成為大多數(shù)汽車的標配，在設計中需要類似的功率器件。在這期間，隨著電機、螺線管和燃油噴射器日益普及，車用功率MOSFET也不斷發(fā)展壯大。 　　今天的汽車電子系統(tǒng)已開創(chuàng)了功率器件的新時代。本文將介紹和討論幾種推動汽車
  • 關鍵字： 汽車電子  MOSFET  溝道型  功率  解決方案  

使用功率MOSFET封裝技術解決計算應用的高功耗問題

  • 　　對于主板設計師來說，要設計處理器電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)來滿足計算機處理器永無止境的功率需求實在是個大挑戰(zhàn)。Pentium 4處理器要求VRM提供的電流提高了約3倍。英特爾將其VRM指標從8.4版本升級到9.0版本，涵蓋了新的功率要求，以繼續(xù)追隨摩爾(Moore)定律。 　　在過去的10年間，VRM電流要求一直在增加，正如英特爾所公布的，IccMAX從VRM9.0中的60A發(fā)展成驅(qū)動高端4核處理器的VRM11.0所要求的150A。與此同時，電流切換速率要求也有相當大的提高；芯片插座處的dI／dT從45
  • 關鍵字： MOSFET  VRM  英特爾  低功耗  芯片  PWB  

瑞薩科技發(fā)布RQA0010和RQA0014高頻功率MOSFET器件

  • 　　2008年5月26日,瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，推出和高頻功MOSFET，以實現(xiàn)業(yè)界最高功效級別*1 和IEC61000-4-2的4級ESD標準*2 的高可靠性。這些器件適用于手持式無線設備發(fā)射器的功率放大器。 　　這兩種產(chǎn)品可以放大轉(zhuǎn)換為高頻的音頻信號，以發(fā)射規(guī)定的輸出功率，并將該功率傳送給天線。1 W輸出的RQA0010的將從2008年8月開始在日本提供樣品，0.25 W輸出的RQA0014樣品將于9月開始提供。 　　這兩種產(chǎn)品具有以下特點。
  • 關鍵字： 瑞薩科技  MOSFET  無線設備  發(fā)射器  功率放大器  

高效能電源需求催生MOSFET變革創(chuàng)新 英飛凌專家詳解提升能效秘笈

  • 　　環(huán)境污染、溫室效應、不可再生能源日趨枯竭……這些日益威脅人類生存的難題已經(jīng)使全球有識之士認識到節(jié)能減排提高能效是未來科學技術活動一項長期的任務。正如英飛凌科技奧地利有限公司全球開關電源高級市場經(jīng)理Thomas Schmidt所言：“能效不僅是個時髦詞匯，更是一個全球挑戰(zhàn)！”如何應對這項挑戰(zhàn)？各個半導體紛紛從半導體器件入手，幫助系統(tǒng)公司提升電源效率，這方面，英飛凌近年來動作頻頻，近日，英飛凌公司高調(diào)發(fā)布其最新的OptiMOS 3系列低壓MOSFET，并
  • 關鍵字： 英飛凌  半導體  OptiMOS  MOSFET  導通電阻  CanPAK封裝  DirectFET封裝  電源管理  

IR推出全新30V DirectFET MOSFET系列

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) ，推出專為筆記本電腦、服務器CPU電源、圖形，以及記憶體穩(wěn)壓器應用的同步降壓轉(zhuǎn)換器設計而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。 　　新器件系列結(jié)合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術與先進的DirectFET封裝技術，比標準SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設計。新一代30V器件的導通電阻 (
  • 關鍵字： IR  同步降壓  轉(zhuǎn)換器  MOSFET  

Zetex推出新型整流器控制器

  • 　　Zetex?Semiconductors（捷特科）推出一款驅(qū)動MOSFET的專用整流器控制器，從而使?50?至?150W?的同步反激式轉(zhuǎn)換器成為完美的二極管。ZXGD3101?可使設計人員以表面貼裝?MOSFET?取代有損耗的肖特基二極管，以實現(xiàn)更高的效率、更少的發(fā)熱量，縮小電源尺寸和重量，同時簡化整體電路設計。 　　ZXGD3101?有“零點檢測器驅(qū)動器”之稱，能準確檢測達到零點
  • 關鍵字： Zetex  捷特科  MOSFET  整流器  控制器  

