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碳化硅 mosfet 文章 最新資訊

內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽能系統(tǒng)采用

  • 全球先進(jìn)的太陽能發(fā)電及儲(chǔ)能系統(tǒng)技術(shù)的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG(以下簡稱“SMA”)在其太陽能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Central FLEX”中采用了內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽能發(fā)電設(shè)施、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設(shè)計(jì)的模塊化平臺(tái),旨在進(jìn)一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。羅姆半導(dǎo)體歐洲總裁Wolfram Harnack表示:“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實(shí)
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利用 SMFA 系列非對(duì)稱 TVS 二極管實(shí)現(xiàn)高效 SiC MOSFET 柵極保護(hù)

  • 引言碳化硅( SiC)MOSFET在電源和電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。隨著功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展,開關(guān)損耗也在不斷降低。隨著開關(guān)速度的不斷提高,設(shè)計(jì)人員應(yīng)更加關(guān)注MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路,確保對(duì)MOSFET的安全控制,防止寄生導(dǎo)通,避免損壞功率半導(dǎo)體。必須保護(hù)敏感的MOSFET柵極結(jié)構(gòu)免受過高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護(hù)解決方案,有助于最大限度地延長電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)措施關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的穩(wěn)健性,有幾個(gè)問題值得考慮。除了驅(qū)動(dòng)器安全切換半導(dǎo)
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電源管理小技巧:功率 MOSFET 特性

  • 以Vishay SiE848DF的數(shù)據(jù)手冊(cè)圖作為參考示例,這是一款采用 PolarPAK? 封裝的 N 溝道 30 V 溝槽功率 MOSFET。MOSFET 的封裝限制為 60A 和 25°C。阻斷電壓是多少?阻斷電壓 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大電壓。當(dāng)驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí),這包括施加的電壓加上任何感性感應(yīng)電壓。對(duì)于感性負(fù)載,MOSFET 兩端的電壓實(shí)際上可以是施加電壓的兩倍。MOSFET 的雪崩特性是什么?這決定了 MOSFET 在雪崩條件下可以承受多少能量。如果超過最大漏源電壓并且電流沖
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碳化硅何以英飛凌?—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相

  • 全社會(huì)都在積極推動(dòng)低碳化轉(zhuǎn)型,而低碳化的背后其實(shí)是電氣化。在 新型電氣能源架構(gòu) 中,相比于從前,一次能源到終端用戶的 能源轉(zhuǎn)換次數(shù)增多 。雖然可再生能源是免費(fèi)的,但是這種多層級(jí)的能源轉(zhuǎn)換,每一步都會(huì)帶來一定的能耗損失,因此 追求更高效的能源轉(zhuǎn)化效率至關(guān)重要 。SiC正是功率半導(dǎo)體的 能效提升技術(shù) ,它的出現(xiàn)滿足了低碳化時(shí)代兩大全新的市場需求:1能效創(chuàng)新: SiC技術(shù)在光伏、儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心等大功率電源管理領(lǐng)域,能夠顯著
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清純半導(dǎo)體和微碧半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品

  • 近日,清純半導(dǎo)體和VBsemi(微碧半導(dǎo)體)分別推出了其第三代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品平臺(tái),標(biāo)志著功率半導(dǎo)體技術(shù)在快充效率、高功率密度應(yīng)用等領(lǐng)域取得了重大突破。01清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)4月21日,清純半導(dǎo)體官微宣布,推出第3代碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)平臺(tái),該平臺(tái)首款主驅(qū)芯片(型號(hào):S3M008120BK)的常溫導(dǎo)通電阻低至8mΩ,比導(dǎo)通電阻系數(shù)Rsp達(dá)到2.1 mΩ·cm2,處于國際領(lǐng)先水平。source:清純半導(dǎo)體(圖為清純半導(dǎo)體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rs
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碳化硅急需開辟電動(dòng)汽車之外的第二條戰(zhàn)線

  • 電能與智能是現(xiàn)代社會(huì)發(fā)展的兩大主題,電能如同工業(yè)文明的血液系統(tǒng),提供物理世界運(yùn)行的能量基礎(chǔ),智能恰似數(shù)字文明的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),構(gòu)建數(shù)字空間的決策中樞。作為電能轉(zhuǎn)換的智能開關(guān),功率半導(dǎo)體在構(gòu)建現(xiàn)代社會(huì)能源體系中發(fā)揮著關(guān)鍵性的樞紐作用,通過對(duì)電壓、電流和頻率的精準(zhǔn)調(diào)控,功率半導(dǎo)體可以有效地提升電能轉(zhuǎn)換效率。經(jīng)過七十年的發(fā)展,功率半導(dǎo)體經(jīng)歷了兩次大的技術(shù)升級(jí),第一次是以硅基IGBT 和CoolMOS為代表的第二代功率器件替代以可控硅晶閘管和MOSFET為代表的第一代功率器件,由于同屬硅基材料體系,第二代功率器件兼具成
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SiC MOSFET如何提高AI數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效

