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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
選擇正確的MOSFET:工程師所需要知道的
- 隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步,系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐,才能為其設(shè)計(jì)挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件,工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。本文將討論如何根據(jù)RDS(ON)、熱性能、雪崩擊穿電壓及開(kāi)關(guān)性能指標(biāo)來(lái)選擇正確的MOSFET。 MOSFET的選擇 MOSFET有兩大類(lèi)型:N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)
- 關(guān)鍵字: MOSFET 元件 制造
凌力爾特推出電源電壓 (100V) 同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4444
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高輸入電源電壓 (100V) 同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4444,該器件用于在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端功率的 N 溝道 MOSFET。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器可與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司的很多 DC/DC 控制器一起組成完整的高效率同步轉(zhuǎn)換器。 這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器可采用 1.2Ω 的下
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 凌力爾特 MOSFET LTC4444 模擬IC
凌力爾特推出高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器 LTC4442/-1
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4442/-1,該器件用來(lái)在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這種驅(qū)動(dòng)器與凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器組合使用時(shí),可組成完整的高效率同步穩(wěn)壓器,該穩(wěn)壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。 這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器可以吸收高達(dá)
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 凌力爾特 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 模擬IC
車(chē)載SiC功率半導(dǎo)體前景光明 逆變器大幅實(shí)現(xiàn)小型化及低成本化
- 豐田汽車(chē)在“ICSCRM 2007”展會(huì)第一天的主題演講中,談到了對(duì)應(yīng)用于車(chē)載的SiC功率半導(dǎo)體的期待。為了在“本世紀(jì)10年代”將其嵌入到混合動(dòng)力車(chē)等所采用的馬達(dá)控制用逆變器中,“希望業(yè)界廣泛提供合作”。如果能嵌入SiC半導(dǎo)體,將有助于逆變器大幅實(shí)現(xiàn)小型化及低成本化。 在汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用是許多SiC半導(dǎo)體廠商瞄準(zhǔn)的目標(biāo),但多數(shù)看法認(rèn)為,就元器件的成本、性能及可靠性而言,比起在產(chǎn)業(yè)設(shè)備以及民用設(shè)備上配備,在汽車(chē)上配備的障礙更大。該公司雖然沒(méi)有透露計(jì)劃采用SiC半導(dǎo)體的日期,但表示“到本世紀(jì)10年代前
- 關(guān)鍵字: 汽車(chē)電子 豐田 SiC 半導(dǎo)體 汽車(chē)電子
可測(cè)試低電流電源的簡(jiǎn)單雙恒流載荷
- 當(dāng)今的小型家電,如洗碗機(jī)、烘干機(jī)、電爐等用開(kāi)關(guān)電源代替了體積笨重的線性電源。工程師對(duì)這些電流從50mA~1A的電源進(jìn)行了測(cè)試,一般使用電阻或標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)成的電負(fù)載。工程師會(huì)使用各種大功率電阻來(lái)檢驗(yàn)多種負(fù)載條件以滿足合適的設(shè)計(jì)。多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)的電負(fù)載都是針對(duì)平均300W功率的。在測(cè)量50mA ~ 300mA電流時(shí),顯示結(jié)果并不準(zhǔn)確,多數(shù)顯示為0.1A,那樣低的電流不能保證精度。還可以使用圖1中的簡(jiǎn)單雙恒流負(fù)載設(shè)計(jì),這種設(shè)計(jì)可以利用廉價(jià)的通用元件來(lái)構(gòu)建電路。 負(fù)載電流流過(guò)MOSFET和一個(gè) 1Ω
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 雙恒流載荷 MOSFET 運(yùn)算放大器 放大器
飛兆半導(dǎo)體再獲殊榮贏得十大DC-DC 2007產(chǎn)品大獎(jiǎng)
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 再次榮獲《今日電子》雜志的十大 DC-DC 2007產(chǎn)品大獎(jiǎng),獲評(píng)審小組肯定而勝出的產(chǎn)品是飛兆半導(dǎo)體全面優(yōu)化的集成式12V驅(qū)動(dòng)器加MOSFET功率級(jí)解決方案FDMF8700。飛兆半導(dǎo)體的30V同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組FDS6298和FDS6299S則于2006年獲得相同獎(jiǎng)項(xiàng)。 FDMF8700將驅(qū)動(dòng)器IC和兩個(gè)功率MOSFET集成在一個(gè)節(jié)省空間的8mm x 8mm的56腳M
