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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術社區(qū)

羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應用于吉利集團電動汽車品牌“極氪”3種主力車型

  • 8月29日上午，備受矚目的2024年武漢鐵人三項亞洲杯賽、2024年武漢全國鐵人三項冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國·武漢鐵人三項公開賽新聞發(fā)布會成功召開。發(fā)布會上，賽事組委會發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競賽距離、競賽日程、公開賽標志、賽事獎牌等相關內(nèi)容。武漢市體育局黨組成員、副局長洪旭艷，江夏區(qū)人民政府黨組成員、副區(qū)長梁爽出席此次發(fā)布會；武漢市社會體育指導中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息；江夏區(qū)文化和旅游局（體育局）局長繆璐進行江夏區(qū)文旅推介，向社會各界發(fā)出“跟著賽事游江夏”的邀
  • 關鍵字： 羅姆  SiC MOSFET  極氪  

PCIM2024論文摘要｜離網(wǎng)場景下SiC MOSFETs應用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢

  • 梗概隨著全球低碳化的進程，可再生能源發(fā)電占比及滲透率越來越高，此種背景下，儲能系統(tǒng)的引入有效抑制了新能源發(fā)電的波動性，PCS作為儲能系統(tǒng)的核心裝置應用廣泛。在工商業(yè)應用里，存在單相負載與三相不平衡負載，為了滿足單相供電需求以及對三相不平衡電壓的抑制，三相四線變流器拓撲是非常必要的，常見的拓撲形式有以下幾種：a)三橋臂分裂電容式拓撲b) 平衡橋臂拓撲圖一分裂電容式拓撲，由于N線電流流過母線電容，電容容量需求增大，且直流電壓利用率較低，諧波畸變較大，抑制三相不平衡能力相對有限，平衡橋臂式拓撲通過硬件電路增強中
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  

碳化硅，跨入高速軌道

  • 正如業(yè)界預期的那樣，目前碳化硅正邁入高速增長階段。觀察市場情況，碳化硅產(chǎn)業(yè)熱鬧不斷：英飛凌、意法半導體、天岳先進、三安光電、羅姆等大廠加速擴充碳化硅產(chǎn)能；英國Alan Anderson公司和印度大陸器件公司CDIL簽署合作協(xié)議，安森美與Entegris已開展合作，PVA TePle已與Scientific Visual建立合作伙伴關系；印度首家半導體芯片制造商Polymatech Electronics收購美國碳化硅相關公司Nisene；長飛先進與懷柔實驗室簽署碳化硅功率器件成果合作轉化意向協(xié)
  • 關鍵字： 碳化硅  

8英寸碳化硅，如火如荼

  • 近日消息，全球最大8英寸碳化硅晶圓廠啟動。功率半導體大廠英飛凌于8月8日宣布，已正式啟動位于馬來西亞新晶圓廠的第一階段，該晶圓廠將成為全球最大、最具競爭力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半導體晶圓廠，預計2025年開始量產(chǎn)。碳化硅尺寸越大，單位芯片成本越低，故6英寸向8英寸轉型升級是技術發(fā)展的必然趨勢。業(yè)界人士稱，預計從2026年至2027年開始，現(xiàn)在的6英寸碳化硅產(chǎn)品都將被8英寸產(chǎn)品替代。當前來看，第三代半導體碳化硅加速邁進8英寸時代，并引得“天下群雄”踴躍進軍。據(jù)全球半導體觀察不完全統(tǒng)計，英
  • 關鍵字： 碳化硅  

印度芯片制造商宣布收購碳化硅相關廠商

  • 據(jù)外媒報道，8月5日，印度首家半導體芯片制造商Polymatech Electronics宣布已正式收購美國公司Nisene Technology Group Inc。此次收購由Polymatech位于新加坡的全資子公司Artificial Electronics Intelligent Materials Pte Ltd.執(zhí)行。Nisene即將上任的首席執(zhí)行官Ryan Young表示，此次收購補充了Polymatech的尖端產(chǎn)品組合，并推動了新產(chǎn)品的開發(fā)。資料顯示，Nisene自20世紀70
  • 關鍵字： 印度  碳化硅  

英飛凌于馬來西亞啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導體晶圓廠

  • ●? ?馬來西亞總理、吉打州州務大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠一期項目的生產(chǎn)運營啟動儀式?！? ?新晶圓廠將進一步鞏固和增強英飛凌在全球功率半導體市場的領導地位?！? ?強有力的客戶支持與承諾以及重要的設計訂單為持續(xù)擴建提供了支撐?！? ?居林晶圓廠100%使用綠電并在運營實踐中采取先進的節(jié)能和可持續(xù)舉措。馬來西亞總理拿督斯里安瓦爾·易卜拉欣、吉打州州務大臣拿督斯里莫哈末·沙努西與英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Han
  • 關鍵字： 英飛凌  碳化硅  晶圓廠  

英飛凌馬來西亞居林第三廠區(qū)啟用，未來將成世界最大碳化硅功率半導體晶圓廠

  • IT之家 8 月 8 日消息，英飛凌今日宣布，其位于馬來西亞的居林第三廠區(qū)（Kulim 3）一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅（SiC）功率半導體的生產(chǎn)，也將關注氮化鎵（GaN）外圍晶圓?！?英飛凌居林第三廠區(qū)英飛凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建設計劃，投資額達 20 億美元（IT之家備注：當前約 143.43 億元人民幣），可創(chuàng)造 900 個高價值工作崗位。英飛凌此后又在 2023 年 8 月宣布了價值 50 億美元（當前約 358.57 億元人民幣）的 Kulim 3 二期計劃
  • 關鍵字： 英飛凌  碳化硅  功率器件  

Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設計靈活性

  • Nexperia近日宣布，公司正在持續(xù)擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合，并推出了幾款采用行業(yè)標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進行了優(yōu)化，可在服務器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應用以及各種電信、電機控制和其他工業(yè)設備中提供高效率和低尖峰。設計人員可以從80 V和100 V器件中進行選擇，RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。許多MOSFET
  • 關鍵字： Nexperia  NextPower  MOSFET  

ROHM開發(fā)出安裝可靠性高的車載Nch MOSFET，非常適用于汽車車門、座椅等所用的各種電機以及LED前照燈等應用！

  • ~符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101，有助于車載應用的高效運行和小型化~全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出具有低導通電阻*1優(yōu)勢的車載Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新產(chǎn)品非常適用于汽車門鎖和座椅調節(jié)裝置等所用的各種電機以及LED前照燈等應用。目前，3種封裝10種型號的新產(chǎn)品已經(jīng)開始銷售，未來會繼續(xù)擴大產(chǎn)品陣容。在汽車領域，隨著安全性和便捷性的提高，電子產(chǎn)品逐漸增加，使得所安裝的電子元器件數(shù)量也
  • 關鍵字： ROHM  Nch MOSFET  汽車車門  座椅  電機  LED前照燈  

很基礎的MOS管知識

  • 半導體三極管中參與導電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導電，所以也稱為單極型三極管，因為這種管子是利用電場效應控制電流的，所以也叫場效應三極管（FET），簡稱場效應管。場效應管可以分成兩大類，一類是結型場效應管（JFET），另一類是絕緣柵場效應管（MOSFET）。在如果你在某寶里搜索“場效應管”你會發(fā)現(xiàn)，搜索出來的基本上是絕緣柵場效應管。即使搜索“結型場效應管”，出來的也只有幾種，你是不是懷疑結型場效應管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺，沒錯，JFE
  • 關鍵字： 三極管  MOSFET  JFET  

實現(xiàn)3.3KW高功率密度雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案

  • 隨著社會經(jīng)濟發(fā)展、能源結構變革，近幾年全球對家用儲能系統(tǒng)的需求量一直保持相當程度的增長。2023年，全球家用儲能系統(tǒng)市場銷售額達到了87.4億美元，預計2029年將達到498.6億美元，年復合增長率（CAGR）為33.68%（2023-2029）；便攜儲能市場經(jīng)過了一輪爆發(fā)式增長的狂歡后，現(xiàn)在也迎來了穩(wěn)定增長期，從未來看，預計在2027年便攜儲能市場將達到900億元；AI Server市場規(guī)模持續(xù)增長，帶來了數(shù)字化、智能化服務器所需的高功率服務器電源的需求，現(xiàn)在單機3KW的Power也成為了標配。對于
  • 關鍵字： Infineon  XMC1400  CoolSiC  Mosfet   高功率密度  雙向圖騰柱  PFC  數(shù)字電源  

碳化硅半導體--電動汽車和光伏逆變器的下一項關鍵技術

  • 毋庸置疑，從社會發(fā)展的角度，我們必須轉向采用可持續(xù)的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個不幸的事實是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術的轉變也帶來了一系列技術挑戰(zhàn)。無論是生產(chǎn)要跟上快速擴張的市場步伐，還是新解決方案努力達到現(xiàn)有系統(tǒng)產(chǎn)出水平，如果我們要讓化石燃料成為過去，這些難題都必須被克服。對于電動汽車（EV）和太陽能電池板等應用，工程師面臨著更多的挑戰(zhàn)，因為敏感的電子元件必須在惡劣的環(huán)境中持續(xù)可靠地運行。為了進一步推動這些可持續(xù)解決方案，
  • 關鍵字： 安森美  碳化硅  

還分不清結型場效應管與絕緣柵？看這一文就夠了，圖表展現(xiàn)

  • JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結上的電場引導，而在 MOSFET 中，導電性是由于嵌入在半導體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場。JFET 與 MOSFET的區(qū)別兩者之間的下一個關鍵區(qū)別是，JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小，因為后者嵌入了絕緣體，因此漏電流更少。JFET?通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具，具有低漏極電阻，而?MOSFET?通常被稱為“OFF 器件”，
  • 關鍵字： 結型場效應管  jfet  MOSFET  電路設計  

碳化硅廠商，忙得不亦樂乎

  • Warning: file_get_contents(): php_network_getaddresses: getaddrinfo failed: Name or service not known in /var/www/html/www.edw.com.cn/www/rootapp/controllerssitemanage/ManagecmsController.php on line 2060 Warning: file_get_contents(https://img.dramx.co
  • 關鍵字： 碳化硅  

貿(mào)澤開售適合能量轉換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

  • 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術，開啟了電力系統(tǒng)和能量轉換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量儲存系統(tǒng)、電動汽車充電、電源和電機驅動應用。貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-A
  • 關鍵字： 貿(mào)澤  英飛凌  CoolSiC G2  MOSFET  
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碳化硅 mosfet介紹

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