碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

意法半導(dǎo)體碳化硅助力理想汽車(chē)加速進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)

2023年12月22日，中國(guó)北京-服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)，與設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造和銷(xiāo)售豪華智能電動(dòng)車(chē)的中國(guó)新能源汽車(chē)龍頭廠商理想汽車(chē)（紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項(xiàng)碳化硅（SiC）長(zhǎng)期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導(dǎo)體將為理想汽車(chē)提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車(chē)進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的戰(zhàn)略部署。隨著汽車(chē)行業(yè)電動(dòng)化和綠色低碳轉(zhuǎn)型的持續(xù)深入，高壓純電動(dòng)車(chē)因其能效更高、續(xù)航里程更遠(yuǎn)，已成為汽車(chē)制
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NMOS和PMOS詳解

一、簡(jiǎn)介MOS管，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semiconductor。意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱(chēng)之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
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通用智能SiC晶錠8寸剝離產(chǎn)線正式交付客戶

據(jù)通用智能官微消息，日前，通用智能裝備有限公司SiC晶錠8寸剝離產(chǎn)線正式交付客戶。目前，SiC晶錠主要通過(guò)砂漿線/金剛石線切割，效率低和損耗高。據(jù)悉，通用智能采用激光隱切技術(shù)完成SiC晶錠分割工藝過(guò)程，并成功實(shí)現(xiàn)8寸碳化硅晶錠剝離設(shè)備的量產(chǎn)。
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8英寸碳化硅襯底材料裝備開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項(xiàng)目順利通過(guò)中期驗(yàn)收

據(jù)科友半導(dǎo)體官微消息，12月10日，“8英寸碳化硅襯底材料裝備開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項(xiàng)目階段驗(yàn)收評(píng)審會(huì)召開(kāi)。會(huì)上，以黑龍江省科學(xué)院原院長(zhǎng)郭春景研究員為組長(zhǎng)的評(píng)審專(zhuān)家組認(rèn)為，科友半導(dǎo)體圓滿完成了計(jì)劃任務(wù)書(shū)2023年度階段任務(wù)，成功獲得了8英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)的新技術(shù)和新工藝，建立了碳化硅襯底生產(chǎn)的工藝流程，制定了相關(guān)工藝流程的作業(yè)指導(dǎo)書(shū)，一致同意項(xiàng)目通過(guò)階段驗(yàn)收評(píng)審。據(jù)了解，8英寸碳化硅襯底材料裝備開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項(xiàng)目是2021年哈爾濱市科技專(zhuān)項(xiàng)計(jì)劃項(xiàng)目，由哈爾濱科友半導(dǎo)體承擔(dān)，旨在推動(dòng)8英寸碳化硅裝備國(guó)
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碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用

三相逆變器的定義是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的轉(zhuǎn)換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構(gòu)為四個(gè)功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負(fù)載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個(gè)信號(hào)產(chǎn)生源，一個(gè)是固定幅值的三角波（調(diào)制波）發(fā)生器，一個(gè)為正弦波發(fā)生器，利用三角波對(duì)正弦波進(jìn)行調(diào)制，就會(huì)得到占空比按照正弦規(guī)律變化的方波脈沖列，調(diào)制比不同，一個(gè)正弦周期脈沖列數(shù)等于調(diào)制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言三相逆變是指轉(zhuǎn)換出的交流電壓為三相，
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ROHM開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

～產(chǎn)品陣容新增具有低噪聲、高速開(kāi)關(guān)和超短反向恢復(fù)時(shí)間特點(diǎn)的5款新產(chǎn)品～全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET*1“R6004END4?/ R6003KND4?/ R6006KND4?/ R6002JND4?/ R6003JND4”，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機(jī)等應(yīng)用。?近年來(lái)，隨著照明用的小型電源
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英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

數(shù)據(jù)中心和計(jì)算應(yīng)用對(duì)電源的需求日益增長(zhǎng)，需要提高電源的效率并設(shè)計(jì)緊湊的電源。英飛凌科技股份公司順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢(shì)，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率。該半導(dǎo)體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標(biāo)準(zhǔn)門(mén)級(jí)和門(mén)級(jí)居中引腳排列形式均提供底部冷卻型和雙面冷卻型以供選擇；此外，該產(chǎn)品組合還包含穩(wěn)定可靠的超小型的PQFN
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碳化硅電子熔絲演示器為設(shè)計(jì)人員提供電動(dòng)汽車(chē)電路保護(hù)解決方案

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意法半導(dǎo)體將斥資50億歐元在意大利新建SiC晶圓廠

