碳化硅 mosfet 文章最新資訊

功率MOSFET的工作原理

功率MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程原理(1)開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程實(shí)驗(yàn)電路(2)MOSFET 的電壓和電流波形：(3)開(kāi)關(guān)過(guò)程原理：開(kāi)通過(guò)程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài)，t0 時(shí)，MOSFET 被驅(qū)動(dòng)開(kāi)通;-- [t0-t1]區(qū)間，MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對(duì)Cgs充電而上升，在t1時(shí)刻，到達(dá)維持電壓Vth，MOSFET 開(kāi)始導(dǎo)電;-- [t1-t2]區(qū)間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區(qū)間內(nèi)因DS 電容的放電而放電，對(duì)GS 電容的充電
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第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動(dòng)方案

第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動(dòng)方案相比傳統(tǒng)的硅MOSFET，SiC MOSFET可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。新能源、電動(dòng)汽車、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)方案?jìng)涫荜P(guān)注。然而，SiC MOSFET的獨(dú)特器件特性，也意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)方案展開(kāi)了解，其中包括驅(qū)動(dòng)過(guò)電流、過(guò)電壓保護(hù)以及如何為SiC MOSFET選擇合
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來(lái)越受歡迎的D2PAK-7封裝

Nexperia近日宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴(kuò)展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿足市場(chǎng)對(duì)采用D2
關(guān)鍵字： Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7

用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優(yōu)勢(shì)在于其獨(dú)立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)序，同時(shí)將開(kāi)關(guān)損耗降至最低。內(nèi)部負(fù)電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)偏置，以實(shí)現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。該驅(qū)動(dòng)器
關(guān)鍵字： SiC MOSFET IGBT 低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

布局海外市場(chǎng)，兩家半導(dǎo)體企業(yè)開(kāi)展合作

根據(jù)合肥安賽思半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱：安賽思）官方消息，5月18日，安賽思與新加坡三福半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱：三福半導(dǎo)體）簽署戰(zhàn)略合作備忘錄儀式暨安徽大學(xué)與三福半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室揭牌儀式正式舉行。據(jù)介紹，安賽思是一家致力于研發(fā)新一代半導(dǎo)體功率器件智能驅(qū)動(dòng)技術(shù)及衍生產(chǎn)品的高新技術(shù)企業(yè)，目前已成功開(kāi)發(fā)了IGBT和SiC智能驅(qū)動(dòng)模塊以及工業(yè)電力電子變換器、電力電子繼電器等產(chǎn)品，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋電動(dòng)汽車、智能制造、機(jī)電設(shè)備和航空航天等。三福半導(dǎo)體聚焦集成電路設(shè)計(jì)、制造和封裝測(cè)試，致力于先進(jìn)技術(shù)研發(fā)、成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化
關(guān)鍵字：碳化硅化合物半導(dǎo)體

這家GaN外延工廠開(kāi)業(yè)!

作為第三代半導(dǎo)體兩大代表材料，SiC產(chǎn)業(yè)正在火熱發(fā)展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產(chǎn)業(yè)熱度也正在持續(xù)上漲中，圍繞新品新技術(shù)、融資并購(gòu)合作、項(xiàng)目建設(shè)等動(dòng)作，不時(shí)有新動(dòng)態(tài)披露。在關(guān)注度較高的擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目方面，上個(gè)月，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目在張家港經(jīng)開(kāi)區(qū)再制造基地正式開(kāi)工建設(shè)。據(jù)悉，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目總投資6000萬(wàn)元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產(chǎn)線。項(xiàng)目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。而在近日，又有一個(gè)GaN外延片項(xiàng)目取得新進(jìn)展。5
關(guān)鍵字：碳化硅氮化鎵化合物半導(dǎo)體

欠電壓閉鎖的一種解釋

了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護(hù)半導(dǎo)體器件和電子系統(tǒng)免受潛在危險(xiǎn)操作的影響。當(dāng)提到電源或電壓驅(qū)動(dòng)要求時(shí)，我們經(jīng)常使用簡(jiǎn)化，如“這是一個(gè)3.3 V的微控制器”或“這個(gè)FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒(méi)有考慮到電子設(shè)備在一定電壓范圍內(nèi)工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導(dǎo)電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導(dǎo)性。當(dāng)VDD軌降至2.95V時(shí)，接受3.0至3.6 V電源電壓的數(shù)字
關(guān)鍵字：欠電壓閉鎖，UVLO MOSFET，IC