- 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子 飛兆半導(dǎo)體 FDMF8700 MOSFET 消費(fèi)電子
飛兆發(fā)布高效N溝道MOSFET FDS881XNZ系列
- 飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N溝道MOSFET系列,提供高達(dá)8kV的ESD(HBM)電壓保護(hù),較市場(chǎng)現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護(hù)應(yīng)用(如筆記本電腦和手機(jī))的最新架構(gòu)。利用飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench工藝,這些低導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能夠降低傳導(dǎo)損耗并且延長(zhǎng)寶貴的電池壽命。它們還提供堅(jiān)固穩(wěn)健的抗雪崩和抗峰值電流能力,確保電池組在意外的電壓尖峰沖擊下
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 飛兆 MOSFET FDS881XNZ 嵌入式
飛兆半導(dǎo)體的N溝道MOSFET系列產(chǎn)品提供更高的ESD性能
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N溝道MOSFET系列,提供高達(dá)8kV 的ESD (HBM) 電壓保護(hù),較市場(chǎng)現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護(hù)應(yīng)用 (如筆記本電腦和手機(jī)) 的最新架構(gòu)。利用飛兆半導(dǎo)體的Power Trench®工藝,這些低導(dǎo)通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON)&
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 飛兆半導(dǎo)體 MOSFET ESD 模擬IC 電源
電源技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展
- 1 引言 人類(lèi)的經(jīng)濟(jì)活動(dòng)已經(jīng)到了工業(yè)經(jīng)濟(jì)時(shí)代,并正在轉(zhuǎn)入高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的時(shí)期。電源是位于市電(單相或三相)與負(fù)載之間,向負(fù)載提供優(yōu)質(zhì)電能的供電設(shè)備,是工業(yè)的基礎(chǔ)。 電源技術(shù)是一種應(yīng)用功率半導(dǎo)體器件,綜合電力變換技術(shù)、現(xiàn)代電子技術(shù)、自動(dòng)控制技術(shù)的多學(xué)科的邊緣交叉技術(shù)。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,電源技術(shù)又與現(xiàn)代控制理論、材料科學(xué)、電機(jī)工程、微電子技術(shù)等許多領(lǐng)域密切相關(guān)。目前電源技術(shù)已逐步發(fā)展成為一門(mén)多學(xué)科互相滲透的綜合性技術(shù)學(xué)科。他對(duì)現(xiàn)代通訊、電子儀器、計(jì)算機(jī)、工業(yè)自動(dòng)化、電力工程、國(guó)防及某些
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 創(chuàng)新 高頻 MOSFET 模擬IC 電源
NEC電子推出8款汽車(chē)用功率MOSFET產(chǎn)品
- NEC電子近日完成了8款用于汽車(chē)的P溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)小型封裝產(chǎn)品的開(kāi)發(fā),并將于即日起開(kāi)始發(fā)售樣品。 此次推出的新產(chǎn)品主要用于繼電器、電機(jī)等通過(guò)電流為數(shù)十安培的控制單元,其中NP50P04等4款產(chǎn)品為40V耐壓、導(dǎo)通阻抗為業(yè)界最低的產(chǎn)品;另外4款產(chǎn)品與現(xiàn)有的60V耐壓品相比,導(dǎo)通阻抗最大可減至一半。 對(duì)于汽車(chē)廠商及器件廠商等用戶而言,使用低導(dǎo)通阻抗產(chǎn)品可以減少電流流經(jīng)時(shí)產(chǎn)生的熱量,從而減輕電路設(shè)計(jì)時(shí)的負(fù)擔(dān)。 新產(chǎn)品的樣品價(jià)格因耐壓及導(dǎo)通阻抗的不同而有
- 關(guān)鍵字: NEC電子 MOSFET 汽車(chē)電子
京大等三家開(kāi)發(fā)成功SiC外延膜量產(chǎn)技術(shù)
- 京都大學(xué)、東京電子、羅姆等宣布,使用“量產(chǎn)型SiC(碳化硅)外延膜生長(zhǎng)試制裝置”,確立對(duì)SiC晶圓進(jìn)行大批量統(tǒng)一處理的技術(shù)已經(jīng)有了眉目。由此具備耐高溫、耐高壓、低損耗、大電流及高導(dǎo)熱系數(shù)等特征的功率半導(dǎo)體朝著實(shí)用化邁出了一大步。目前,三家已經(jīng)開(kāi)始使用該裝置進(jìn)行功率半導(dǎo)體的試制,面向混合動(dòng)力車(chē)的馬達(dá)控制用半導(dǎo)體等環(huán)境惡劣但需要高可靠度的用途,“各廠商供應(yīng)工程樣品,并獲得了好評(píng)”。 此次開(kāi)發(fā)的是SiC外延生長(zhǎng)薄膜的量產(chǎn)技術(shù)。
- 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子 京大 SiC 外延膜 消費(fèi)電子
高功率便攜式DC-DC中MOSFET功耗的計(jì)算
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: MaximIntegratedProducts MOSFET DC/DC
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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