  • 如今所有東西都存儲(chǔ)在云端,但云究竟在哪里?答案是數(shù)據(jù)中心。我們對(duì)圖片、視頻和其他內(nèi)容的無盡需求,正推動(dòng)著數(shù)據(jù)中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。國際能源署 (IEA) 指出,[1]人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心電力需求激增。預(yù)計(jì)在 2022 年到 2025 年的三年間,數(shù)據(jù)中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運(yùn)營成本,還給早已不堪重負(fù)的老舊電力基礎(chǔ)設(shè)施帶來了巨大的壓力,亟需大規(guī)模的投資升級(jí)。隨著數(shù)據(jù)中心耗電量急劇增加,行業(yè)更迫切地需要能夠高效轉(zhuǎn)換電力的功率半導(dǎo)體。這種需求的增長一方面是為了降低運(yùn)營成本
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碳化硅能效革命核心突破點(diǎn):共源共柵(cascode)結(jié)構(gòu)詳解

  • 安森美(onsemi)推出的碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管(SiC JFET cascode)在硬開關(guān)與軟開關(guān)應(yīng)用場景中展現(xiàn)出顯著技術(shù)優(yōu)勢。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應(yīng)用指南》系列文檔,通過三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性,本文作為開篇之作,將聚焦闡釋cascode結(jié)構(gòu)的核心機(jī)理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器件的拓?fù)浼軜?gòu),更對(duì)關(guān)鍵電參數(shù)、獨(dú)特性能優(yōu)勢及設(shè)計(jì)支持體系進(jìn)行全方位解讀,為功率半導(dǎo)體開發(fā)者提供從基礎(chǔ)理論到實(shí)踐應(yīng)用的完整技術(shù)指引。Cascode簡介碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)相比其
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碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的技術(shù)解析與優(yōu)勢對(duì)比

  • _____為了減緩氣候變化,人類在非化石燃料和可再生能源解決方案方面取得了顯著進(jìn)展,交通領(lǐng)域的電氣化進(jìn)程也在加速推進(jìn)。這些新興技術(shù)大多對(duì)電源提出了更高的要求,尤其是對(duì)大功率的需求。例如,電動(dòng)汽車(EV)的電池包電壓已高達(dá)900 VDC以上,容量可達(dá)95kWh;快充和超充系統(tǒng)功率更是輕松突破240kW。氫燃料電池堆作為另一種汽車供電技術(shù),其功率可超過500kW,電流高達(dá)1000A。市場需求下的挑戰(zhàn)一方面,我們需要擺脫化石燃料,另一方面,全球能耗又在不斷攀升。服務(wù)器農(nóng)場就是一個(gè)能源需求更高的例子。為了有足夠的
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英飛凌攜手Enphase通過600V CoolMOS? 8提升能效并降低MOSFET相關(guān)成本

  • Enphase Energy采用全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的?600 V CoolMOS? 8高壓超結(jié)(SJ)MOSFET產(chǎn)品系列,簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術(shù)公司、基于微型逆變器的太陽能和電池系統(tǒng)的領(lǐng)先供應(yīng)商。通過使用600 V CoolMOS? 8 SJ,Enphase顯著降低了其太陽能逆變器系統(tǒng)的?MOSFET?內(nèi)阻(RDS(on)),進(jìn)而減
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Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200V SiC MOSFET

  • Nexperia正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色,采用創(chuàng)新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊,尺寸僅為14 mm ×18.5 mm,巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢以及通孔技術(shù)的高效散熱能力,確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準(zhǔn)滿足了眾多高功率(工業(yè))應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ψ至⑹絊iC MOSFET不斷增長的需求,該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢,得以實(shí)現(xiàn)卓越的熱性
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第17講:SiC MOSFET的靜態(tài)特性

  • 商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V,而SiC擁有更高的擊穿場強(qiáng),在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度,從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻,使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態(tài)特性。由于MOSFET是單極性器件,沒有內(nèi)建電勢,所以在低電流區(qū)域,SiC MOSFET的通態(tài)壓降明顯低于Si IGBT的通態(tài)壓降;在接近額定電流時(shí),SiC MOSFET的通態(tài)壓降幾乎與Si IGBT相同。對(duì)于經(jīng)常以低于額定電流工作的應(yīng)用,使用SiC
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為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

  • 簡介電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(圖1),這使其在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。圖 1:硅器件(Si)與碳化硅(SiC)器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)?眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統(tǒng)硅技術(shù),基于雙極結(jié)型晶體
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為什么碳化硅Cascode JFET可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

  • 簡介電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(圖1),這使其在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。特性Si4H-SiCGaN禁帶能量(eV)1.123.263.50電子遷移率(cm2/Vs)14009001250空穴遷移率(cm2/Vs)600100200
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ROHM開發(fā)出適用于AI服務(wù)器等高性能服務(wù)器電源的MOSFET

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向企業(yè)級(jí)高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源,開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。新產(chǎn)品共3款機(jī)型,包括非常適用于企業(yè)級(jí)高性能服務(wù)器12V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)和熱插拔控制器(HSC)*4電路的“RS7E200BG”(30V),以及非常適用于AI服務(wù)器48V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)的“RS7N200BH(80V)”和“RS7N160BH(80V)”。隨著高級(jí)數(shù)據(jù)處理技術(shù)的進(jìn)步和數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速,
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碳化硅 mosfet介紹

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