安森美2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅和功率解決方案系列研討會(huì)即將啟動(dòng)

智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi)，將于5月至6月舉辦面向新能源和電動(dòng)汽車應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)經(jīng)理、工程師和渠道合作伙伴的2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅(SiC) 和功率解決方案5城巡回研討會(huì)。該系列研討會(huì)將針對(duì)汽車電氣化和智能化以及工業(yè)市場(chǎng)可持續(xù)性能源發(fā)展的廣泛應(yīng)用場(chǎng)景，共同探討最新的能效設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，展示針對(duì)更多縱深應(yīng)用的SiC解決方案。安森美希望借此攜手中國(guó)的“碳”路先鋒們，加速先進(jìn)功率半導(dǎo)體技術(shù)的落地，實(shí)現(xiàn)應(yīng)用系統(tǒng)的最佳能效。在中國(guó)，市場(chǎng)對(duì)SiC的需求強(qiáng)勁，應(yīng)用場(chǎng)景日益多樣化。新能源
關(guān)鍵字：安森美碳化硅功率解決方案

碳化硅智造升級(jí) 浪潮信息存儲(chǔ)筑基廣東天域MES核心數(shù)據(jù)底座

隨著人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，越來(lái)越多的企業(yè)開(kāi)始探索如何將人工智能技術(shù)融入業(yè)務(wù)流程中，以提升質(zhì)量、降本增效。在高精尖制造業(yè)領(lǐng)域，人工智能、自動(dòng)駕駛等新興產(chǎn)業(yè)對(duì)碳化硅材料的需求日益增多，大力發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)，可帶動(dòng)原材料與設(shè)備2000億級(jí)產(chǎn)業(yè)，加快我國(guó)向高端材料、高端設(shè)備制造業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展的步伐。廣東天域聯(lián)手浪潮信息，為MES關(guān)鍵業(yè)務(wù)打造穩(wěn)定、高效、智能的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)底座，讓數(shù)字機(jī)臺(tái)、智能制造"有底有數(shù)"。廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司成立于2009年，是我國(guó)最早實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)
關(guān)鍵字：碳化硅浪潮信息 MES 核心數(shù)據(jù)底座

MOSFET開(kāi)關(guān)損耗簡(jiǎn)介

本文將通過(guò)解釋MOSFET功耗的重要來(lái)源來(lái)幫助您優(yōu)化開(kāi)關(guān)模式調(diào)節(jié)器和驅(qū)動(dòng)器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式：線性和開(kāi)關(guān)。在線性模式中，晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過(guò)溝道，但溝道電阻相對(duì)較高?？鐪系赖碾妷汉土鬟^(guò)溝道的電流都是顯著的，導(dǎo)致晶體管中的高功耗。在開(kāi)關(guān)模式中，柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動(dòng)，或者足夠高以使FET處于“完全增強(qiáng)”狀態(tài)，在該狀態(tài)下溝道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下，晶體管就像一個(gè)閉合的開(kāi)關(guān)：即使大電流流過(guò)通道，功耗也會(huì)很低或中等。隨著開(kāi)關(guān)模式操作接近理想情況，功耗變得可
關(guān)鍵字： MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗

Power Integrations升級(jí)你的電池管理系統(tǒng)