12月1日消息，近日，據(jù)外媒報(bào)道，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）將于意大利西西里島Catane投資50億歐元，新建一座碳化硅、超級(jí)半導(dǎo)體晶圓廠。該晶圓廠將專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)碳化硅芯片，為電動(dòng)車(chē)關(guān)鍵技術(shù)并具強(qiáng)大成長(zhǎng)潛力。報(bào)道稱(chēng)，此舉是意法半導(dǎo)體繼與格芯在法國(guó)東南部Crolles的75億歐元晶圓廠計(jì)劃后為平衡集團(tuán)在意法兩國(guó)布屬所為。值得一提的是，今年6月，意法半導(dǎo)體宣布將與三安光電在中國(guó)重慶成立200mm碳化硅器件制造合資企業(yè)，預(yù)計(jì)2025年第四季度投產(chǎn)，預(yù)計(jì)到2030年碳化硅收入將超過(guò)50億美元。
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Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)

奈梅亨，2023年11月30日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動(dòng)
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英飛凌已開(kāi)始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓樣片

11月28日消息，據(jù)外媒報(bào)道，日前，英飛凌綠色工業(yè)動(dòng)力部門(mén)（GIP）總裁Peter Wawer在受訪時(shí)透露，英飛凌正在其位于Villach的工廠生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示，英飛凌目前使用6英寸晶圓，但已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓機(jī)械樣品，很快將它們轉(zhuǎn)化為電子樣品，并將在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用。在產(chǎn)能方面，英飛凌正在通過(guò)大幅擴(kuò)建其Kulim工廠（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產(chǎn)能，信息稱(chēng)，英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠SiC（碳化硅）功率工廠。值得一提的是該計(jì)劃
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Omdia：人工智能將在電動(dòng)汽車(chē)革命中超越下一代半導(dǎo)體

倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預(yù)測(cè)電動(dòng)汽車(chē) (EV) 革命將引發(fā)新型半導(dǎo)體激增，電力半導(dǎo)體行業(yè)的幾十年舊規(guī)范正面臨挑戰(zhàn)。人工智能熱潮是否會(huì)產(chǎn)生類(lèi)似的影響？功率分立器件、模塊和IC預(yù)測(cè)Omdia半導(dǎo)體元件高級(jí)分析師卡勒姆·米德?tīng)栴D表示：“長(zhǎng)期以來(lái)依賴(lài)硅技術(shù)的行業(yè)正受到新材料制造的設(shè)備的挑戰(zhàn)和推動(dòng)。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的開(kāi)發(fā)始于上個(gè)世紀(jì)，但它們的技術(shù)成熟度與可持續(xù)發(fā)展運(yùn)動(dòng)相匹配，新材料制造的設(shè)備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升。”2018 年，特斯拉首次
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Nexperia與三菱電機(jī)就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

Nexperia近日宣布與三菱電機(jī)公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機(jī)都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有助于客戶在汽車(chē)、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機(jī)等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽(yù)。日本備受贊譽(yù)的高速新干線列車(chē)采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
關(guān)鍵字： Nexperia 三菱電機(jī) SiC MOSFET

氮化鎵取代碳化硅，從PI開(kāi)始？

在功率器件選擇過(guò)程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來(lái)越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類(lèi)產(chǎn)品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan日前結(jié)合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，詳細(xì)解釋了三類(lèi)產(chǎn)品的優(yōu)劣，以及PI對(duì)于三種產(chǎn)品未來(lái)的判斷，同時(shí)還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)。在功率器件選擇過(guò)程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來(lái)越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
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了解 MOSFET 通態(tài)漏源電阻

分立 MOSFET 數(shù)據(jù)表中重要的規(guī)格之一是漏源通態(tài)電阻，縮寫(xiě)為 R DS (on)。這個(gè) R DS (on)想法看起來(lái)非常簡(jiǎn)單：當(dāng) FET 處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，源極和漏極之間的電阻非常高，以至于我們假設(shè)電流為零。當(dāng) FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過(guò)閾值電壓 (V TH ) 時(shí)，它處于“導(dǎo)通狀態(tài)”，漏極和源極通過(guò)電阻等于 R DS(on) 的溝道連接。然而，如果您熟悉 MOSFET 的實(shí)際電氣行為，您應(yīng)該很容易認(rèn)識(shí)到該模型與事實(shí)不符。首先，F(xiàn)ET 并不真正具有“導(dǎo)通狀態(tài)”。當(dāng)未處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)（我們?cè)诖?/li>
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