IR全新30V DirectFET MOSFET系列為同步降壓轉(zhuǎn)換器設計

  • ??????? 2008年5月27日，國際整流器公司 (International Rectifier) 推出專為筆記本電腦、服務器CPU電源、圖形，以及記憶體穩(wěn)壓器應用的同步降壓轉(zhuǎn)換器設計而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。 　　新器件系列結(jié)合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術與先進的DirectFET封裝技術，比標準SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設計。新一代30V器
  • 關鍵字： 國際整流器  同步降壓轉(zhuǎn)換器  MOSFET  

運用MOSFET實現(xiàn)完美安全系統(tǒng)

  • 　　車上所使用的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到起動馬達，許多組件的多元應用，不僅提供了各式各樣的高負載性、低成本效益的解決方案，另外也必須兼具注重安全性汽車所要求的通訊及診斷能力。因此，為了增加車上電子系統(tǒng)的可靠性及耐久性，除了降低維修成本之外，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，才能避免組件發(fā)生故障，降低電子系統(tǒng)所造成損害。 　　另外，在一般汽車行駛的情況下，一旦出現(xiàn)了車上的組件出現(xiàn)故障狀況，將導致汽車上的電路系統(tǒng)發(fā)生短路，或電源無法供電。在遠程傳感器中采用車用金屬氧化半導體場效晶體管（Metal
  • 關鍵字： MOSFET  安全系統(tǒng)  

MOSFET開關軌跡線的示波器重現(xiàn)方法

  • MOSFET的開關軌跡線是判斷MOSFET開關過程“軟硬”程度的重要評估指標，MOSFET的軟硬程度對于開關電源的性...
  • 關鍵字： MOSFET  損耗  開關  動態(tài)  截至  飽和  

Intersill推出新型大電流MOSFET柵極驅(qū)動器

  • 　　Intersil公司宣布推出高頻 6A 吸入電流同步（sink synchronous） MOSFET 柵極驅(qū)動器 ISL6615 和 ISL6615A 。這些新器件有助于為系統(tǒng)安全提供更高的效率、靈活性和更多的保護功能。 　　Intersil 公司此次推出的新型驅(qū)動器增加了柵極驅(qū)動電流（ UGATE 的流出和吸入柵極驅(qū)動電流為 4A ，LGATE 的吸入和流出電流則分別為 6A 和 4A ），可以縮短柵極電壓上升、下降時間。這將最大限度地降低開關損耗并改善效率，尤其是在每相并聯(lián)功率MOSFET 的
  • 關鍵字： Intersil  MOSFET  驅(qū)動器  柵極驅(qū)動電流  

大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設計

  • 　　大功率線性射頻放大器模塊廣泛應用于電子對抗、雷達、探測等重要的通訊系統(tǒng)中，其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項非常關鍵的技術。隨著現(xiàn)代無線通訊技術的發(fā)展，寬頻帶大功率技術、寬頻帶跳頻、擴頻技術對固態(tài)線性功率放大器設計提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設備模塊化。 　　通常情況下，在HF~VHF頻段設計的寬帶射頻功放，采用場效應管(FET)設計要比使用常規(guī)功率晶體管設計方便簡單，正是基于場效應管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏差，易
  • 關鍵字： 放大器  寬帶射頻  MOSFET  

探討基于SiC集成技術的生物電信號采集方案

  • 　　人體信息監(jiān)控是一個新興的領域，人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個不小的挑戰(zhàn)。本文介紹采用IMEC的SiC技術，它的開發(fā)重點是進一步縮小集成后的EEG系統(tǒng)體積以及將低功耗處理技術、無線通信技術和能量提取技術整合起來，在已有系統(tǒng)上增加一個帶太陽能電池和能量存儲電路的額外堆疊層，這樣就能構(gòu)成一套完全獨立的生物電信號采集方案。 　　
  • 關鍵字： SiC  EEG  生物電信號采集  IMEC  

Zetex推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動器系列

  • 　　Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動器系列，用于開關電源和電機驅(qū)動器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅(qū)動器IC更快，有助于加快開關時間，提高電路效率。 　　該系列包含4款高速非反向柵極驅(qū)動器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開關射極跟隨器配置，實現(xiàn)了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時間，有效改善了對MOSFET開關性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
  • 關鍵字： Zetex  ZXGD3000  MOSFET  IGBT  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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