電池組，無(wú)疑是電動(dòng)汽車心臟般的存在，它不僅是車輛動(dòng)力之源，更是決定車輛成本高低的關(guān)鍵因素。作為電動(dòng)汽車中最昂貴的單個(gè)組件，電池組承載了車輛行駛所需的大部分能量，而其內(nèi)部的每一個(gè)電池單元都需要經(jīng)過(guò)精密的監(jiān)測(cè)和控制，以維持其長(zhǎng)久且安全的使用壽命。電池管理系統(tǒng)（BMS），作為電池組的“大腦”，其任務(wù)繁重且關(guān)鍵。它要實(shí)時(shí)監(jiān)控每一個(gè)電池單元的健康狀況，確保它們的平衡與穩(wěn)定；還要負(fù)責(zé)操作電池組的加熱和冷卻系統(tǒng)，確保電池在各種環(huán)境條件下都能維持最佳的工作狀態(tài)；此外，BMS還需實(shí)時(shí)報(bào)告電池的充電狀態(tài)，以便駕駛員能夠準(zhǔn)確了
關(guān)鍵字： BMS 電動(dòng)汽車碳化硅 Power Integrations

一文詳解電池充電器的反向電壓保護(hù)

處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個(gè)二極管，但是由于二極管正向電壓的原因，這種做法會(huì)產(chǎn)生額外的功耗。雖然該方法很簡(jiǎn)潔，但是二極管在便攜式或備份應(yīng)用中是不起作用的，因?yàn)殡姵卦诔潆姇r(shí)必須吸收電流，而在不充電時(shí)則須供應(yīng)電流。另一種方法是使用圖 1 所示的 MOSFET 電路之一。圖 1：傳統(tǒng)的負(fù)載側(cè)反向保護(hù)對(duì)于負(fù)載側(cè)電路而言，這種方法比使用二極管更好，因?yàn)殡娫? (電池) 電壓增強(qiáng)了 MOSFET，因而產(chǎn)生了更少的壓降和實(shí)質(zhì)上更高的電導(dǎo)。該電路的 NMOS 版本比 PM
關(guān)鍵字： MOSFET 電源電壓反轉(zhuǎn)

解析LLC諧振半橋變換器的失效模式

在功率轉(zhuǎn)換市場(chǎng)中，尤其對(duì)于通信/服務(wù)器電源應(yīng)用，不斷提高功率密度和追求更高效率已經(jīng)成為最具挑戰(zhàn)性的議題。對(duì)于功率密度的提高，最普遍方法就是提高開(kāi)關(guān)頻率，以便降低無(wú)源器件的尺寸。零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)拓?fù)湟蚓哂袠O低的開(kāi)關(guān)損耗、較低的器件應(yīng)力而允許采用高開(kāi)關(guān)頻率以及較小的外形，能夠以正弦方式對(duì)能量進(jìn)行處理，開(kāi)關(guān)器件可實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)閉，因此可以大大地降低開(kāi)關(guān)損耗和噪聲。在這些拓?fù)渲?，移相ZVS全橋拓?fù)湓谥小⒏吖β蕬?yīng)用中得到了廣泛采用，因?yàn)榻柚β蔒OSFET的等效輸出電容和變壓器的漏感可以使所有的開(kāi)關(guān)工作在ZVS狀態(tài)下
關(guān)鍵字： LLC MOSFET ZVS 變換器

談?wù)剮追N常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

一、MOS管驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)述MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。在使用MOSFET設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案。更細(xì)致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對(duì)一個(gè)確定的MOSFET，其驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì)影響MOSFET的開(kāi)關(guān)性能。當(dāng)電源IC與MOS管選定之
關(guān)鍵字： MOSFET

Microchip推出基于dsPIC? DSC的新型集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器將控制器、柵極驅(qū)動(dòng)器和通信整合到單個(gè)器件

為了在空間受限的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效、實(shí)時(shí)的嵌入式電機(jī)控制系統(tǒng)，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC?數(shù)字信號(hào)控制器（DSC）的新型集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系列。該系列器件在一個(gè)封裝中集成了dsPIC33 數(shù)字信號(hào)控制器（DSC）、一個(gè)三相MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器和可選LIN 或 CAN FD 收發(fā)器。這種集成的一個(gè)顯著優(yōu)勢(shì)是減少電機(jī)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)的元件數(shù)量，縮小印刷電路板（PCB）尺寸，并降低復(fù)雜性。該系列器件的支持資源包括開(kāi)發(fā)板、參考設(shè)計(jì)、應(yīng)用筆記和 Micr
關(guān)鍵字： dsPIC 數(shù)字信號(hào)控制器 MOSFET 電機(jī)控制